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Co/PbTe(111)界面X光电子能谱研究
1
作者 姚育鹏 唐曙锋 +6 位作者 潘媛媛 郑双羽 李培泽 王舒凯 蔡梦婷 牛逸潇 吴海飞 《绍兴文理学院学报》 2020年第8期73-77,共5页
磁性材料可在无磁场条件下实现对非磁性半导体的自旋注入,实现电子学、光子学和磁学三者的最终融合,从而提升现有器件的功能.首先利用分子束外延技术在新鲜解离的BaF 2(111)表面制备高质量的以Pb为截止面的PbTe(111)薄膜,在此基础上,进... 磁性材料可在无磁场条件下实现对非磁性半导体的自旋注入,实现电子学、光子学和磁学三者的最终融合,从而提升现有器件的功能.首先利用分子束外延技术在新鲜解离的BaF 2(111)表面制备高质量的以Pb为截止面的PbTe(111)薄膜,在此基础上,进行磁性金属Co的沉积,结果表明Co在PbTe(111)薄膜表面沉积的初始阶段(θ≤0.35 ML),Co原子向PbTe(111)薄膜内部发生扩散,以间隙位的方式形成PbCoTe合金;当Co沉积厚度θ>0.35 ML时,Co原子在PbTe(111)薄膜表面以金属Co团簇的方式成核生长. 展开更多
关键词 Co/PbTe 异质结 分子束外延 X光电子能谱
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SnSex薄膜中SnSe与SnSe2两相调控机理研究
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作者 陈娜 牛逸潇 +5 位作者 唐家豪 张凯凯 陈俏宇 朱希 唐曙锋 潘媛媛 《现代物理》 2019年第1期48-53,共6页
本论文利用分子束外延技术在BaF2 (111)衬底上制备了SnSex薄膜,并利用拉曼光谱和X光电子能谱(XPS)对SnSex薄膜中SnSe、SnSe2两组分的调控机理进行了系统研究,研究结果表明当锡硒原子比率Sn/Se ≈ 1时,以250℃和300℃衬底温度制备的SnSe... 本论文利用分子束外延技术在BaF2 (111)衬底上制备了SnSex薄膜,并利用拉曼光谱和X光电子能谱(XPS)对SnSex薄膜中SnSe、SnSe2两组分的调控机理进行了系统研究,研究结果表明当锡硒原子比率Sn/Se ≈ 1时,以250℃和300℃衬底温度制备的SnSex薄膜均存在SnSe和SnSe2两种组分,提高衬底温度将有利于薄膜中SnSe的形成,当衬底温度由250℃提高到300℃时,XPS中与SnSe、SnSe2相对应的Sn 3d5/2组分峰的强度比ISnSe/SnSe2由0.23提高到了0.54。进一步的研究结果表明,与提高衬底温度相比,通过增大生长过程中锡硒原子比率可更有效地提升薄膜中SnSe的比例,XPS数据显示当锡硒原子比率由Sn/Se ≈ 1提高到Sn/Se ≈ 1.02时,与SnSe、SnSe2相对应的Sn 3d5/2组分峰的强度比ISnSe/SnSe2由0.23提高到了2.38。本论文的研究将为今后纯SnSe相的可控制备提供理论依据。 展开更多
关键词 SnSe SnSe2 X射线光电子能谱 拉曼光谱 分子束外延
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Te/Pb0.985Mn0.015Te异质结生长行为研究
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作者 唐曙锋 潘媛媛 +8 位作者 王子龙 周佩聪 牛逸潇 郑双羽 姚育鹏 王舒凯 吴青书 严正博 吴海飞 《材料科学》 CAS 2020年第11期916-920,共5页
研究金属与PbMnTe薄膜界面的形成机理及结构特性对PbMnTe功能器件的应用具有重要的意义。本文利用分子束外延在BaF22(111)基底上制备了高质量Pb0.985Mn0.015Te单晶薄膜,在此基础上,系统研究了Te在Pb0.985Mn0.015Te单晶薄膜表面的生长行... 研究金属与PbMnTe薄膜界面的形成机理及结构特性对PbMnTe功能器件的应用具有重要的意义。本文利用分子束外延在BaF22(111)基底上制备了高质量Pb0.985Mn0.015Te单晶薄膜,在此基础上,系统研究了Te在Pb0.985Mn0.015Te单晶薄膜表面的生长行为。结果表明当在Pb0.985Mn0.015Te薄膜表面沉积一层Te时,Te将会跟最表面的Pb结合形成原子层平整度表面;当沉积的Te薄膜厚度大于1 ML时,Te在Pb0.985Mn0.015Te薄膜螺旋台阶边缘成核形成Te团簇,随着沉积厚度的增加,这些Te团簇不断长大,之后相互融合形成绕着台阶线盘旋的连续的螺旋线状Te岛。 展开更多
关键词 分子束外延 薄膜 异质结 PbMnTe
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