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适于单片集成光发射机制作的正装GaAlAs／GaAsBH激光器
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作者 殷景志 沈澍乔 胡礼中 《广西工学院学报》 CAS 1995年第1期55-58,共4页
本文研究了一种用于单片集成光发射机而制作的正装ＳＩ衬底上的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓＢＨ激光器．其制造工艺简单，全部结构由两次外延形成．目前条宽６～８μｍ，腔长２５０μｍ的ＢＨ激光器已实现了室温连续工作，典型阈值电流为４... 本文研究了一种用于单片集成光发射机而制作的正装ＳＩ衬底上的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓＢＨ激光器．其制造工艺简单，全部结构由两次外延形成．目前条宽６～８μｍ，腔长２５０μｍ的ＢＨ激光器已实现了室温连续工作，典型阈值电流为４０～５０ｍＡ，最低阈值电流为２８ｍＡ。 展开更多
关键词 激光器 集成 光发射机 镓铝砷 砷化镓
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