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半导体用特种气体的处理方法——干法处理装置 被引量：2
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作者 猪口尚 伊滕文夫 刘懋才 《低温与特气》 CAS 1988年第1期22-26,共5页
在硅半导体生产中，作为单晶硅、氮化膜、氧化膜气相成长用气；作为硅铝膜蚀刻用气，需消耗多种氢化物(如甲硅烷、砷烷、磷烷)和卤化物(如三氯化硼、三氟化硼、氯化氢)。作为光电管和高速管用而大有希望的Ⅲ-V族半导体的生产过程中，同... 在硅半导体生产中，作为单晶硅、氮化膜、氧化膜气相成长用气；作为硅铝膜蚀刻用气，需消耗多种氢化物(如甲硅烷、砷烷、磷烷)和卤化物(如三氯化硼、三氟化硼、氯化氢)。作为光电管和高速管用而大有希望的Ⅲ-V族半导体的生产过程中，同样消耗这类气体。 展开更多
关键词 处理装置 处理方法 特种气体 Ⅲ-V族半导体 干法 半导体生产 三氯化硼 三氟化硼 生产过程 单晶硅 氮化膜 氧化膜 甲硅烷 氢化物 卤化物 氯化氢 光电管 用气 消耗 气相 铝膜 砷烷
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