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极化效应对AlGaN/GaN异质结p-i-n光探测器的影响
1
作者
刘红侠
高博
+1 位作者
卓青青
王勇
淮
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期452-458,共7页
基于等效薄层电荷近似模拟表征极化电荷的作用,通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程以及求解载流子连续性方程,计算并且讨论了p-AlGaN层掺杂浓度和界面极化电荷对AlGaN/GaN异质结p-i-n紫外探测器能带结构和电场分布以及光电响应的影响...
基于等效薄层电荷近似模拟表征极化电荷的作用,通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程以及求解载流子连续性方程,计算并且讨论了p-AlGaN层掺杂浓度和界面极化电荷对AlGaN/GaN异质结p-i-n紫外探测器能带结构和电场分布以及光电响应的影响.结果表明,极化效应与p-AlGaN层掺杂浓度相互作用对探测器性能有较大影响.其中,在完全极化条件下,p-AlGaN层掺杂浓度越大,p-AlGaN层的耗尽区越窄,i-GaN层越容易被耗尽,器件光电流越小.在一定掺杂浓度条件下,极化效应越强,p-AlGaN层的耗尽区越宽,器件的光电流越大.最后还分析了该结构在不同温度下的探测性能,证明了该结构可以在高温下正常工作.
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关键词
ALGAN/GAN异质结
光探测器
p-i-n结构
极化效应
原文传递
AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模
2
作者
刘红侠
卢风铭
+2 位作者
王勇
淮
宋大建
武毅
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期147-151,共5页
为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、...
为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、基带能级、费米能级和势阱随Al组分及AlGaN层厚度的改变.与泊松-薛定谔自洽求解结果相比较,此模型能够给出精确的结论,并避免了泊松-薛定谔自洽求解复杂的数值计算和耗时长等缺点.
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关键词
AlxGa1-xN/GaN异质结
二维电子气
多子带模型
能级分布
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职称材料
题名
极化效应对AlGaN/GaN异质结p-i-n光探测器的影响
1
作者
刘红侠
高博
卓青青
王勇
淮
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期452-458,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:61076097,60976068)
教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(批准号:708083)
微电子预研资助项目(批准号:513080401)资助的课题~~
文摘
基于等效薄层电荷近似模拟表征极化电荷的作用,通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程以及求解载流子连续性方程,计算并且讨论了p-AlGaN层掺杂浓度和界面极化电荷对AlGaN/GaN异质结p-i-n紫外探测器能带结构和电场分布以及光电响应的影响.结果表明,极化效应与p-AlGaN层掺杂浓度相互作用对探测器性能有较大影响.其中,在完全极化条件下,p-AlGaN层掺杂浓度越大,p-AlGaN层的耗尽区越窄,i-GaN层越容易被耗尽,器件光电流越小.在一定掺杂浓度条件下,极化效应越强,p-AlGaN层的耗尽区越宽,器件的光电流越大.最后还分析了该结构在不同温度下的探测性能,证明了该结构可以在高温下正常工作.
关键词
ALGAN/GAN异质结
光探测器
p-i-n结构
极化效应
Keywords
AlGaN/GaN heterojunction, photodetectors, p-i-n structure, polarization effect
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模
2
作者
刘红侠
卢风铭
王勇
淮
宋大建
武毅
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期147-151,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60976068
61076097)
+1 种基金
教育部科技创新工程重大项目培育基金资助项目(708083)
十二五国家部委预研资助项目(513080401)
文摘
为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、基带能级、费米能级和势阱随Al组分及AlGaN层厚度的改变.与泊松-薛定谔自洽求解结果相比较,此模型能够给出精确的结论,并避免了泊松-薛定谔自洽求解复杂的数值计算和耗时长等缺点.
关键词
AlxGa1-xN/GaN异质结
二维电子气
多子带模型
能级分布
Keywords
AlGaN/GaN heterostructure
two-dimensional electron gas
multiple sub-bands model
distribution of energy level
分类号
TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
极化效应对AlGaN/GaN异质结p-i-n光探测器的影响
刘红侠
高博
卓青青
王勇
淮
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
原文传递
2
AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模
刘红侠
卢风铭
王勇
淮
宋大建
武毅
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
下载PDF
职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
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