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题名一种X波段低附加相位的6位单片数控衰减器
被引量：5
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作者
刘凡
熊翼通
刘志伟
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机构
电子科技大学
中国电子科技集团公司第二十四研究所
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期232-236,共5页
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文摘
提出了一种X波段低附加相位的6位单片数控衰减器。采用一种改进型开关T型衰减网络,实现了2dB与4dB的衰减位。网络在整个带宽内具有良好的附加相位特性。其他各衰减位采用了基于传输线的相位补偿结构。该6位单片数控衰减器基于0.25μm GaAs工艺进行流片与验证,芯片面积为(2.2×1.4)mm^2。测试结果表明,在整个带宽内,该数控衰减器的插损小于4.1dB,输入输出回波损耗小于-10.7dB,RMS幅度误差小于0.26dB,RMS相位误差小于2.4°。
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关键词
数控衰减器
低附加相位
微波IC
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Keywords
digital controlled attenuator
low insertion phase
MMIC
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN304.23
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题名基于HBT工艺的低三阶交调失真射频放大器优化设计
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作者
熊翼通
喻阳
蒲颜
张峪铭
王国强
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机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
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出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2023年第2期255-260,共6页
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文摘
针对宽带大信号容量无线系统对低三阶交调失真射频放大器的迫切需求,从放大器偏置点优化和片上散热优化两个方面研究了基于HBT工艺的低三阶交调失真射频放大器优化设计方法。分析了达林顿复合结构射频放大器交调特性与直流偏置点的关系,给出了放大器最佳三阶交调直流偏置点。提出了一种优化散热的输出级分散布局电路结构,减小了片上温升带来的三阶交调性能恶化。应用提出的优化设计理论方法,基于2μm AlGaAs/GaAs HBT工艺,设计了一款工作于0.05~1 GHz的低三阶交调失真射频放大器。测试结果表明,该放大器实现了42.1 dBm的输出三阶交调点,三阶交调与1 dB压缩点之比达到了21.2 dB。
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关键词
HBT
射频放大器
三阶交调
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Keywords
HBT
RF amplifier
3rd order intercept point
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分类号
TN431
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722
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