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集成电路封装的三维热模拟与分析
被引量:
7
1
作者
杨邦朝
熊
流
锋
+1 位作者
杜晓松
蒋明
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期67-69,共3页
以有限元方法为基础的计算机模拟技术在集成电路封装热设计中是一种重要的热模拟和分析工具。本文运用有限元方法对多热源条件下集成电路封装的热场进行了模拟和分析。模拟结果与测量值非常接近,证实了模拟方法的有效性。模拟结果表明...
以有限元方法为基础的计算机模拟技术在集成电路封装热设计中是一种重要的热模拟和分析工具。本文运用有限元方法对多热源条件下集成电路封装的热场进行了模拟和分析。模拟结果与测量值非常接近,证实了模拟方法的有效性。模拟结果表明:在本模拟条件下,由芯片到封装外壳底面的热通路为散热的主要通道,其它表面的对流条件对热场分布影响不大。
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关键词
有限元
集成电路封装
热模拟
热分析
下载PDF
职称材料
MCM低温共烧多层陶瓷布线基板热应力的模拟与分析
被引量:
5
2
作者
杨邦朝
熊
流
锋
+1 位作者
杜晓松
蒋明
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期93-95,共3页
对MCM低温共烧多层布线陶瓷基板的两种典型布线模式在温度急剧变化条件下的应力场进行了计算机模拟,并分析了两种模型下的应力分布特点及差异。
关键词
MCM低温共烧多层布线陶瓷基板
应力场
计算机模拟
有限元
下载PDF
职称材料
工艺参数对反应烧结碳化硅导电性的影响
被引量:
3
3
作者
吕振林
熊
流
锋
+2 位作者
黄清伟
高积强
金志浩
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第12期70-72,80,共4页
对碳化硅颗粒尺寸、工艺参数与反应烧结碳化硅导电性的关系进行了研究.试验结果表明:随着碳化硅颗粒尺寸的减小,生坯成型压力增加,烧结气氛压力增大,碳化硅电阻率也增大,且烧结温度对电阻率的影响不大.同时,对不同烧结工艺下显...
对碳化硅颗粒尺寸、工艺参数与反应烧结碳化硅导电性的关系进行了研究.试验结果表明:随着碳化硅颗粒尺寸的减小,生坯成型压力增加,烧结气氛压力增大,碳化硅电阻率也增大,且烧结温度对电阻率的影响不大.同时,对不同烧结工艺下显微组织与电阻率的关系进行了分析讨论.
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关键词
碳化硅
反应烧结
导电性
工艺参数
陶瓷
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职称材料
题名
集成电路封装的三维热模拟与分析
被引量:
7
1
作者
杨邦朝
熊
流
锋
杜晓松
蒋明
机构
电子科技大学信息材料学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期67-69,共3页
文摘
以有限元方法为基础的计算机模拟技术在集成电路封装热设计中是一种重要的热模拟和分析工具。本文运用有限元方法对多热源条件下集成电路封装的热场进行了模拟和分析。模拟结果与测量值非常接近,证实了模拟方法的有效性。模拟结果表明:在本模拟条件下,由芯片到封装外壳底面的热通路为散热的主要通道,其它表面的对流条件对热场分布影响不大。
关键词
有限元
集成电路封装
热模拟
热分析
Keywords
finite element method
microelectronic packages
thermal simulation and analysis
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
MCM低温共烧多层陶瓷布线基板热应力的模拟与分析
被引量:
5
2
作者
杨邦朝
熊
流
锋
杜晓松
蒋明
机构
电子科技大学信息材料学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期93-95,共3页
文摘
对MCM低温共烧多层布线陶瓷基板的两种典型布线模式在温度急剧变化条件下的应力场进行了计算机模拟,并分析了两种模型下的应力分布特点及差异。
关键词
MCM低温共烧多层布线陶瓷基板
应力场
计算机模拟
有限元
Keywords
low temperature co-fired ceramic substrate MCM
stress distribution
computer simulation
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP391.9 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
工艺参数对反应烧结碳化硅导电性的影响
被引量:
3
3
作者
吕振林
熊
流
锋
黄清伟
高积强
金志浩
机构
西安交通大学
出处
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第12期70-72,80,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
对碳化硅颗粒尺寸、工艺参数与反应烧结碳化硅导电性的关系进行了研究.试验结果表明:随着碳化硅颗粒尺寸的减小,生坯成型压力增加,烧结气氛压力增大,碳化硅电阻率也增大,且烧结温度对电阻率的影响不大.同时,对不同烧结工艺下显微组织与电阻率的关系进行了分析讨论.
关键词
碳化硅
反应烧结
导电性
工艺参数
陶瓷
Keywords
silicon carbide reaction sintering conductivity
分类号
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
集成电路封装的三维热模拟与分析
杨邦朝
熊
流
锋
杜晓松
蒋明
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
7
下载PDF
职称材料
2
MCM低温共烧多层陶瓷布线基板热应力的模拟与分析
杨邦朝
熊
流
锋
杜晓松
蒋明
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
5
下载PDF
职称材料
3
工艺参数对反应烧结碳化硅导电性的影响
吕振林
熊
流
锋
黄清伟
高积强
金志浩
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
3
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职称材料
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