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力学结构及末级压砧硬度对八面体压腔高压发生效率的影响 被引量：4
1
作者 管俊伟 贺端威 +5 位作者 王海阔 彭放 许超 王文丹 王凯雪 贺凯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期93-99,共7页
针对大腔体静高压装置中的多级八面体压腔,分析了两种不同加载结构的力的传递,建立了高压发生效率的力学关系.室温下,采用定点标压法(Bi,ZnTe,ZnS,GaAs)分别标定了14/8,12/6和10/4三种二级6-8型大腔体静高压组装的腔体压力,定量地讨论... 针对大腔体静高压装置中的多级八面体压腔,分析了两种不同加载结构的力的传递,建立了高压发生效率的力学关系.室温下,采用定点标压法(Bi,ZnTe,ZnS,GaAs)分别标定了14/8,12/6和10/4三种二级6-8型大腔体静高压组装的腔体压力,定量地讨论了力学结构和末级压砧硬度对八面体压腔高压发生效率的影响.实验结果表明,力学结构和末级压砧硬度都是影响高压发生效率的重要因素,且力学结构对高压发生效率的影响更大.其中,腔体的几何结构越大,高压发生效率越高;6-8型加载结构的高压发生效率高于2-6-8型加载结构;在八面体压腔内的压力接近末级压砧的维氏硬度时,末级压砧硬度越大,高压发生效率越高,所能获得的腔体压力越大. 展开更多
关键词 力学结构 加载结构 高压发生效率
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9V GaN基高压LED芯片桥接电极的设计与制备
2
作者 马介渊 周婷 +1 位作者 殷榆婷 王凯雪 《现代信息科技》 2018年第2期52-53,55,共3页
本文提出的方案以不引起SiO2保护层侧壁的桥接电极发生断裂为前提,通过调整芯粒单元间深隔离槽保护层的厚度,来找到恰当的保护层厚度和桥接电极厚度组合,以确保芯片的桥接电极可靠并且不漏电。基于此,制备可应用于0.2~0.3W照明的9V HV ... 本文提出的方案以不引起SiO2保护层侧壁的桥接电极发生断裂为前提,通过调整芯粒单元间深隔离槽保护层的厚度,来找到恰当的保护层厚度和桥接电极厚度组合,以确保芯片的桥接电极可靠并且不漏电。基于此,制备可应用于0.2~0.3W照明的9V HV LED芯片,并用微电流和工作电流检验芯片各单元的发光均匀性,以及验证桥接电极电气连接的可靠性。最后,将芯片封装成白光灯珠,并测量其光通量。 展开更多
关键词 高压LED 保护层 桥接电极
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