期刊文献+
共找到33篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
光纤激光器研究进展 被引量:12
1
作者 张玉书 杜国同 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期1-5,共5页
光纤激光器具有寿命长,模式好,体积小,免冷却等一系列其他激光器无法比拟的优点,近年来受到了来自电子信息、工业加工和国防科技等研究开发领域的高度关注。文章概述了光纤激光器典型的工作原理,阐述了其当前主要研究方向以及国内外研... 光纤激光器具有寿命长,模式好,体积小,免冷却等一系列其他激光器无法比拟的优点,近年来受到了来自电子信息、工业加工和国防科技等研究开发领域的高度关注。文章概述了光纤激光器典型的工作原理,阐述了其当前主要研究方向以及国内外研究现状,最后提出了光纤激光器产业化的趋势。 展开更多
关键词 光纤 光纤激光器 光子晶体光纤 超短脉冲
下载PDF
薄壁应变筒式光纤光栅压力传感器的研究 被引量:11
2
作者 于永森 +5 位作者 张金 王艳 闫卫平 郑杰 张玉书 杜国同 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1433-1436,共4页
设计并制备了一种金属薄壁应变弹性筒式光纤光栅压力传感器,将FBG1和FBG2分别沿着轴向和周向粘贴在该结构内筒外壁上,FBG2用来测量压力,FBG1是温度补偿光栅。通过择优选取不锈钢(Cr18Ni9)材料作为基材,优化结构内筒径与内筒壁厚的比例,... 设计并制备了一种金属薄壁应变弹性筒式光纤光栅压力传感器,将FBG1和FBG2分别沿着轴向和周向粘贴在该结构内筒外壁上,FBG2用来测量压力,FBG1是温度补偿光栅。通过择优选取不锈钢(Cr18Ni9)材料作为基材,优化结构内筒径与内筒壁厚的比例,测得压强达到40MPa,压力响应度达到0.033nm/MPa,与普通的裸光纤光栅压力传感器相比较,增大了测量范围,提高了响应度达11倍。实验结果表明,通过调整传感器结构的参数,如基材和几何尺寸等,可以使该结构压力传感器满足不同的测量范围和响应度。 展开更多
关键词 光纤光栅(FBG) 薄壁筒 应变 压力传感器 交叉敏感
原文传递
基于四取代铜酞菁的有机近红外电致磷光器件 被引量:10
3
作者 范昭奇 程传辉 +5 位作者 李万成 王瑾 白青龙 夏道成 杜国同 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期524-528,共5页
制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/BCP/Alq3/Al的近红外(NIR)有机电致发光器件(OLED),器件在室温下的发射峰位于1110nm附近,来源于(4-tert)CuPc分子的磷光发射,器件的最佳掺杂浓度为14wt%。制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc... 制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/BCP/Alq3/Al的近红外(NIR)有机电致发光器件(OLED),器件在室温下的发射峰位于1110nm附近,来源于(4-tert)CuPc分子的磷光发射,器件的最佳掺杂浓度为14wt%。制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/DCJTB/BCP/Alq3/Al的器件,结果表明,DCJTB层的加入没有改变器件的NIR电致发光(EL)峰位置,而器件的NIR发光强度与没有DCJTB层的器件相比,提高了50%左右,这是由于DCJTB向(4-tert)CuPc进行了有效的能量传输。 展开更多
关键词 酞菁 有机电致发光器件(OLED) 近红外(NIR)
原文传递
新型可溶性酞菁的合成和光致发光及电致发光性质 被引量:7
4
作者 白青龙 张春花 +3 位作者 程传辉 李万程 杜国同 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1195-1200,共6页
以3(4)-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料,经过两步反应合成了α(β)-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌,通过谱学方法和元素分析表征了其结构.比较研究其溶液和旋涂膜的紫外可见光谱、光致发光光谱和固体薄片的光致发光光谱.并以其旋涂膜为发... 以3(4)-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料,经过两步反应合成了α(β)-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌,通过谱学方法和元素分析表征了其结构.比较研究其溶液和旋涂膜的紫外可见光谱、光致发光光谱和固体薄片的光致发光光谱.并以其旋涂膜为发光层制备了电致发光器件,研究其电致发光性质.结果表明,固态酞菁材料与其溶液的荧光发射波长相比均向长波方向移动了145nm以上,而且都有不同程度的宽展.在固态下β-位取代酞菁荧光发射波长红移的程度比α-位取代酞菁大.电致发光光谱的发射波长和其旋涂膜的光致发光光谱的发射波长基本一致,大约在856和862nm左右.在固态下酞菁分子排列紧密,分子间相互作用增强导致了荧光发射波长的巨大红移. 展开更多
关键词 可溶性酞菁 合成 光致发光 电致发光 红移
下载PDF
倾斜光纤光栅传感器研究进展 被引量:5
5
作者 张笑 柳阳 +2 位作者 张玉书 杜国同 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期170-174,189,共6页
倾斜光纤光栅传感器(TFBG)作为一种较为特殊的光栅传感器受到了广泛的关注,它除了光纤光栅本身具有的优点外,还具有环境折射率敏感度高、可解决温度-应变交叉敏感问题等其他光纤光栅传感器无法比拟的优点。文章首先概述了TFBG的工作原理... 倾斜光纤光栅传感器(TFBG)作为一种较为特殊的光栅传感器受到了广泛的关注,它除了光纤光栅本身具有的优点外,还具有环境折射率敏感度高、可解决温度-应变交叉敏感问题等其他光纤光栅传感器无法比拟的优点。文章首先概述了TFBG的工作原理,随后从倾角、应变、温度及环境折射率测量等方面阐述了当前TFBG主要研究方向以及研究现状,最后给出了TFBG的研究发展趋势。 展开更多
关键词 倾斜光纤光栅传感器 倾角 应变 温度 环境折射率
下载PDF
基于AZFA技术的高精度低功耗Σ-Δ调制器
6
作者 李耀东 谷硕 +3 位作者 杨吉城 汪家奇 常玉春 《微处理机》 2024年第2期1-7,共7页
为满足高精度Σ-Δ调制器在实际应用中对于低功耗日益严格的要求,提出一种基于自稳零和双通道动态运放结合的AZFA技术的离散型Σ-Δ调制器。设计采用局部前馈、全局反馈的全差分二阶单bit量化结构,具有低功耗、低失调、低噪声、稳定性... 为满足高精度Σ-Δ调制器在实际应用中对于低功耗日益严格的要求,提出一种基于自稳零和双通道动态运放结合的AZFA技术的离散型Σ-Δ调制器。设计采用局部前馈、全局反馈的全差分二阶单bit量化结构,具有低功耗、低失调、低噪声、稳定性好的优点。整体电路采用SMICBCD 0.18μm工艺,工作电压为5 V。仿真结果表明,在过采样率(OSR)为512、采样时钟频率为163 kHz条件下,其信噪比、有效位数、整体功耗等相关指标均有优秀表现,适用于低速高精度低功耗系统的应用场景。 展开更多
关键词 Σ-Δ调制器 自稳零 双通道动态运放 AZFA技术
下载PDF
基于三值向二值演化的BNN剪枝方法
7
作者 徐图 张博 +4 位作者 李镇 陈怡凝 熊波涛 常玉春 《吉林大学学报(信息科学版)》 CAS 2024年第2期356-365,共10页
针对目前BNN(Binarized Neural Network)剪枝方法存在剪枝比例低、识别准确率显著下降以及依赖训练后微调的问题,提出了一种基于三值向二值演化的滤波器级的BNN剪枝方法,命名为ETB(Evolution from Ternary to Binary)。ETB是基于学习的... 针对目前BNN(Binarized Neural Network)剪枝方法存在剪枝比例低、识别准确率显著下降以及依赖训练后微调的问题,提出了一种基于三值向二值演化的滤波器级的BNN剪枝方法,命名为ETB(Evolution from Ternary to Binary)。ETB是基于学习的,通过在BNN的量化函数中引入可训练的量化阈值,使权重和激活值逐渐从三值演化到二值或零,旨在使网络在训练期间自动识别不重要的结构。此外,一个剪枝率调节算法也被设计用于调控网络的剪枝率。训练后,全零滤波器和对应的输出通道可被直接裁剪而获得精简的BNN,无需微调。为证明提出方法的可行性和其提升BNN推理效率而不牺牲准确率的潜力,在CIFAR-10上进行实验:在CIFAR-10数据集上,ETB对VGG-Small模型进行了46.3%的剪枝,模型大小压缩至0.34 MByte,准确率为89.97%,并在ResNet-18模型上进行了30.01%的剪枝,模型大小压缩至1.33 MByte,准确率为90.79%。在准确率和参数量方面,对比一些现有的BNN剪枝方法,ETB具有一定的优势。 展开更多
关键词 二值神经网络 剪枝 可训练门限 演化
下载PDF
一种采用分段电容DEM方法的噪声整形SARADC
8
作者 张云博 国长宇 +1 位作者 钟国强 《微处理机》 2024年第3期1-4,共4页
针对传统动态元件匹配(DEM)方法所需硬件资源较多的问题,设计一种二阶误差反馈噪声整形SAR ADC。该设计采用分段电容以减小DAC阵列规模及误差反馈环路电容的容值,缩减整体电路的面积。在此基础上形成一种应用于分段电容阵列的DEM方法,... 针对传统动态元件匹配(DEM)方法所需硬件资源较多的问题,设计一种二阶误差反馈噪声整形SAR ADC。该设计采用分段电容以减小DAC阵列规模及误差反馈环路电容的容值,缩减整体电路的面积。在此基础上形成一种应用于分段电容阵列的DEM方法,以较小的电路复杂度为代价,减轻电容失配对信噪失真比(SNDR)等性能参数的影响。仿真结果表明,在0.3%的电容失配下,所设计的噪声整形SAR ADC采用8位电容阵列即可实现70.9dB的SNDR,所需面积仅为0.019mm^(2)。 展开更多
关键词 分段电容阵列 动态元件匹配 噪声整形
下载PDF
基于分时复用SAR ADC的Zoom ADC
9
作者 牛瑞玲 杨吉城 +3 位作者 汪家奇 李兆涵 刘国文 《微处理机》 2024年第4期1-7,共7页
为了在增加有限硬件开销的基础上实现更高的信号噪声抑制比、提高面积利用效率,提出一种基于分时复用SAR ADC的动态zoom ADC。同时提出一种提取粗量化模拟残差并前馈的无源实现方案,不需要有源求和运放的设计,避免了普通无源求和信号的... 为了在增加有限硬件开销的基础上实现更高的信号噪声抑制比、提高面积利用效率,提出一种基于分时复用SAR ADC的动态zoom ADC。同时提出一种提取粗量化模拟残差并前馈的无源实现方案,不需要有源求和运放的设计,避免了普通无源求和信号的衰减,减小了粗量化部分量化噪声泄露引起的“毛刺”。整体电路分为粗量化和细量化两部分进行设计,粗量化由3位异步SAR ADC实现,细量化由二阶3位量化的sigma-delta调制器实现。基于0.18μm CMOS工艺、3.3V供电电压,在1MHz采样频率下、1kHz带宽内,消耗76μA电流,得到信噪失真比和FOM的具体值,验证了设计的可行性。 展开更多
关键词 缩放型模数转换器 SIGMA-DELTA调制器 逐次逼近模数转换器 分时复用
下载PDF
“集成电路工艺”虚拟实践平台建设与教学实践
10
作者 汪家奇 刘勐 +1 位作者 梁红伟 《实验室科学》 2023年第1期111-114,共4页
在集成电路(IC)工艺的实验教学中,互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路加工工艺实验教学是学生加深对半导体工艺理解的重要环节。由于微电子行业的实验场所、时间以及实验设备的各种限制,真正的实际操作非常有限,导致实验教学效果并不... 在集成电路(IC)工艺的实验教学中,互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路加工工艺实验教学是学生加深对半导体工艺理解的重要环节。由于微电子行业的实验场所、时间以及实验设备的各种限制,真正的实际操作非常有限,导致实验教学效果并不理想。基于这些原因,开发了“集成电路工艺”虚拟实践平台,该平台对传统的实际操作实验教学进行了虚拟仿真,通过该平台学生可以进行集成电路工艺的模拟操作,极大地促进了学生的实验兴趣,并能够加深对集成电路制造工艺的理解。该虚拟实践平台已在学生中使用,取得了良好的实验教学效果。虚拟实践平台可以通过互联网进行优质教学资源共享,对微电子专业学生的实验教学具有良好的促进作用。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 集成电路制造工艺 虚拟实践平台 实验教学
下载PDF
一种低成本FBG高温传感器的研究 被引量:4
11
作者 柳阳 +4 位作者 于永森 戚琳 张贺秋 张玉书 杜国同 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期64-66,共3页
采用相位掩模法,利用紫外光在载氢普通掺锗单模石英光纤中制作出光纤布拉格光栅(FBG)。同时,将反射率为17dB的光栅FBG1和反射率为41dB的光栅FBG2置于30~1000℃的高温炉内进行温度特性比较实验。在30~870℃范围内FBG1和FBG2两者中心波... 采用相位掩模法,利用紫外光在载氢普通掺锗单模石英光纤中制作出光纤布拉格光栅(FBG)。同时,将反射率为17dB的光栅FBG1和反射率为41dB的光栅FBG2置于30~1000℃的高温炉内进行温度特性比较实验。在30~870℃范围内FBG1和FBG2两者中心波长随温度的变化趋势一致,且两个光栅反射波长都在870℃时消失,当温度继续升高到900℃时,仅有FBG2再次出现反射率为1dB的反射峰。对经过高温处理后的FBG2再次进行30~1000℃温度测量实验,温度灵敏度为0.02nm/℃,线性度为0.999。实验结果表明,对于具有高反射率的FBG进行高温热处理后,其可以在30~1000℃的温度范围内进行传感测量,且中心波长随温度变化呈良好的线性关系。利用该方法可以制作出低成本的可用于高温环境测量的FBG温度传感器。 展开更多
关键词 光纤布拉格光栅 高温传感器 高反射率
下载PDF
基于数字自校准的14位SAR ADC的设计
12
作者 蓝菁辉 夏瑞彤 《中国集成电路》 2023年第9期30-36,共7页
为了降低电容型模数转换器(ADC)中的电容失配带来的非线性影响,提出了一种基于复用低位电容自校准的逐次逼近型(SAR)ADC电路结构,利用低位电容转化高位电容失配引起的误差电压,实现高位电容失配校准。在55 nm CMOS工艺下实现了该ADC结... 为了降低电容型模数转换器(ADC)中的电容失配带来的非线性影响,提出了一种基于复用低位电容自校准的逐次逼近型(SAR)ADC电路结构,利用低位电容转化高位电容失配引起的误差电压,实现高位电容失配校准。在55 nm CMOS工艺下实现了该ADC结构。该结构ADC工作过程为失调误差提取与正常转换两阶段,失调误差提取阶段中利用低位电容将高位电容失配产生的误差电压转换为误差码并存储,将误差码与正常转化数字码求和得到最终的数字输出,实现电容失配自校准。为了提高ADC采样速率,该结构通过分段结构将电容阵列分为三段降低了单位电容数量。仿真结果表明,在1.2 V电源电压,80 MSPS采样速率下,引入电容失配后电路功耗为3.72 mW,有效位数为13.45 bit,信噪失真比(SNDR)为82.75 dB,相比未校准分别提高4.41 bit,26.58 dB。 展开更多
关键词 逐次逼近型模数转换器 电容失配 自校准 高速模数转换器 分段电容结构
下载PDF
新型应变筒式光纤Bragg光栅压力传感器 被引量:2
13
作者 张金 +4 位作者 王本宇 王艳 闫卫平 张玉书 杜国同 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2008年第8期1-2,共2页
设计并制作了一种基于弹性应变筒式光纤布拉格光栅压力传感器,通过对传统结构进行优化,即弧形筒身设计,避免了应力梯度的存在,使筒身受力均匀,同时增大了应力响应范围。使用参考光栅进行温度补偿,解决了交叉敏感问题带来的影响。... 设计并制作了一种基于弹性应变筒式光纤布拉格光栅压力传感器,通过对传统结构进行优化,即弧形筒身设计,避免了应力梯度的存在,使筒身受力均匀,同时增大了应力响应范围。使用参考光栅进行温度补偿,解决了交叉敏感问题带来的影响。通过对应变筒几何尺寸和材料的改变,达到具体测量所需传感头的参数。实验以普通不锈钢材料为基体,测量范围0-30MPa,压力灵敏度达到0.033nm/MPa.使用该结构可用于液体和气体的高压测量。 展开更多
关键词 光纤布拉格光栅 压力 传感器 应变筒
下载PDF
MOCVD法制备ZnO薄膜的正交试验设计 被引量:2
14
作者 李香萍 张宝林 +2 位作者 董鑫 杜国同 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期700-704,共5页
采用低压-金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,结合正交试验设计,在(100)p-Si衬底上制备了高质量的ZnO薄膜。用室温光致发光研究了不同生长参数对ZnO薄膜光学质量的影响。通过正交分析法对所得样品相关特征指标的分析,得到生长温度、锌源... 采用低压-金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,结合正交试验设计,在(100)p-Si衬底上制备了高质量的ZnO薄膜。用室温光致发光研究了不同生长参数对ZnO薄膜光学质量的影响。通过正交分析法对所得样品相关特征指标的分析,得到生长温度、锌源温度和氧气流量3个独立工艺参数对薄膜光学质量的影响。结果表明,生长温度对薄膜光学质量的影响最大,其余依次为氧气流量和锌源温度,同时,通过分析还得到了最佳组合工艺。结合面探X射线衍射仪,分析了薄膜的结晶质量,发现在优化的工艺条件下制备出的ZnO薄膜具有较好的结晶质量。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 正交试验设计 氧化锌
下载PDF
SiN插入层对GaN外延膜应力和光学质量的影响(英文) 被引量:3
15
作者 宋世巍 梁红伟 +4 位作者 柳阳 张克雄 夏晓川 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1017-1021,共5页
研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放。同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善。研究表明,位错密度的... 研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放。同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善。研究表明,位错密度的降低在GaN薄膜中留存较大的残余应力,补偿了降温过程中所引入的张应力。同样,随着SiN插入层的应用,低温PL谱的半峰宽降低,薄膜光学质量提高。最后研究了PL谱发光峰与应力的关系,得到了一个-13.8的线性系数。 展开更多
关键词 SIN 应力弛豫 插入层
下载PDF
总剂量效应对CMOS图像传感器中光电二极管钳位电压的影响 被引量:2
16
作者 宋辰昱 +2 位作者 曲杨 刘岩 常玉春 《半导体光电》 北大核心 2021年第3期321-326,共6页
钳位电压(V_(pin))是影响CMOS图像传感器(CIS)中钳位光电二极管(PPD)电荷转移效率和满阱电荷容量的关键物理量。在辐照条件下,V_(pin)受辐射总剂量(TID)增加而升高,因此研究其机理对抗辐照CIS的设计有重要意义。文章利用TCAD仿真软件分... 钳位电压(V_(pin))是影响CMOS图像传感器(CIS)中钳位光电二极管(PPD)电荷转移效率和满阱电荷容量的关键物理量。在辐照条件下,V_(pin)受辐射总剂量(TID)增加而升高,因此研究其机理对抗辐照CIS的设计有重要意义。文章利用TCAD仿真软件分析了CIS器件的电学特性,研究了V_(pin)受TID影响的机理。结果表明,当辐照引起的氧化物陷阱电荷浓度达到3×10^(16)cm^(-3)时,浅沟槽隔离(STI)附近的耗尽区将PPD中的pin层与地极电学隔离,从而导致pin层电势易受到传输晶体管TG沟道电势影响而增加,使得相同电子注入条件下PPD可存储的电子增多,复位所需电压增大,导致V_(pin)随着辐射总剂量增加而增大。 展开更多
关键词 钳位电压 总剂量效应 CMOS图像传感器 TCAD
下载PDF
石英光纤的金属镍锡涂敷工艺研究 被引量:2
17
作者 滕睿 宋士惠 +2 位作者 张玉书 杜国同 《光学技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期87-88,91,共3页
为了实现石英光纤传感器的无胶金属化封装,需要在光纤表面涂敷金属层。先利用化学镀方法在石英光纤表面镀镍层,再利用电镀工艺电镀锡层,从而获得表面光亮、均匀、附着牢固、可焊性好的金属涂敷层。实验中研究了敏化、活化工艺对镀层的... 为了实现石英光纤传感器的无胶金属化封装,需要在光纤表面涂敷金属层。先利用化学镀方法在石英光纤表面镀镍层,再利用电镀工艺电镀锡层,从而获得表面光亮、均匀、附着牢固、可焊性好的金属涂敷层。实验中研究了敏化、活化工艺对镀层的影响并提出一种效果较好的敏化活化方法。给出了石英光纤表面化学镀镍的最佳工艺条件。 展开更多
关键词 石英光纤 敏化 活化 化学镀
原文传递
LP-MOCVD法制作n-ZnO/p-Si异质结及其电致发光研究 被引量:3
18
作者 李香萍 张宝林 +3 位作者 张源涛 董鑫 夏晓川 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期601-604,共4页
采用低压-金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)在(100)p-Si衬底上制备未掺杂n型ZnO薄膜,并制作了相应的n-ZnO/p-Si异质结器件。通过X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)光谱和霍尔测试分别研究了所制备薄膜的结构、光学和电学特性,得到具有较高... 采用低压-金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)在(100)p-Si衬底上制备未掺杂n型ZnO薄膜,并制作了相应的n-ZnO/p-Si异质结器件。通过X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)光谱和霍尔测试分别研究了所制备薄膜的结构、光学和电学特性,得到具有较高质量的n型ZnO薄膜。在室温条件下,测得了该类异质结器件正向注入电流下可见光和近红外区域的电致发光(EL)。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 n-ZnO/p-Si 异质结 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 电致发光(EL)
原文传递
生命周期评价中权重确定方法研究 被引量:1
19
作者 孙雪辉 +2 位作者 王超 孙楠楠 常玉春 《科学技术创新》 2021年第33期194-196,共3页
权重确定对于生命周期(Life Cycle Assessment,LCA)评价具有重要意义,如何使用合理的方法得到客观可信的权重值至关重要。详细介绍层次分析法、改进的模糊层次分析法和基于粗糙集理论法三种权重确定方法。
关键词 生命周期评价 权重确定方法 计算
下载PDF
喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响 被引量:1
20
作者 柯昀洁 梁红伟 +5 位作者 宋世巍 夏晓川 柳阳 张克雄 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期469-473,共5页
在Aixtron 3×2近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18,25 mm间距的4个InGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表明... 在Aixtron 3×2近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18,25 mm间距的4个InGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表明:随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减少,垒/阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减少;增加高度至一定值后,量子阱厚度及In组分趋于稳定。此外,对比垒层和阱层的厚度变化,垒层厚度的变化幅度较阱层更为明显。 展开更多
关键词 MOCVD 高度调节 INGAN GaN量子阱
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部