以TC4钛合金为基体进行熔盐电解渗硼,利用辉光放电光谱仪（GDOES）、扫描电镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）和显微硬度计研究电流密度对渗硼层厚度、成分、组织、相结构及硬度的影响。结果表明：电流密度在50～90 m A/cm2时,渗硼层晶粒...以TC4钛合金为基体进行熔盐电解渗硼,利用辉光放电光谱仪（GDOES）、扫描电镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）和显微硬度计研究电流密度对渗硼层厚度、成分、组织、相结构及硬度的影响。结果表明：电流密度在50～90 m A/cm2时,渗硼层晶粒随电流密度的增加由粗大变得细小,渗硼层厚度先增大后减小,电流密度为60 m A/cm2时渗硼层厚度最大。渗硼层不含Al,而V则易固溶于硼化物中。渗硼层主要由Ti B和Ti B2组成,在（111）晶面择优生长。渗硼层的显微硬度相对基体硬度提高了5倍。展开更多
采用熔盐脉冲电沉积法在纯铌表面渗硅,利用辉光放电光谱仪(GDOES)、扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)分析不同电流密度对渗硅层厚度、成分、组织及相结构的影响,并对渗硅层的抗氧化性进行了研究。结果表明,渗硅层厚度随电...采用熔盐脉冲电沉积法在纯铌表面渗硅,利用辉光放电光谱仪(GDOES)、扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)分析不同电流密度对渗硅层厚度、成分、组织及相结构的影响,并对渗硅层的抗氧化性进行了研究。结果表明,渗硅层厚度随电流密度的增大而增加,超过100 m A/cm2厚度增加缓慢。渗硅层晶粒随电流密度的增加由粗大变得细小。渗层与基体结合紧密,渗层组织较均匀整齐,致密无孔洞。渗硅层由单相Nb Si2组成,在(110)和(200)晶面上择优生长。Nb Si2渗层提高了纯铌的抗氧化性。展开更多
采用熔盐脉冲电沉积方法在纯铌表面制备出渗硅层,对渗层的组织、成分及物相进行了检测,并对渗硅过程中硅的扩散行为进行研究。结果表明,渗硅层晶粒细小,无明显裂纹,均匀整齐,与基体结合紧密。渗硅层由单相Nb Si2组成。渗硅层厚度与沉积...采用熔盐脉冲电沉积方法在纯铌表面制备出渗硅层,对渗层的组织、成分及物相进行了检测,并对渗硅过程中硅的扩散行为进行研究。结果表明,渗硅层晶粒细小,无明显裂纹,均匀整齐,与基体结合紧密。渗硅层由单相Nb Si2组成。渗硅层厚度与沉积时间成抛物线关系,根据二者关系式计算出不同沉积温度下硅的扩散系数,并拟合得出脉冲电沉积时硅在铌基体中的扩散激活能为162 k J/mol。展开更多
文摘以TC4钛合金为基体进行熔盐电解渗硼,利用辉光放电光谱仪（GDOES）、扫描电镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）和显微硬度计研究电流密度对渗硼层厚度、成分、组织、相结构及硬度的影响。结果表明：电流密度在50～90 m A/cm2时,渗硼层晶粒随电流密度的增加由粗大变得细小,渗硼层厚度先增大后减小,电流密度为60 m A/cm2时渗硼层厚度最大。渗硼层不含Al,而V则易固溶于硼化物中。渗硼层主要由Ti B和Ti B2组成,在（111）晶面择优生长。渗硼层的显微硬度相对基体硬度提高了5倍。
文摘采用熔盐脉冲电沉积法在纯铌表面渗硅,利用辉光放电光谱仪(GDOES)、扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)分析不同电流密度对渗硅层厚度、成分、组织及相结构的影响,并对渗硅层的抗氧化性进行了研究。结果表明,渗硅层厚度随电流密度的增大而增加,超过100 m A/cm2厚度增加缓慢。渗硅层晶粒随电流密度的增加由粗大变得细小。渗层与基体结合紧密,渗层组织较均匀整齐,致密无孔洞。渗硅层由单相Nb Si2组成,在(110)和(200)晶面上择优生长。Nb Si2渗层提高了纯铌的抗氧化性。
文摘采用熔盐脉冲电沉积方法在纯铌表面制备出渗硅层,对渗层的组织、成分及物相进行了检测,并对渗硅过程中硅的扩散行为进行研究。结果表明,渗硅层晶粒细小,无明显裂纹,均匀整齐,与基体结合紧密。渗硅层由单相Nb Si2组成。渗硅层厚度与沉积时间成抛物线关系,根据二者关系式计算出不同沉积温度下硅的扩散系数,并拟合得出脉冲电沉积时硅在铌基体中的扩散激活能为162 k J/mol。
