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高能效宽电压工作标准单元库分析与优化
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作者 王京睿 李翔宇 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2016年第8期72-75,共4页
研究了剔除大扇入逻辑门对于高电源电压下的电路指标的影响,证实这一方法对电路在高电压下的性能和功耗没有明显的负面影响,主要影响是在一定程度上增大电路的面积.分别对32nm标准单元库中的异步置位复位D触发器单元和电平移位器单元进... 研究了剔除大扇入逻辑门对于高电源电压下的电路指标的影响,证实这一方法对电路在高电压下的性能和功耗没有明显的负面影响,主要影响是在一定程度上增大电路的面积.分别对32nm标准单元库中的异步置位复位D触发器单元和电平移位器单元进行了电路优化,使得它们在低电压下的延时分别减少了14.6%和19.9%,解决了电源电压降至近阈值时性能恶化过于严重的问题. 展开更多
关键词 能量效率 近阈值 宽电压工作 大扇入逻辑门 D触发器 电平移位器
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