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高可靠数字集成电路的BiCMOS工艺设计
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作者 刘云洁 蒲耀川 +3 位作者 王轶军 李文军 潘照霞 任雄 《集成电路应用》 2023年第10期36-37,共2页
阐述一种基于5V BiCMOS高可靠数字集成电路的器件结构、工艺设计和工艺开发,并对该器件的电参数进行测试,与试验仿真值进行比对分析,结果相符合。
关键词 集成电路制造 BICMOS 器件结构 工艺设计
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气相压力对CO_(2)/H_(2)O气液两相泡状流中20#钢初期腐蚀行为的影响
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作者 杨贵荣 宋文明 +2 位作者 潘照霞 马颖 郝远 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第24期198-203,共6页
在气液两相流条件下,为研究CO_(2)压力对20#钢初期腐蚀行为的影响,采用气液两相流的动态腐蚀平台,通过失重法、SEM、EDS、XRD等系统研究了20#钢在不同CO_(2)压力下的腐蚀速率、腐蚀形貌及产物。结果表明:在不同腐蚀时间下,腐蚀速率均随C... 在气液两相流条件下,为研究CO_(2)压力对20#钢初期腐蚀行为的影响,采用气液两相流的动态腐蚀平台,通过失重法、SEM、EDS、XRD等系统研究了20#钢在不同CO_(2)压力下的腐蚀速率、腐蚀形貌及产物。结果表明:在不同腐蚀时间下,腐蚀速率均随CO_(2)压力的增大呈先减小后增大的趋势,在CO_(2)压力为0.1 MPa时出现最小值,同一CO_(2)压力下腐蚀速率偏差随着时间的延长明显降低,表面腐蚀产物的致密度随着CO_(2)压力的增加而提高,不同CO_(2)压力下管壁表面腐蚀后的形貌呈现两种不同的特征,即粗糙区和相对平滑区,两种特征区内均包括相对均匀产物与突起产物,均匀产物中C和O的含量均低于突起产物,两种产物中C和O的含量随CO_(2)压力的升高而升高,表面腐蚀产物的主要构成相为FeCO_(3)、γ-FeOOH、Fe_(3)O_(4)。 展开更多
关键词 气液两相泡状流 CO_(2)压力 腐蚀产物特征 成分
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浅议市政道路工程质量通病及预防措施 被引量：1
3
作者 潘照霞 《黑龙江科技信息》 2012年第6期320-320,共1页
本文分析了市政工程施工过程中常出现的一些质量通病,针对这些通病对产生的原因、预防措施、解决方法等方面进行了论述。
关键词 市政工程 质量通病 预防措施
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