常压制备SiO_2气凝胶薄膜 被引量：8

1

作者 马建华 孟祥建 +4 位作者 孙兰 王根水 林铁 石富文 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期465-468,共4页

采用溶胶—凝胶工艺在常压下制备了SiO2气凝胶薄膜,并用傅里叶红外光谱仪(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、椭偏光谱仪等表征了薄膜的结构和性能.研究结果表明,气凝胶薄膜的折射率低达1.067,对应孔洞率为87.7%,密度为0.269×103kg·... 采用溶胶—凝胶工艺在常压下制备了SiO2气凝胶薄膜,并用傅里叶红外光谱仪(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、椭偏光谱仪等表征了薄膜的结构和性能.研究结果表明,气凝胶薄膜的折射率低达1.067,对应孔洞率为87.7%,密度为0.269×103kg·m-3,热导率为0.020W·m-1·K-1(300K)时,介电常数为1.52.这些优异性能的获得,主要归因于酸/碱两步催化、溶剂替换以及胶粒表面硅烷化等三个过程. 展开更多

关键词 SIO2气凝胶 制备 薄膜 硅烷化 溶剂 凝胶工艺 压制 椭偏光谱 傅里叶红外光谱 结构和性能

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非制冷红外探测器用热释电陶瓷材料研究进展 被引量：9

2

作者 董显林 毛朝梁 +2 位作者 姚春华 曹菲 王根水 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第1期37-41,共5页

热释电材料是非制冷红外探测器的关键敏感材料之一。介绍了非制冷红外探测器用热释电材料的分类以及国内外研究现状,重点评述了介电模式工作的热释电陶瓷材料的研究进展,并指出了它的发展方向。

关键词 红外探测器 热释电材料 钛酸锶钡陶瓷

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化学溶液法制备的Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜的结构及光学特性研究 被引量：10

3

作者 王根水 赖珍荃 +7 位作者 于剑 孟祥建 孙憬兰 郭少令 褚君浩 金承钰 李刚 路庆华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期37-40,共4页

采用高度稀释的前驱体溶液在LaNiO3 (LNO)薄膜上沉积了Ba0 .9Sr0 .1TiO3 (BST)薄膜 .X 射线衍射分析表明BST薄膜呈高度的 (10 0 )择优取向 .原子力显微镜测量发现制备的BST薄膜具有大的晶粒尺寸 80～ 2 0 0nm .用椭偏光谱仪测量了光子... 采用高度稀释的前驱体溶液在LaNiO3 (LNO)薄膜上沉积了Ba0 .9Sr0 .1TiO3 (BST)薄膜 .X 射线衍射分析表明BST薄膜呈高度的 (10 0 )择优取向 .原子力显微镜测量发现制备的BST薄膜具有大的晶粒尺寸 80～ 2 0 0nm .用椭偏光谱仪测量了光子能量为 0 .7～ 3.4eV范围内BST薄膜的椭偏光谱 ,用Cauchy模型描述BST薄膜的光学性质 ,获得了BST薄膜的光学常数谱和禁带宽度Eg=3.36eV . 展开更多

关键词 化学溶液法 BST薄膜 椭偏光谱 光学常数谱 制备 结构 光学特性 钛酸锶钡化合物 钛电薄膜 Ba0.9Sr0.1TiO3

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压电材料中缺陷偶极子特性的研究进展 被引量：10

4

作者 杜刚 梁瑞虹 +3 位作者 李涛 卢晓蓉 王根水 董显林 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期123-130,共8页

压电材料通过受主掺杂或烧结挥发等可以形成缺陷偶极子,缺陷偶极子对材料的性能有显著的影响。本文综述了压电材料中缺陷偶极子的产生及其在外场下的响应机理,同时,从缺陷偶极子运动的角度分析了压电材料中老化、电滞回线异常及电致形... 压电材料通过受主掺杂或烧结挥发等可以形成缺陷偶极子,缺陷偶极子对材料的性能有显著的影响。本文综述了压电材料中缺陷偶极子的产生及其在外场下的响应机理,同时,从缺陷偶极子运动的角度分析了压电材料中老化、电滞回线异常及电致形状记忆效应等现象的起源,简要分析了偶极子弛豫现象,并对未来发展高可靠性压电驱动器的研究作了展望。 展开更多

关键词 压电材料 缺陷偶极子 束腰电滞回线 对称一致性原理 综述

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溶胶-凝胶法制备的PbTiO_3薄膜的光学性质研究 被引量：5

5

作者 胡志高 王根水 +1 位作者 黄志明 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期175-179,共5页

采用溶胶 凝胶法在石英玻璃衬底上制备出均匀透明的无定形PbTiO3 薄膜 ,并对其光学性质进行了详细的研究 ,发现其折射率的波形符合经典的Cauchy函数 .由半导体理论计算得到无定形PbTiO3 薄膜的光学禁带宽度为 3.84eV .FTIR透射光谱研... 采用溶胶 凝胶法在石英玻璃衬底上制备出均匀透明的无定形PbTiO3 薄膜 ,并对其光学性质进行了详细的研究 ,发现其折射率的波形符合经典的Cauchy函数 .由半导体理论计算得到无定形PbTiO3 薄膜的光学禁带宽度为 3.84eV .FTIR透射光谱研究表明无定形PbTiO3 薄膜在中红外波段没有吸收峰出现 .对于在 5 5 0℃下快速热退火得到的PbTiO3 薄膜 ,通过远红外反射光谱测量 ,观察到了 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 制备 PbTiO3薄膜 光学性质 无定形薄膜 折射率 禁带宽度 钛酸铅薄膜 铁电薄膜

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后退火温度对溅射沉积Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电薄膜结构和性能的影响 被引量：6

6

作者 赖珍荃 李新曦 +3 位作者 俞进 王根水 郭少令 褚君浩 《南昌大学学报（理科版）》 CAS 北大核心 2003年第1期26-28,44,共4页

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-... 在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。 展开更多

关键词 PZT铁电薄膜 薄膜结构 铁电性能 介电性能 后退火温度 射频磁控溅射 Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜

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La掺杂浓度对PLZT薄膜红外光学性质的影响 被引量：4

7

作者 胡志高 石富文 +4 位作者 黄志明 王根水 孟祥建 林铁 褚君浩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期1624-1629,共6页

采用溶胶 凝胶法在Pt Ti SiO2 Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜 .x射线衍射分析表明制备的PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为 2 5— 12 6 μm范围内PLZ... 采用溶胶 凝胶法在Pt Ti SiO2 Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜 .x射线衍射分析表明制备的PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为 2 5— 12 6 μm范围内PLZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PLZT薄膜的红外光学常数 ,同时也拟合获得PLZT薄膜的厚度 .随着La掺杂浓度的增大 ,折射率逐渐减小 .而消光系数除PLZT(4 4 0 6 0 )薄膜外 ,呈现逐渐增大的趋势 .分析表明这些差异主要与PLZT薄膜的结晶性 ,如晶粒尺寸 ,以及颗粒边界、形貌、电子能带结构有关 .通过计算得到PLZT薄膜的吸收系数大于PZT薄膜的吸收系数 .随着La掺杂浓度的增大 ,静态电荷值逐渐减小 .这说明在PLZT中 ,电荷的转移是不完全的 ,它属于离子 共价混合的化合物 . 展开更多

关键词 LA掺杂 掺杂浓度 PLZT薄膜 红外光学性质 镧掺杂 红外椭圆偏振光谱 铁电薄膜

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化学溶液分解法制备LaNiO_3薄膜的研究 被引量：7

8

作者 李亚巍 孟祥建 +4 位作者 于剑 王根水 孙璟兰 褚君浩 张伟风 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期269-272,共4页

采用化学溶液分解法直接在单晶Si(10 0 )衬底上制备了LaNiO3 薄膜 ,研究了不同热处理气氛 (空气和氧气 )对薄膜的结晶性、晶粒尺寸、电阻率以及其上面生长的锆钛酸铅 (PZT)薄膜的影响 .结果发现二种气氛得到的LaNiO3 薄膜的电阻率相差较... 采用化学溶液分解法直接在单晶Si(10 0 )衬底上制备了LaNiO3 薄膜 ,研究了不同热处理气氛 (空气和氧气 )对薄膜的结晶性、晶粒尺寸、电阻率以及其上面生长的锆钛酸铅 (PZT)薄膜的影响 .结果发现二种气氛得到的LaNiO3 薄膜的电阻率相差较大 ,其中在氧气中制备的薄膜电阻率仅为在空气中得到的 1/ 2 .对LaNiO3 薄膜的导电机制进行了讨论 . 展开更多

关键词 化学溶液分解法 镍酸镧薄膜 锆钛酸铅 电阻率 CSD 退火气氛 光电材料

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合成工艺对固相法制备高四方性纯钛酸钡粉体的影响

9

作者 路宇 周斌 +3 位作者 韩冰 赵国祥 陈学锋 王根水 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期22-25,共4页

钛酸钡是一种重要的功能陶瓷材料,因具有优异的电学性能而被广泛应用于多层陶瓷电容器(MLCC)等电子元器件。本研究以碳酸钡和二氧化钛为原料,采用固相法制备形貌均匀且四方性高的BaTiO_(3)粉体,系统研究了合成工艺(合成温度、升温速率... 钛酸钡是一种重要的功能陶瓷材料,因具有优异的电学性能而被广泛应用于多层陶瓷电容器(MLCC)等电子元器件。本研究以碳酸钡和二氧化钛为原料,采用固相法制备形貌均匀且四方性高的BaTiO_(3)粉体,系统研究了合成工艺(合成温度、升温速率和保温时间)对BaTiO_(3)粉体的影响。通过TG/DTA、XRD和SEM等测试手段对BaTiO_(3)粉体进行表征,结果表明:合成温度主要影响BaTiO_(3)粉体的四方性,保温时间和升温速率主要影响BaTiO_(3)粉体的粒径和粒度分布;原材料经过90 r/min球磨24 h后,在合成温度1050℃、升温速率5℃/min和保温时间3 h的条件下,制备了平均粒径为400 nm、四方性(c/a)为1.0091的形貌均匀的BaTiO_(3)粉体。本工作为固相法制备高可靠性MLCC用纯BaTiO_(3)粉体提供了良好的研究思路。 展开更多

关键词 钛酸钡 固相法 合成工艺 高四方性

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锰掺杂对PbZr_(0.5)Ti_(0.5)O_3铁电薄膜电学性能的影响 被引量：3

10

作者 石富文 孟祥键 +5 位作者 王根水 林铁 李亚巍 马建华 孙兰 褚君浩 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期211-214,共4页

采用Sol-gel方法在生长有LNO3的Si(100)衬底上制备了掺Mn的PbZr0.5Ti0.5O3铁电薄膜(PMZT)。PMZT薄膜具有优良的铁电性。在外加电场下观察到了非对称剩余极化翻转行为。这种剩余极化的翻转不对称随着锰掺杂浓度的增加而变大,从而表明极... 采用Sol-gel方法在生长有LNO3的Si(100)衬底上制备了掺Mn的PbZr0.5Ti0.5O3铁电薄膜(PMZT)。PMZT薄膜具有优良的铁电性。在外加电场下观察到了非对称剩余极化翻转行为。这种剩余极化的翻转不对称随着锰掺杂浓度的增加而变大,从而表明极化过程中产生的内建偏压电场是由Mn的掺杂引起的。当薄膜厚度保持不变时候,PMZT薄膜的剩余极化(Pr)和平均矫顽电场(Ec)随着锰掺杂浓度的增大而减小。在低频下,PMZT薄膜的介电常数随着锰的掺杂浓度的增加而减小。瞬时电流随着时间的呈指数衰减,最后到达饱和的稳态值。样品的漏电流密度随着电压的增加而近似地线性增加,显示出欧姆特性。在相同电压下,漏电流密度随着Mn掺杂浓度的增加而增加。 展开更多

关键词 铁电薄膜 剩余极化 介电特性

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晶粒尺寸对Ba_(0.70)Sr_(0.30)TiO_3陶瓷介电性能的影响规律及机理研究 被引量：3

11

作者 毛朝梁 董显林 +5 位作者 王根水 姚春华 曹菲 曹盛 杨丽慧 王永令 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期5784-5789,共6页

通过制备晶粒尺寸处于0.1—10μm之间的致密Ba_(0.70)Sr_(0.30)TiO_3陶瓷,系统研究了晶粒尺寸对居里温度TC、铁电相介电常数εF、峰值介电常数εM的影响规律,并深入分析了其内在的影响机理.研究表明:晶粒尺寸减小时,TC刚开始基本不变,... 通过制备晶粒尺寸处于0.1—10μm之间的致密Ba_(0.70)Sr_(0.30)TiO_3陶瓷,系统研究了晶粒尺寸对居里温度TC、铁电相介电常数εF、峰值介电常数εM的影响规律,并深入分析了其内在的影响机理.研究表明:晶粒尺寸减小时,TC刚开始基本不变,直到晶粒尺寸小到一定程度时才开始降低,此变化规律可由Buesseum的内应力模型解释;随晶粒尺寸的增加,εF先增加后减小,此变化规律可由Shaikh的串并联模型来解释,主要影响因素有内应力、畴、晶界;εM随晶粒尺寸的增加,在晶粒尺寸较小时先增加后减小,晶粒尺寸较大时略有增加,此变化规律可由弥散相变理论和串并联模型共同解释,在晶粒尺寸较小时主要影响因素为内应力、微畴和晶界,晶粒尺寸较大时主要影响因素为晶界. 展开更多

关键词 Ba0.70Sr0.30TiO3 陶瓷 介电常数 居里温度 晶粒尺寸

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溅射沉积功率对PZT薄膜的组分、结构和性能的影响 被引量：3

12

作者 李新曦 赖珍荃 +3 位作者 王根水 孙璟兰 赵强 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期313-316,共4页

用射频 (RF)溅射法在镀LaNiO3 (LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0 .52 Ti0 .48O3 (PZT)铁电薄膜 ,沉积过程中基底温度为 370℃ ,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理 (6 5 0℃ ,5min) .用电感耦合等离子体发射光谱 (ICP ... 用射频 (RF)溅射法在镀LaNiO3 (LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0 .52 Ti0 .48O3 (PZT)铁电薄膜 ,沉积过程中基底温度为 370℃ ,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理 (6 5 0℃ ,5min) .用电感耦合等离子体发射光谱 (ICP AES)测量其组分 ,X射线衍射 (XRD)分析PZT薄膜的结晶结构和取向 ,扫描电子显微镜 (SEM)分析薄膜的表面形貌和微结果 ,RT6 6A标准铁电综合测试系统分析Pt/PZT/LNO电容器的铁电与介电特性 .结果表明 ,PZT薄膜的组分。 展开更多

关键词 射频溅射 沉积功率 钙钛矿结构 铁电薄膜 PZT 扫描电子显微镜分析

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LaNiO_3缓冲层对Pb(Zr,Ti)O_3铁电薄膜的影响 被引量：3

13

作者 王根水 石富文 +3 位作者 孙璟兰 孟祥建 戴宁 褚君浩 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2004年第3期294-298,共5页

采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3(PZT/LNO)多层薄膜。X射线衍射测量表明LNO缓冲层的引入使PZT薄膜(111)择优取向度减小,(100)取向增加。原子力显微镜测量表明引入LNO缓冲层使得PZT薄膜表面更加平整、... 采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3(PZT/LNO)多层薄膜。X射线衍射测量表明LNO缓冲层的引入使PZT薄膜(111)择优取向度减小,(100)取向增加。原子力显微镜测量表明引入LNO缓冲层使得PZT薄膜表面更加平整、致密。在LNO缓冲层上制备的PZT薄膜具有优良的铁电特性和介电特性:LNO缓冲层厚度为40nm时,500kV/cm的外加电场下,剩余极化(Pr)为37.6μC/cm2,矫顽电场(EC)为65kV/cm;100kHz时,介电常数达到822,并且发现LNO缓冲层的厚度为40nm,PZT的铁电、介电特性改进最为显著。 展开更多

关键词 铁电薄膜 剩余极化 介电特性 LANIO3 锆钛酸铅

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溶胶-凝胶法制备掺镧钛酸铅铁电薄膜的研究 被引量：3

14

作者 王根水 赖珍荃 +6 位作者 李晓军 孟祥建 孙璟兰 赵强 林铁 褚君浩 胡钧 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第6期483-485,493,共4页

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了La掺杂的PbTiO3铁电薄膜(PLT),X-射线衍射测量表明PLT薄膜呈高度(100)择优取向,原子力显微镜和扫描电子显微镜测量表明制备的PLT薄膜的表面平整、结构致密。RT66A测量表明PLT薄膜有优良的铁... 采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了La掺杂的PbTiO3铁电薄膜(PLT),X-射线衍射测量表明PLT薄膜呈高度(100)择优取向,原子力显微镜和扫描电子显微镜测量表明制备的PLT薄膜的表面平整、结构致密。RT66A测量表明PLT薄膜有优良的铁电特性,500kV/cm的外加电场下,剩余极化为10.6μC/cm2,矫顽电场为55kV/cm。用HP4194A分析了薄膜的介电特性。100kHz时的介电常数为652。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 PLT薄膜 剩余极化 介电常数

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LaNiO_3/PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_3/LaNiO_3的疲劳特性研究 被引量：1

15

作者 王根水 赵强 +3 位作者 孟祥建 石富文 孙璟兰 褚君浩 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第1期72-75,共4页

采用化学溶液法在Si基衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3异质结构。X-射线衍射测量结果表明,制备的PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3异质结构中PbZr0.4Ti0.6O3薄膜呈高度(100)择优取向;原子力显微镜测量表明制备的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的表面平整... 采用化学溶液法在Si基衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3异质结构。X-射线衍射测量结果表明,制备的PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3异质结构中PbZr0.4Ti0.6O3薄膜呈高度(100)择优取向;原子力显微镜测量表明制备的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的表面平整、均匀、结构致密;RT-66A测量表明,400 kV/cm的外加电场下,LaNiO3/PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3结构具有优良的铁电性,剩余极化强度为14.6μC/cm2,矫顽电场为41 kV/cm。翻转1×108次极化下降小于10%,显示了很好的疲劳特性。并进一步研究了Pb含量对PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的微结构和极化特性的影响。 展开更多

关键词 LaNiO3薄膜 PbZr0.4Ti0.6O3铁电薄膜 异质结构 疲劳特性

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磁控溅射法制备的PZT非晶薄膜光学性质研究 被引量：1

16

作者 胡志高 赖珍荃 +3 位作者 黄志明 王根水 石富文 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期181-184,188,共5页

采用磁控溅射方法在石英玻璃上制备了PbZrxTi1-xO3 (PZT) (x =0 .5 2 )非晶薄膜 ,并测量了 2 0 0～ 110 0nm的紫外 可见 近红外透射光谱 .基于薄膜的结构和多层结构的透射关系 ,发展了仅有 6个拟合参数的光学常数计算模型 .利用该模... 采用磁控溅射方法在石英玻璃上制备了PbZrxTi1-xO3 (PZT) (x =0 .5 2 )非晶薄膜 ,并测量了 2 0 0～ 110 0nm的紫外 可见 近红外透射光谱 .基于薄膜的结构和多层结构的透射关系 ,发展了仅有 6个拟合参数的光学常数计算模型 .利用该模型 ,可以同时获得薄膜在宽波段范围内的光学常数和厚度 ,得到折射率的最大值为 2 .6 8,消光系数的最大值为 0 .5 6 2 ,拟合薄膜厚度为 318.1nm .根据Tauc′s法则 ,得到PZT非晶薄膜的直接禁带宽度为 3.75eV .最后 。 展开更多

关键词 磁控溅射法 PZT非晶薄膜 禁带宽度 折射率 透射率 消光系数

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钛酸铋钠基铁电陶瓷的热释电性能研究进展 被引量：2

17

作者 何爽 郭少波 +1 位作者 姚春华 王根水 《红外》 CAS 2022年第12期1-6,共6页

红外探测技术现已普及多种领域,受到了世界各国的重视。热释电材料作为其核心灵敏元材料之一,已成为近年来电介质物理与材料研究的热点。作为一种典型的铁电材料,钛酸铋钠基陶瓷因其较高的退极化温度与较大的热释电系数受到了广泛的重... 红外探测技术现已普及多种领域,受到了世界各国的重视。热释电材料作为其核心灵敏元材料之一,已成为近年来电介质物理与材料研究的热点。作为一种典型的铁电材料,钛酸铋钠基陶瓷因其较高的退极化温度与较大的热释电系数受到了广泛的重视。总结了钛酸铋钠基热释电陶瓷的研究现状,归纳了在不同组元中增强热释电效应的手段,并进行了性能比较。结果表明,通过单组元受主掺杂可以获得兼具较高退极化温度与较大热释电系数的无铅陶瓷材料。最后对目前存在的一些问题进行了讨论。 展开更多

关键词 红外探测技术 铁电材料 钛酸铋钠基热释电陶瓷

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铁电薄膜材料生长及特性 被引量：3

18

作者 王根水 《红外》 CAS 2001年第5期7-10,共4页

当今高度信息化社会对光电子器件提出了小型、高速、大容量、高集成、多功能等诸多要求.铁电薄膜(ferroelectricthin films)材料具有优良的铁电、压电、热释电、电光、声光、高介电常数和非线性光学光折变等效应,可以单独利用上述效应... 当今高度信息化社会对光电子器件提出了小型、高速、大容量、高集成、多功能等诸多要求.铁电薄膜(ferroelectricthin films)材料具有优良的铁电、压电、热释电、电光、声光、高介电常数和非线性光学光折变等效应,可以单独利用上述效应制作不同的功能器件,也可以综合利用多个效应制作多功能新型光电子器件,广泛地应用于存储器、传感器、光集成、光波导、热释电探测和微机械等领域.薄膜制备技术和半导体集成技术的快速发展,使铁电薄膜材料与半导体材料的集成成为可能,也对铁电薄膜材料的制备技术提出了更高的要求. 展开更多

关键词 铁电薄膜材料 生长 特性

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Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)超薄铁电薄膜的光学性质研究 被引量：2

19

作者 胡志高 王根水 +3 位作者 黄志明 孟祥建 石富文 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期256-260,共5页

采用化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了厚度小于 10 0nm的Bi3 .2 5La0 .75Ti3 O12 (BLT)铁电薄膜 ,测量了光子能量为 2～ 4 .5eV的紫外可见椭圆偏振光谱 .根据经典的电介质光学色散关系和五相结构模型 ,拟合获得薄膜在透明区... 采用化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了厚度小于 10 0nm的Bi3 .2 5La0 .75Ti3 O12 (BLT)铁电薄膜 ,测量了光子能量为 2～ 4 .5eV的紫外可见椭圆偏振光谱 .根据经典的电介质光学色散关系和五相结构模型 ,拟合获得薄膜在透明区和吸收区的光学常数、表面粗糙度、薄膜与衬底界面层以及BLT薄膜的厚度 .薄膜在透明区的折射率色散关系可以通过单电子Sellmeier模型成功地进行解释 .最后 ,根据Tauc′s法则 ,得到Bi3 .2 5La0 .75Ti3 O12 薄膜的直接禁带宽度为 3.96eV . 展开更多

关键词 椭偏光谱 光学常数 光电材料 禁带宽度 化学溶液沉积法 铁电薄膜 光子能量 光学色散关系 表面粗糙度

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多孔PZT95/5铁电陶瓷材料研究进展 被引量：2

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作者 聂恒昌 王永龄 +2 位作者 贺红亮 王根水 董显林 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期153-161,共9页

基于铁电材料冲击波去极化效应的高功率脉冲电源在国防和高新技术领域具有重要应用。PZT95/5铁电陶瓷是目前铁电体高功率脉冲电源应用的理想材料。近年来,多孔PZT95/5铁电陶瓷被发现具有更优异的综合性能而引起广泛关注。本文概述了多孔... 基于铁电材料冲击波去极化效应的高功率脉冲电源在国防和高新技术领域具有重要应用。PZT95/5铁电陶瓷是目前铁电体高功率脉冲电源应用的理想材料。近年来,多孔PZT95/5铁电陶瓷被发现具有更优异的综合性能而引起广泛关注。本文概述了多孔PZT95/5铁电陶瓷在微结构与性能调控、冲击波加载下的响应行为以及抗冲击损伤机制等方面的最新进展。研究发现,具有合适气孔率和气孔分布的多孔PZT95/5铁电陶瓷具有优异的抗冲击损伤和耐电击穿性能;多孔脆性材料中破碎介质的"滑移与转动"变形机制增强了材料的塑性变形,从而提高了多孔材料的抗冲击损伤性能。最后,简要介绍了BNT基无铅铁电陶瓷以及PIN-PMN铁电单晶在高功率脉冲电源方面应用的研究进展,并对未来研究工作提出展望。 展开更多

关键词 铁电材料 PZT95/5 多孔材料 冲击波 电机械性能 综述

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