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GaN电力电子和射频器件产业链分析 被引量：1
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作者 沈一度 《集成电路应用》 2018年第10期91-92,共2页
Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强等优越性能,是发展高频、高温、高功率电子器件的最优选材料。在Ⅲ族氮化物材料体系中,AlGaN/GaN异质结构是迄今为止研制高温、高频、大功率电... Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强等优越性能,是发展高频、高温、高功率电子器件的最优选材料。在Ⅲ族氮化物材料体系中,AlGaN/GaN异质结构是迄今为止研制高温、高频、大功率电子器件最重要和最基本的材料体系。GaN产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节以及下游的应用环节。 展开更多
关键词 氮化物半导体 GAN 大功率电子器件 射频器件
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