期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于低温积分球的中红外陷阱探测器技术
1
作者 杨晓阳 申曼 +2 位作者 王大辉 杨鹏翎 李向阳 《应用光学》 CAS 北大核心 2024年第4期685-692,共8页
针对中波红外辐射测量定标的需求,提出了将微型积分球与中红外探测器集成在低温环境中。验证比对了几种用于制作积分球内腔表面的材料样品,通过宽光谱反射率、特征光谱反射率、双向反射分布函数(bidirectional reflectance distribution... 针对中波红外辐射测量定标的需求,提出了将微型积分球与中红外探测器集成在低温环境中。验证比对了几种用于制作积分球内腔表面的材料样品,通过宽光谱反射率、特征光谱反射率、双向反射分布函数(bidirectional reflectance distribution function,BRDF),以及用激光共聚焦显微镜、扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)等进行微观表面形貌的测量,获得了适用于制作中红外积分球的内腔表面制作工艺。BRDF测试结果显示,制作的内腔表面接近朗伯反射表面。测试了积分球探测器样品的光谱与电学性能,经过表面粗糙化处理并蒸镀金属反射膜,样品的光谱波段适应性好,光强衰减比为0.0674,经计算,积分球内腔壁的反射率为96.4%;同时,低温积分球的引入,使探测器芯片的噪声由3.5×10^(-12)A·Hz^(-1/2)降低至1.0×10^(-12)A·Hz^(-1/2)。 展开更多
关键词 积分球 漫反射 陷阱探测器 中红外探测器
下载PDF
GeSe2中强各向异性偏振相关的非线性光学响应
2
作者 欧阳昊 胡思扬 +3 位作者 申曼 张晨希 程湘爱 江天 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第18期149-158,共10页
二硒化锗(GeSe2)作为一种层状Ⅳ-Ⅵ族半导体,具有面内各向异性结构及宽能带间隙,表现出了独特的光、电及热学性能.本文利用偏振拉曼光谱和线性吸收谱分别对GeSe2纳米片的晶轴取向和能带特性进行表征,并以此为依据采用微区I扫描系统研究... 二硒化锗(GeSe2)作为一种层状Ⅳ-Ⅵ族半导体,具有面内各向异性结构及宽能带间隙,表现出了独特的光、电及热学性能.本文利用偏振拉曼光谱和线性吸收谱分别对GeSe2纳米片的晶轴取向和能带特性进行表征,并以此为依据采用微区I扫描系统研究了GeSe2在共振能带附近的光学非线性吸收机制.结果表明,GeSe2中非线性吸收机制为饱和吸收与激发态吸收的叠加,且对入射光偏振与波长均有强烈的依赖.近共振激发(450 nm)条件下,激发态吸收对偏振的依赖程度比较大,随着入射光偏振的不同,非线性调制深度可由4.6%变化至9.9%;而非共振激发(400 nm)时,该调制深度仅由7.0%变化至9.7%.同时,相比于饱和吸收,激发态吸收的偏振依赖程度受远离共振激发波长的影响而变化更大. 展开更多
关键词 各向异性 激发态吸收 微区I 扫描
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部