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微波电子回旋共振等离子体技术及其应用
被引量:
4
1
作者
甄
汉
生
《真空科学与技术》
CSCD
1993年第2期79-86,共8页
微波电子回旋共振等离子体是淀积薄膜、微细加工和材料表面改性的一种重要手段。由于这种等离子体电离水平高,化学活性好,可以用来实现基片上薄膜的室温化学气相淀积和反应离子刻蚀,因此对于微电子学、光电子学和薄膜传感器件的发展,这...
微波电子回旋共振等离子体是淀积薄膜、微细加工和材料表面改性的一种重要手段。由于这种等离子体电离水平高,化学活性好,可以用来实现基片上薄膜的室温化学气相淀积和反应离子刻蚀,因此对于微电子学、光电子学和薄膜传感器件的发展,这种等离子体会具有重要的意义。此外,采用微波电子回旋共振等离子体原理,没有灯丝的离子源可以提高离子源的使用寿命,可以增加离子束的束流密度。可以确信,微波电子回旋共振等离子体的发展,将把离子源技术提高到一个新的水平。显然,这必将对材料表面改性工艺,包括离子注入掺杂等工艺的发展发挥作用。自从1985年以来,为了得到大容积等离子体而发展了微波电子回旋共振多磁极等离子体,这些技术在薄膜技术、微细加工以及材料表面改性中的应用前景是乐观的。我们将在本文中,介绍微波电子回旋共振等离子体的原理及其应用。
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关键词
等离子体
电子回旋共振
微波
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职称材料
用锆石墨吸气剂改善He-Ne激光器输出功率和提高其寿命的研究
2
作者
甄
汉
生
苏华钧
《四川激光》
1981年第A02期126-127,共2页
针对目前He-Ne激光器结构、材料和生产工艺中存在的问题,对各种影响因素进行了分析。分析结果得出,管内应用合适的吸气剂改善器件真空状况,有助于挖掘He-Ne激光器潜在的输出功率,并对提高器件寿命有所帮助。
关键词
HE-NE激光器
器件寿命
输出功率
吸气剂
石墨
激光器结构
生产工艺
分析结果
锆
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职称材料
半导体激光器的自脉动与被动锁模
3
作者
商以智
甄
汉
生
+1 位作者
秦小蓉
朱卫民
《激光杂志》
CAS
1988年第2期106-110,共5页
利用普通GaAlA_3双异质结半导体激光器,观察到被动锁模现象。讨论了半导体激光二极管的自脉动、外腔中的诱导自脉动以及被动锁模间的区别与联系。
关键词
半导体激光器
被动锁模
自脉动
半导体激光二极管
双异质结
外腔
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职称材料
微波ECR-MP-CVD制备α-Si:H膜的光学性能
4
作者
吴锦发
周邦伟
甄
汉
生
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期142-147,共6页
介绍了用 ECR-MP-CVD 方法在室温条件下,淀积α-Si:H 膜的光学性能,其光能隙 Eg 随工艺条件改变而不同,Eg 值在1.72~1.92eV 之间。给出了微波功率对膜层光电导率(σ_(ph))和暗电导(σ_d)的影响,低功率下制备的样品具有高阻特性,高功率...
介绍了用 ECR-MP-CVD 方法在室温条件下,淀积α-Si:H 膜的光学性能,其光能隙 Eg 随工艺条件改变而不同,Eg 值在1.72~1.92eV 之间。给出了微波功率对膜层光电导率(σ_(ph))和暗电导(σ_d)的影响,低功率下制备的样品具有高阻特性,高功率下制备的样品具有低阻特性,光敏性能都较好,σ_(ph)/σ_d 比值达4~6个数量级。
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关键词
微波功率
光电导率
非晶硅薄膜
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职称材料
题名
微波电子回旋共振等离子体技术及其应用
被引量:
4
1
作者
甄
汉
生
机构
清华大学电子工程系
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1993年第2期79-86,共8页
文摘
微波电子回旋共振等离子体是淀积薄膜、微细加工和材料表面改性的一种重要手段。由于这种等离子体电离水平高,化学活性好,可以用来实现基片上薄膜的室温化学气相淀积和反应离子刻蚀,因此对于微电子学、光电子学和薄膜传感器件的发展,这种等离子体会具有重要的意义。此外,采用微波电子回旋共振等离子体原理,没有灯丝的离子源可以提高离子源的使用寿命,可以增加离子束的束流密度。可以确信,微波电子回旋共振等离子体的发展,将把离子源技术提高到一个新的水平。显然,这必将对材料表面改性工艺,包括离子注入掺杂等工艺的发展发挥作用。自从1985年以来,为了得到大容积等离子体而发展了微波电子回旋共振多磁极等离子体,这些技术在薄膜技术、微细加工以及材料表面改性中的应用前景是乐观的。我们将在本文中,介绍微波电子回旋共振等离子体的原理及其应用。
关键词
等离子体
电子回旋共振
微波
Keywords
ECR(Electron Cyclotron Resonance), Plasma, CVD(Chemical Vapor Deposition), Broad beam ion source
分类号
O534 [理学—等离子体物理]
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职称材料
题名
用锆石墨吸气剂改善He-Ne激光器输出功率和提高其寿命的研究
2
作者
甄
汉
生
苏华钧
机构
清华大学
北京科仪厂
出处
《四川激光》
1981年第A02期126-127,共2页
文摘
针对目前He-Ne激光器结构、材料和生产工艺中存在的问题,对各种影响因素进行了分析。分析结果得出,管内应用合适的吸气剂改善器件真空状况,有助于挖掘He-Ne激光器潜在的输出功率,并对提高器件寿命有所帮助。
关键词
HE-NE激光器
器件寿命
输出功率
吸气剂
石墨
激光器结构
生产工艺
分析结果
锆
分类号
TN248.21 [电子电信—物理电子学]
TN386.1
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职称材料
题名
半导体激光器的自脉动与被动锁模
3
作者
商以智
甄
汉
生
秦小蓉
朱卫民
机构
清华大学
出处
《激光杂志》
CAS
1988年第2期106-110,共5页
文摘
利用普通GaAlA_3双异质结半导体激光器,观察到被动锁模现象。讨论了半导体激光二极管的自脉动、外腔中的诱导自脉动以及被动锁模间的区别与联系。
关键词
半导体激光器
被动锁模
自脉动
半导体激光二极管
双异质结
外腔
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
TN248.1
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职称材料
题名
微波ECR-MP-CVD制备α-Si:H膜的光学性能
4
作者
吴锦发
周邦伟
甄
汉
生
机构
清华大学电子工程系
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期142-147,共6页
文摘
介绍了用 ECR-MP-CVD 方法在室温条件下,淀积α-Si:H 膜的光学性能,其光能隙 Eg 随工艺条件改变而不同,Eg 值在1.72~1.92eV 之间。给出了微波功率对膜层光电导率(σ_(ph))和暗电导(σ_d)的影响,低功率下制备的样品具有高阻特性,高功率下制备的样品具有低阻特性,光敏性能都较好,σ_(ph)/σ_d 比值达4~6个数量级。
关键词
微波功率
光电导率
非晶硅薄膜
Keywords
α-Si:H
Microwave Power
Optical Energy Band
Photoconductivity
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微波电子回旋共振等离子体技术及其应用
甄
汉
生
《真空科学与技术》
CSCD
1993
4
下载PDF
职称材料
2
用锆石墨吸气剂改善He-Ne激光器输出功率和提高其寿命的研究
甄
汉
生
苏华钧
《四川激光》
1981
0
下载PDF
职称材料
3
半导体激光器的自脉动与被动锁模
商以智
甄
汉
生
秦小蓉
朱卫民
《激光杂志》
CAS
1988
0
下载PDF
职称材料
4
微波ECR-MP-CVD制备α-Si:H膜的光学性能
吴锦发
周邦伟
甄
汉
生
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
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职称材料
已选择
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