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热丝化学气相沉积纳米金刚石修复损伤PCD刀具的研究 被引量:3
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作者 许青波 王传新 +2 位作者 王涛 代凯 王振 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期390-395,共6页
利用热丝化学气相沉积装置,以聚晶金刚石片为衬底,在氢气/丙酮/氩气反应体系中研究了衬底温度对纳米金刚石生长的影响。采用扫描电子显微镜对生长结果进行了表征,结果表明在衬底温度950℃的情况下,金刚石薄膜表面结构呈"菜花"... 利用热丝化学气相沉积装置,以聚晶金刚石片为衬底,在氢气/丙酮/氩气反应体系中研究了衬底温度对纳米金刚石生长的影响。采用扫描电子显微镜对生长结果进行了表征,结果表明在衬底温度950℃的情况下,金刚石薄膜表面结构呈"菜花"状,致密性较差,生长速率为4.44μm/h。随着温度当衬底温度的降低,"菜花"状结构逐渐消失,致密性提高,生长速率降低。当衬底温度下降到750℃时,"菜花"状结构完全消失,生长速率为3.43μm/h。根据实验结果对损伤长度从几微米到几十微米的聚晶金刚石铣刀刃口进行了修复,并采用扫描电子显微镜进行了表征,结果显示修复后表面光洁度有明显改善。对钛合金片表现为良好的加工效果。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 金刚石 纳米 修复
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气体流动方式对MPCVD金刚石薄膜均匀性的影响 被引量:3
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作者 王斌 汪建华 +3 位作者 翁俊 刘繁 王振 王蒙 《真空与低温》 2020年第2期108-113,共6页
在实验室自主研制的10 kW微波等离子体化学气相沉积装置上,通过改变气体的进出方式,探讨了气体流动方式对金刚石膜均匀性和质量的影响。结果表明:随着Si基片表面气体分子数增多,等离子体中的H原子和CH活性基团强度增强,扩散到基片表面... 在实验室自主研制的10 kW微波等离子体化学气相沉积装置上,通过改变气体的进出方式,探讨了气体流动方式对金刚石膜均匀性和质量的影响。结果表明:随着Si基片表面气体分子数增多,等离子体中的H原子和CH活性基团强度增强,扩散到基片表面中心的原子H和含碳活性基团增多,基片中心区域的金刚石膜生长速率略微有所提升,由原来的2.5μm/h提高到2.8μm/h,沉积得到的金刚石膜质量和均匀性均得到改善。 展开更多
关键词 微波等离子体 气体流场 等离子体发射光谱 金刚石薄膜
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氮气对纳米金刚石膜的生长结构及晶界处H含量的影响
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作者 王振 翁俊 +1 位作者 汪建华 刘繁 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期39-46,共8页
采用MPCVD技术,研究了CO2-CH4-N2体系中N2对纳米金刚石膜生长状态及晶界处H含量的影响。利用SEM,XRD,Raman,FTIR及TEM对纳米金刚石膜的形貌、结构和质量进行研究,并利用Raman及FTIR对晶界处H的含量进行计算分析。结果表明,N2流量的增加... 采用MPCVD技术,研究了CO2-CH4-N2体系中N2对纳米金刚石膜生长状态及晶界处H含量的影响。利用SEM,XRD,Raman,FTIR及TEM对纳米金刚石膜的形貌、结构和质量进行研究,并利用Raman及FTIR对晶界处H的含量进行计算分析。结果表明,N2流量的增加会在促使纳米金刚石膜的晶粒团聚体从球状逐渐转变为针状的同时减小晶粒尺寸,并使择优取向由<111>转变为<110>。随着N2流量的增加,纳米金刚石膜的质量也随之降低,但晶界处的H含量逐渐上升。具有针状晶粒团聚体的纳米金刚石膜具有明显的金刚石相和晶体石墨相。N2流量的增加不仅可以有效降低纳米金刚石膜的晶粒尺寸,改变晶粒的团聚形态及择优取向,还可以显著增加晶界处H的含量,促进石墨相的生成。 展开更多
关键词 纳米金刚石膜 微波等离子体 生长结构 晶界
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