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非晶半导体的研究与应用 被引量：2
1
作者 清水立生 严辉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期348-352,共5页
1968年Ovshinsky在多元硫系薄膜中观察到电的开关与存贮效应以来 ,特别是 1975年氢化非晶Si的 p型与n型掺杂控制的实现 ,非晶半导体作为一个重要的电子材料 ,在过去的30多年中吸引了大量的基础研究并得到了广泛的应用。本文综述了至今... 1968年Ovshinsky在多元硫系薄膜中观察到电的开关与存贮效应以来 ,特别是 1975年氢化非晶Si的 p型与n型掺杂控制的实现 ,非晶半导体作为一个重要的电子材料 ,在过去的30多年中吸引了大量的基础研究并得到了广泛的应用。本文综述了至今为止非晶半导体重要的研究与应用进展 ,并探讨非晶半导体今后主要的发展趋势。 展开更多
关键词 硫系非晶半导体 氢化非晶硅 电子材料
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退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响 被引量：3
2
作者 赵谦 王波 +2 位作者 严辉 久米田稔 清水立生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期151-155,共5页
采用磁控溅射技术制备了铒掺杂的氢化非晶硅 (a_Si∶H(Er) )样品 .进一步通过 2 0 0— 5 0 0℃温度递增的后退火处理 ,获得了不同的Si悬挂键 (Si DBs)密度 ,并在此基础上研究了Si_DBs密度改变对其Er光荧光 (Er_PL)的影响 .退火温度低于 ... 采用磁控溅射技术制备了铒掺杂的氢化非晶硅 (a_Si∶H(Er) )样品 .进一步通过 2 0 0— 5 0 0℃温度递增的后退火处理 ,获得了不同的Si悬挂键 (Si DBs)密度 ,并在此基础上研究了Si_DBs密度改变对其Er光荧光 (Er_PL)的影响 .退火温度低于 35 0℃时 ,Er_PL强度持续增加 ,但Si_DBs密度的变化显得较复杂 ;35 0℃以上时 ,Er_PL强度随Si_DBs密度的增加而减小 .在 2 0 0— 2 5 0℃的退火温度范围内 ,Si_DBs是由于结构弛豫而减少 ;在 2 5 0— 5 0 0℃的退火温度范围内 ,可能由于Si—H键的断裂释放出氢 ,导致Si_DBs的增加 .因为Er3+ 的辐射跃迁取决于基体中Er3+ 的结构对称性 ,所以Er_PL强度相对于Si_DBs的增加而出现的同向增加现象可能起因于退火引起Er3+ 化学环境的改变 ,不同于被广泛接受的“缺陷相关俄歇激发”模型 . 展开更多
关键词 退火处理 铒掺杂 氢化非晶硅 悬挂键 光致荧光 半导体材料 结构弛豫 辐射跃迁
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