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过冷度对重掺B直拉Si单晶中小角晶界的影响
被引量：
3
1
作者
王飞尧
孙新利
+2 位作者
饶伟星
何国君
王伟
棱
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期373-377,392,共6页
小角晶界是Si单晶中的严重缺陷,生产中需要极力避免。对于重掺B直拉<111>Si单晶,当掺杂浓度接近固溶度时就容易产生小角晶界。对直拉Si单晶中小角晶界产生的原因进行梳理及深入分析,在理论上提出减少过冷度来减少小角晶界缺陷的...
小角晶界是Si单晶中的严重缺陷,生产中需要极力避免。对于重掺B直拉<111>Si单晶,当掺杂浓度接近固溶度时就容易产生小角晶界。对直拉Si单晶中小角晶界产生的原因进行梳理及深入分析,在理论上提出减少过冷度来减少小角晶界缺陷的方法。分别采用增加加热器功率减小过冷度及降低埚位减少过冷度的两种工艺方法,成功实现生长无小角晶界重掺B<111>Si单晶。通过生产中实际晶体生长情况对比分析发现,低埚位生长无小角晶界的重掺B直拉<111>Si单晶工艺更具备生产优势。
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关键词
小角晶界
过冷度
硅单晶
重掺硼
掺杂浓度
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职称材料
题名
过冷度对重掺B直拉Si单晶中小角晶界的影响
被引量：
3
1
作者
王飞尧
孙新利
饶伟星
何国君
王伟
棱
机构
杭州海纳半导体有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期373-377,392,共6页
文摘
小角晶界是Si单晶中的严重缺陷,生产中需要极力避免。对于重掺B直拉<111>Si单晶,当掺杂浓度接近固溶度时就容易产生小角晶界。对直拉Si单晶中小角晶界产生的原因进行梳理及深入分析,在理论上提出减少过冷度来减少小角晶界缺陷的方法。分别采用增加加热器功率减小过冷度及降低埚位减少过冷度的两种工艺方法,成功实现生长无小角晶界重掺B<111>Si单晶。通过生产中实际晶体生长情况对比分析发现,低埚位生长无小角晶界的重掺B直拉<111>Si单晶工艺更具备生产优势。
关键词
小角晶界
过冷度
硅单晶
重掺硼
掺杂浓度
Keywords
low-angle grain boundary
undercooling
czochralski silicon
heavily boron doped
doping concentration
分类号
TN304.053 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
过冷度对重掺B直拉Si单晶中小角晶界的影响
王飞尧
孙新利
饶伟星
何国君
王伟
棱
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
3
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职称材料
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