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退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性能的影响 被引量：10
1
作者 郭德双 陈子男 +6 位作者 王登魁 唐吉龙 方铉 房丹 林逢源 王新伟 魏志鹏 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期124-128,共5页
研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,结果发现:AZO薄膜在600℃退火后,X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°,晶体质量得到提升;600℃退火后,薄膜的表面粗糙度从未退... 研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,结果发现:AZO薄膜在600℃退火后,X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°,晶体质量得到提升;600℃退火后,薄膜的表面粗糙度从未退火时的0.841 nm降低至0.738 nm;400℃退火后,薄膜的载流子浓度和迁移率均达到最大值,分别为1.9×10^(19) cm^(-3)和4.2 cm^2·V^(-1)·s^(-1),之后随着退火温度进一步升高,载流子浓度和迁移率降低;退火温度由300℃升高到600℃过程中薄膜的吸收边先蓝移后红移。 展开更多
关键词 材料 光学性能 电学性能 铝掺杂氧化锌薄膜 退火 原子层沉积技术
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CdSe量子点修饰ZnO微米线快速响应的紫外光电探测器 被引量：8
2
作者 孙立奇 王登魁 +6 位作者 房丹 方铉 张振中 杨丹 楚学影 李超群 魏志鹏 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第13期35-41,共7页
ZnO由于其优异的光电性能,在紫外光探测领域引起了广泛的关注。采用CdSe量子点修饰ZnO微米线,提高了其响应速度和响应度。ZnO和CdSe之间形成的内置电场加速了光生电子空穴对的分离,显著增加了光电流。同时,ZnO和CdSe形成了II型能带结构... ZnO由于其优异的光电性能,在紫外光探测领域引起了广泛的关注。采用CdSe量子点修饰ZnO微米线,提高了其响应速度和响应度。ZnO和CdSe之间形成的内置电场加速了光生电子空穴对的分离,显著增加了光电流。同时,ZnO和CdSe形成了II型能带结构,加速了载流子输运,使响应时间显著减少。此外,温度相关的电流-电压曲线表明,随着温度的升高,ZnO表面态俘获的载流子从表面陷阱态逃逸,降低了表面态的影响,提高了响应速度。结果显示,CdSe量子点修饰的ZnO微米线光电探测器的上升时间为1.4 s,几乎比ZnO光电探测器小一个数量级。这些优异的光电性能表明,量子点修饰是提高光电探测器性能的重要方法。 展开更多
关键词 材料 光电探测器 氧化锌微米线 CDSE量子点 表面态
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PbSe量子点表面修饰工程与应用研究进展 被引量：1
3
作者 杨丹 王登魁 +5 位作者 方铉 房丹 杨丽 项超 李金华 王晓华 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2023年第15期43-55,共13页
硒化铅胶体量子点(PbSe QDs)因其具有显著的多激子效应、大的激子波尔半径、宽的波长调控范围以及高的荧光量子产率等优异性能,在室温红外光电子器件领域有巨大的应用前景。然而,通过溶液法合成的PbSe QDs存在发光稳定性差和发光效率低... 硒化铅胶体量子点(PbSe QDs)因其具有显著的多激子效应、大的激子波尔半径、宽的波长调控范围以及高的荧光量子产率等优异性能,在室温红外光电子器件领域有巨大的应用前景。然而,通过溶液法合成的PbSe QDs存在发光稳定性差和发光效率低等问题,进一步限制了它的发展,这是由量子点的表面易被氧化与载流子传输性能不佳所导致的。因此,本文围绕PbSe QDs的表面修饰工程对其迁移率、陷阱态、能级移动、发光效率以及稳定性改性方面的影响进行了系统论述,并总结了表面修饰工程在PbSe QDs太阳能电池、发光二极管和光电探测器等领域的应用现状,最后对该工程在光电子器件实际应用中存在的问题以及未来研究重点进行了展望。 展开更多
关键词 光学器件 硒化铅胶体量子点 配体 光致发光 稳定性 光电子器件
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原子层沉积Al_(2)O_(3)钝化对InAs/InGaAsSbⅡ类超晶格发光特性的影响
4
作者 项超 王登魁 +5 位作者 方铉 房丹 闫昊 李金华 王晓华 杜鹏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期85-93,共9页
提出一种基于干法刻蚀与原子层沉积相结合的钝化方法,采用干法刻蚀去除InAs/InGaAsSb超晶格表面及端面固有的氧化层,利用原子层沉积Al_(2)O_(3)薄膜钝化刻蚀表面,对钝化前后光致发光光谱的表征研究其发光性能与长期稳定性。处理后超晶格... 提出一种基于干法刻蚀与原子层沉积相结合的钝化方法,采用干法刻蚀去除InAs/InGaAsSb超晶格表面及端面固有的氧化层,利用原子层沉积Al_(2)O_(3)薄膜钝化刻蚀表面,对钝化前后光致发光光谱的表征研究其发光性能与长期稳定性。处理后超晶格的As 3d谱中As-O键相关的峰消失表明其表面的氧化物被有效去除。样品的发光强度与激发光功率之间的拟合系数α从1.17减小为1.02,表明激子主导的发光占比增加。连续五天的红外光谱测试发现,处理后样品发光强度降低为原来的89%,而未处理样品的发光强度降低为原来的76%,表明处理后超晶格表现出更好发光稳定性。本研究为提升InAs/InGaAsSb超晶格性能、促进其光电探测领域的应用提供参考。 展开更多
关键词 InAs/InGaAsSb超晶格 钝化 Al_(2)O_(3) 原子层沉积 发光特性
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宁南黄土区中庄小流域山杏天然更新对人工调控措施的响应
5
作者 王登魁 安钰 +5 位作者 韩新生 董立国 翟红霞 王力红 韩明哲 贾生舜 《甘肃林业科技》 2024年第3期33-38,共6页
天然更新是森林健康、生态系统动态与平衡、林业可持续发展的重要内容之一。本研究以宁夏南部黄土区主要造林树种山杏人工林天然更新幼苗为例,采用凋落物去除、活地被物去除、1/2垂直冠幅去除、1/2水平冠幅去除4种人工调控措施,分析其... 天然更新是森林健康、生态系统动态与平衡、林业可持续发展的重要内容之一。本研究以宁夏南部黄土区主要造林树种山杏人工林天然更新幼苗为例,采用凋落物去除、活地被物去除、1/2垂直冠幅去除、1/2水平冠幅去除4种人工调控措施,分析其对种子萌发及幼苗生长指标的影响,为最佳人工调控措施的选择提供科学依据。结果表明:(1)4种人工调控措施及对照生长季山杏幼苗株高生长量大小顺序为1/2水平冠幅去除>地被物去除>凋落物去除>1/2垂直冠幅去除>对照,株高生长提高率大小顺序为1/2水平冠幅去除(57.0%)>地被物去除(51.3%)>1/2垂直冠幅去除(45.0%)>凋落物去除(44.7%)>对照(32.7%);(2)生长季地径生长量大小顺序为地被物去除>凋落物去除=1/2垂直冠幅去除>1/2水平冠幅去除>对照,地径生长提高率大小顺序为地被物去除(52.4%)>1/2垂直冠幅去除(34.9%)>凋落物去除(28.8%)>1/2水平冠幅去除(27.4%)>对照(20.2%)。通过仅1年的观测研究,发现4种人工调控措施对山杏人工林天然更新幼苗密度和生长影响较弱,即人工调控效应不明显。 展开更多
关键词 天然更新 幼苗生长 山杏 黄土区
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利用拉曼光谱对毒品的检验及基于R软件的数据分析 被引量：4
6
作者 李开开 苗翠英 王登魁 《光散射学报》 2018年第2期156-162,共7页
本文利用拉曼光谱对不同种类的毒品进行检验,利用拉曼光谱对同分异构体氯胺酮和羟亚胺、同系物合成大麻素JWH-018和JWH-073进行区分,并结合R软件,对成分未知的摇头丸样品中各组分的含量进行分析;并且利用拉曼光谱成像技术,对油汗混合指... 本文利用拉曼光谱对不同种类的毒品进行检验,利用拉曼光谱对同分异构体氯胺酮和羟亚胺、同系物合成大麻素JWH-018和JWH-073进行区分,并结合R软件,对成分未知的摇头丸样品中各组分的含量进行分析;并且利用拉曼光谱成像技术,对油汗混合指纹、护手霜油脂指纹、502熏显指纹上的毒品颗粒进行了检验。实验结果表明,拉曼光谱是分析各类毒品的有效手段,以其快速、无损、无需样品前处理的优势,实现对分子结构相似的样品的区分;结合拉曼光谱成像技术,可以获得毒品颗粒在指纹上的分布情况,在物证的现场检验中有良好的应用前景。 展开更多
关键词 拉曼光谱 拉曼成像 毒品 混合物
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透皮促进剂对水溶性基质制剂脐中穴经皮给药作用研究 被引量：3
7
作者 田明 周忠光 +2 位作者 胡鹏 王登魁 王秀海 《中医药学报》 CAS 2010年第2期94-96,共3页
目的:考察了三种透皮促进剂对水溶性基质制剂脐中穴给药体外释药的影响,为脐中穴经皮给药新制剂适宜性提供参考。方法:制备不同浓度透皮吸收促进剂的水溶性基质制剂,选择小鼠腹部皮肤,采用Franz扩散池进行体外透皮实验,用高效液相色谱... 目的:考察了三种透皮促进剂对水溶性基质制剂脐中穴给药体外释药的影响,为脐中穴经皮给药新制剂适宜性提供参考。方法:制备不同浓度透皮吸收促进剂的水溶性基质制剂,选择小鼠腹部皮肤,采用Franz扩散池进行体外透皮实验,用高效液相色谱法测定接收液中指标成分芍药苷的含量。结果:透皮促进剂氮酮组对甘油明胶贴剂有显著的促透作用,水溶性氮酮3%时促透效果最好;二甲基亚砜促透作用不明显。结论:经皮吸收量与时间呈正相关性;透皮促进剂氮酮组与空白组比较,透过量均有显著性差异(P<0.05);其中水溶性氮酮组高于相应的脂溶性氮酮组。 展开更多
关键词 透皮促进剂 脐中穴经皮给药 体外透皮实验
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铋烯材料生长控制及光电子器件应用研究进展
8
作者 詹燕燕 李冰雪 +7 位作者 闫昊 方铉 王登魁 房丹 楚学影 翟英娇 李金华 王晓华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第2期339-353,共15页
石墨烯和其他二维材料凭借其自身独特的物理和化学性能,引起了科学和工程领域的广泛关注。探索新型二维材料体系并扩展其应用范围是研究人员的热点研究内容。其中,第五主族单元素二维烯(二维磷烯、二维砷烯、二维锑烯、二维铋烯)具有较... 石墨烯和其他二维材料凭借其自身独特的物理和化学性能,引起了科学和工程领域的广泛关注。探索新型二维材料体系并扩展其应用范围是研究人员的热点研究内容。其中,第五主族单元素二维烯(二维磷烯、二维砷烯、二维锑烯、二维铋烯)具有较窄的且可调节的能带宽度、高的载流子迁移率、良好的透光性和优异的光电子学性能,成为二维材料及其在光电子应用领域的新的研究对象。鉴于此方面,从基本物理结构、材料的制备方法和在光电子方面的应用深入分析二维铋烯的相关理论以及实验研究的工作进展。在材料的可控制备方面,重点围绕二维铋烯的电化学剥离法展开相应论述。最后讨论了二维铋烯在光电子学应用领域的现状,包括在超快光电子学器件的应用,并且对二维铋烯未来的发展进行了展望。 展开更多
关键词 铋烯 可控制备方法 电化学剥离法 超快光子学器件的应用
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印文色料的拉曼光谱检验及基于R软件的聚类分析 被引量：4
9
作者 柳彬 赵丽 +2 位作者 江沅龙 王登魁 郝红光 《光散射学报》 北大核心 2017年第2期153-158,共6页
采用激光拉曼光谱技术对10种印文色料进行了测试研究,基于R软件编写测试所需源代码,根据实验所得印文色料的拉曼测量数据,设定不同参数范围后对数据进行聚类分析,从而得到印文色料的分类。与传统方法中根据拉曼特征峰位置进行分类的方... 采用激光拉曼光谱技术对10种印文色料进行了测试研究,基于R软件编写测试所需源代码,根据实验所得印文色料的拉曼测量数据,设定不同参数范围后对数据进行聚类分析,从而得到印文色料的分类。与传统方法中根据拉曼特征峰位置进行分类的方法相比,采用R软件对印文色料进行分析是一种更为准确高效的方法。实践中,可采取两者相结合的方式,提高效率。 展开更多
关键词 拉曼光谱 印泥 印油 聚类分析
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表面硫钝化对GaAs材料光响应特性的影响 被引量：5
10
作者 夏宁 方铉 +8 位作者 容天宇 王登魁 房丹 唐吉龙 王新伟 王晓华 李永峰 姚斌 魏志鹏 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期92-97,共6页
采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度均增大。从能带角度分析了样品性能提升的原因,结果表明,钝化处理有利于表面态密度和肖特基势垒高度的调... 采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度均增大。从能带角度分析了样品性能提升的原因,结果表明,钝化处理有利于表面态密度和肖特基势垒高度的调节,进而提升了样品性能。 展开更多
关键词 薄膜 砷化镓 光致发光 硫钝化 光电流 光响应
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ZnO/ZnS核壳纳米线界面缺陷的形成及发光特性研究 被引量：5
11
作者 赵海霞 方铉 +7 位作者 王颜彬 房丹 李永峰 王登魁 王晓华 楚学影 张晓东 魏志鹏 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期872-879,共8页
ZnO/ZnS核壳纳米结构因具有优异的光电特性,在光电子领域极具应用前景,其依靠核壳结构界面处载流子的束缚效应可更加有效地控制载流子的产生、传输和复合过程。为讨论ZnO/ZnS核壳结构界面状态及其相应的光学特性,生长了不同程度硫粉硫化... ZnO/ZnS核壳纳米结构因具有优异的光电特性,在光电子领域极具应用前景,其依靠核壳结构界面处载流子的束缚效应可更加有效地控制载流子的产生、传输和复合过程。为讨论ZnO/ZnS核壳结构界面状态及其相应的光学特性,生长了不同程度硫粉硫化的ZnO/ZnS核壳纳米线,再利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及光致发光光谱(PL)等测试表征手段,分析并讨论经过不同程度硫粉硫化后的ZnO/ZnS核壳纳米线界面处的结构及其光学性质的变化。通过分析ZnO/ZnS核壳结构形貌发现,ZnS成功包覆ZnO纳米线。随着硫化程度的增加,ZnO核结构被破坏,并在核壳界面处引入缺陷,导致形成具有不同结晶质量的ZnO/ZnS核壳纳米线结构,从而会影响ZnO/ZnS核壳纳米线的光学性质。结果表明,ZnO/ZnS核壳界面处缺陷较少时,对载流子的产生和传输具有一定的束缚作用,可以抑制非辐射复合效应,提高材料光学性能;当界面缺陷增加时,形成的缺陷能级则会降低材料的光学性能。 展开更多
关键词 核壳纳米结构 束缚态能级 界面缺陷 光致发光
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第五次全国经济普查投入产出调查简介
12
作者 王登魁 《中国统计》 2023年第6期45-47,共3页
按照《国务院关于开展第五次全国经济普查的通知》(国发[2022]22号)要求,我国于2023年开展第五次全国经济普查(以下简称“五经普”),并首次将投入产出调查内容纳入经济普查统筹组织实施。统筹开展经济普查与投入产出调查,可以一定程度... 按照《国务院关于开展第五次全国经济普查的通知》(国发[2022]22号)要求,我国于2023年开展第五次全国经济普查(以下简称“五经普”),并首次将投入产出调查内容纳入经济普查统筹组织实施。统筹开展经济普查与投入产出调查,可以一定程度上解决原有投入产出调查中存在的问题,进一步提高统计数据质量。国家统计局在调查组织实施、调查单位管理、调查表式、调查方式及报送方式等方面进行了创新,为统筹开展两项调查提供了制度保障。 展开更多
关键词 投入产出调查 统筹组织 全国经济普查 第五次
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ZnO纳米线表面改性及其光学性质 被引量：4
13
作者 胡颖 李浩林 +6 位作者 王登魁 贾慧民 魏志鹏 王晓华 方铉 房丹 王新伟 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期132-136,共5页
利用Ar^+等离子体处理ZnO纳米线,通过对不同处理时间后的样品进行变温光谱测试,分析了处理前后ZnO发光性质的变化。结果表明:随着处理时间的增加,其室温带边发光强度先增加后减小,处理90 s时是原生样品的2.45倍,位于可见区的缺陷发光得... 利用Ar^+等离子体处理ZnO纳米线,通过对不同处理时间后的样品进行变温光谱测试,分析了处理前后ZnO发光性质的变化。结果表明:随着处理时间的增加,其室温带边发光强度先增加后减小,处理90 s时是原生样品的2.45倍,位于可见区的缺陷发光得到了抑制。通过10 K下发光谱的对比,分析了等离子体作用的机理。当处理时间较短时,Ar^+等离子体可以有效除去ZnO纳米线表面的杂质和缺陷,提高其紫外发光强度;而处理时间较长时,将引入更多的深施主态缺陷,破坏其晶体结构,从而降低其发光性能。 展开更多
关键词 材料 光致发光增强 Ar^+等离子体处理 ZNO纳米线 表面态
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氮钝化对Te掺杂GaSb材料光学性质的影响 被引量：4
14
作者 容天宇 房丹 +5 位作者 谷李彬 方铉 王登魁 唐吉龙 王新伟 王晓华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期57-62,共6页
利用等离子体增强原子层沉积系统,使用氮等离子体对Te掺杂GaSb的表面进行刻蚀,改善样品的发光特性.在室温下(300K),发光强度提高了4倍.在低温光谱测试中,发现了由Te掺杂导致的TeSb施主缺陷相关的发光峰,峰位位置在0.743eV处;此外,带边... 利用等离子体增强原子层沉积系统,使用氮等离子体对Te掺杂GaSb的表面进行刻蚀,改善样品的发光特性.在室温下(300K),发光强度提高了4倍.在低温光谱测试中,发现了由Te掺杂导致的TeSb施主缺陷相关的发光峰,峰位位置在0.743eV处;此外,带边发光峰位随温度变化从0.796eV移动到0.723eV.对比室温和低温光谱,发现当N等离子体刻蚀功率为100 W时,Te掺杂GaSb的最佳刻蚀周期是200周期;并且氮钝化没有改变Te掺杂GaSb的发光机制,只是提高了样品的辐射复合效率. 展开更多
关键词 光致发光 钝化 GASB 等离子体增强原子层沉积 氮等离子体
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GaAs表面处理技术的研究进展及典型应用
15
作者 王东岳 王登魁 魏志鹏 《材料科学》 2023年第5期438-457,共20页
GaAs表面处理技术可以极大程度降低表面氧化物和缺陷对GaAs性能的影响,使其具有更好的光学性质与电学性质,更大的增加了GaAs的应用范围。本文概述了湿法钝化、等离子体钝化、生成表面钝化膜三种表面处理方法的基本原理,综述了表面处理... GaAs表面处理技术可以极大程度降低表面氧化物和缺陷对GaAs性能的影响,使其具有更好的光学性质与电学性质,更大的增加了GaAs的应用范围。本文概述了湿法钝化、等离子体钝化、生成表面钝化膜三种表面处理方法的基本原理,综述了表面处理技术的国内外研究进展及近年来表面处理的具体应用。最后,结合现阶段表面处理方法的发展趋势对GaAs表面处理技术的应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 表面处理 GAAS 湿法钝化 等离子体钝化 表面钝化膜
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有机-无机杂化卤化物钙钛矿材料稳定性及其在光电探测器方面的研究进展(特邀) 被引量：4
16
作者 姚丽娟 方铉 +6 位作者 房丹 高晨皓 刘胜达 李如雪 王登魁 魏志鹏 王晓华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期26-44,共19页
有机-无机杂化钙钛矿材料(CH3NH3PbX3)因其具有载流子迁移率高、直接带隙结构、光电转换效率高等优异的光电性能,在太阳能电池、光电探测器、发光二极管及激光器等光电子领域具有重要应用前景。然而,有机-无机杂化钙钛矿材料的稳定性问... 有机-无机杂化钙钛矿材料(CH3NH3PbX3)因其具有载流子迁移率高、直接带隙结构、光电转换效率高等优异的光电性能,在太阳能电池、光电探测器、发光二极管及激光器等光电子领域具有重要应用前景。然而,有机-无机杂化钙钛矿材料的稳定性问题是现阶段限制其进一步应用的瓶颈。本文首先系统论述子外界环境因素(水氧、温度、光照等)对有机-无机杂化钙钛矿材料稳定性的影响因素与物理机制。其次,总结了目前改善及提高钙钛矿材料稳定性的主要方法和技术途径,如改进合成方法、离子掺杂、器件封装等手段。同时分析了其对基于有机-无机杂化钙钛矿材料光电探测器性能的影响。最后提出了该领域在实际应用中面临的挑战和发展策略。 展开更多
关键词 有机-无机杂化钙钛矿 稳定性 光电探测器 晶体结构 发光特性
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加密资产的分类与带来的挑战
17
作者 李康儒 王登魁 《中国统计》 2023年第4期41-44,共4页
随着数字技术的发展和一些实际需要,加密资产近年来在种类和规模上均快速增长,对经济社会的影响也越来越大。由于加密资产混合了多种传统资产的不同特点,给监管、统计和核算工作都带来了不小的挑战。如何对经济中的加密资产进行科学合... 随着数字技术的发展和一些实际需要,加密资产近年来在种类和规模上均快速增长,对经济社会的影响也越来越大。由于加密资产混合了多种传统资产的不同特点,给监管、统计和核算工作都带来了不小的挑战。如何对经济中的加密资产进行科学合理的统计和核算,成为目前国际上国民经济核算的一个难题。本文将主要围绕加密资产的分类,以及加密资产给当前监管和核算等工作带来的影响和挑战进行讨论。 展开更多
关键词 国民经济核算 加密 核算工作 资产 影响和挑战 监管 经济社会 分类
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GaAs纳米线晶体结构及光学特性 被引量：4
18
作者 王鹏华 唐吉龙 +6 位作者 亢玉彬 方铉 房丹 王登魁 林逢源 王晓华 魏志鹏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期250-256,共7页
采用分子束外延技术在N-型Si (111)衬底上利用自催化生长机制外延砷化镓(GaAs)纳米线,对生长的纳米线进行扫描电子显微镜测试,纳米线垂直度高,长度直径均匀度好.对纳米线进行光致发光(photoluminescence, PL)光谱测试,发现低温10 K下两... 采用分子束外延技术在N-型Si (111)衬底上利用自催化生长机制外延砷化镓(GaAs)纳米线,对生长的纳米线进行扫描电子显微镜测试,纳米线垂直度高,长度直径均匀度好.对纳米线进行光致发光(photoluminescence, PL)光谱测试,发现低温10 K下两个发光峰P1和P2分别位于1.493 eV和1.516 eV,推断可能是纤锌矿/闪锌矿(WZ/ZB)混相结构引起的发光以及激子复合引起的发光;随着温度升高,发现两峰出现红移,并通过Varshni公式拟合得到变温变化曲线.对纳米线进行变功率PL光谱测试,发现P1位置的峰位随功率增加而蓝移,而P2位置的峰位不变.通过拟合发现P1峰位与功率1/3次方成线性相关,判断可能是WZ/ZB混相结构引起的Ⅱ型发光;同时,对P2位置的峰位进行拟合,P2为激子复合发光.对纳米线进行拉曼光谱测试,从光谱图中发现GaAs WZ结构特有的E_2声子峰,因此证明生长出的纳米线为WZ/ZB混相结构,并通过高分辨透射电子显微镜更直观地观察到纳米线的混相结构. 展开更多
关键词 GaAs纳米线 纤锌矿/闪锌矿混相结构 光致发光光谱 拉曼光谱
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生长中断法生长InAs/GaSbⅡ型超晶格材料表面形貌的研究 被引量：4
19
作者 李承林 房丹 +4 位作者 张健 高佳旭 方铉 王登魁 唐吉龙 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期294-298,共5页
利用分子束外延技术,基于控制快门开关顺序的生长中断法,在GaSb衬底上生长了10周期和20周期的InAs(10 monolayer, 10 ML)/GaSb(10 ML)Ⅱ型超晶格材料。实验中,基于软件模拟对生长参数进行调控分析,实现了As-Sb高效的置换,有效地降低了... 利用分子束外延技术,基于控制快门开关顺序的生长中断法,在GaSb衬底上生长了10周期和20周期的InAs(10 monolayer, 10 ML)/GaSb(10 ML)Ⅱ型超晶格材料。实验中,基于软件模拟对生长参数进行调控分析,实现了As-Sb高效的置换,有效地降低了界面的应力。通过双晶X射线衍射和原子力显微镜对超晶格样品表面形貌进行测试和表征,应变分别减少到0.64%和0.56%,均方根粗糙度仅为0.81 nm和0.45 nm,为后续器件的制备提供了基础。 展开更多
关键词 材料 光学材料 超晶格 生长中断法 INAS/GASB 分子束外延
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ITO薄膜表面等离子体共振波长的可控调节 被引量：4
20
作者 蔡昕旸 王新伟 +7 位作者 李如雪 王登魁 方铉 房丹 张玉苹 孙秀平 王晓华 魏志鹏 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第5期330-334,共5页
采用直流磁控溅射的方式,在浮法玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过改变薄膜沉积时间,制备出不同厚度的ITO薄膜。随着膜厚由16nm逐渐增大到271nm,其结晶程度得到增强,对应的载流子浓度由4.79×1020 cm-3增大到2.41×1021 ... 采用直流磁控溅射的方式,在浮法玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过改变薄膜沉积时间,制备出不同厚度的ITO薄膜。随着膜厚由16nm逐渐增大到271nm,其结晶程度得到增强,对应的载流子浓度由4.79×1020 cm-3增大到2.41×1021 cm-3,表面等离子体共振(SPR)波长由1802nm逐渐蓝移到1204nm,实现了近红外区域SPR波长较宽范围的可控调节。采用Drude自由电子气模型,对不同厚度ITO薄膜的SPR波长进行了理论计算,进一步证明了SPR波长的有效调节取决于膜厚对载流子浓度的影响作用。 展开更多
关键词 材料 表面等离子体 氧化铟锡薄膜 薄膜厚度 载流子浓度
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