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表面光电压法测定半导体光跃迁类型和带隙参数
被引量：
3
1
作者
沈
(
岂
页
)
华
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第3期1-7,共7页
本文用表面光电压法测定了半导体材料的光跃迁类型和带隙参数,推导了有关的计算公式,测定了Ge、Si、GaAs、InP、GaP、AlGaAs,GaAsP等材料的禁带宽度和其他能隙等参数,计算结果与其他方法的测量结果基本一致。
关键词
半导体材料
参数
测定
光电压法
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职称材料
非破坏性研究半导体材料特性参数
被引量：
2
2
作者
沈
(
岂
页
)
华
陈仪明
朱文章
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期1344-1352,共9页
测量了元素和化合物半导体单晶材料的常温、低温下的表面光电压,推导了有关计算公式,计算得出材料的少子扩散长度、深能级和表面能级位置,禁带宽度和化合物组分;由双能级复合理论,研究了少子扩散长度与深能级的关系,计算了深能级浓度和...
测量了元素和化合物半导体单晶材料的常温、低温下的表面光电压,推导了有关计算公式,计算得出材料的少子扩散长度、深能级和表面能级位置,禁带宽度和化合物组分;由双能级复合理论,研究了少子扩散长度与深能级的关系,计算了深能级浓度和参数;计算结果与其他方法的测量实验值基本一致.
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关键词
半导体材料
无损研究
特性参数
原文传递
GaAs同质结、异质结和异质面的光伏谱研究
被引量：
2
3
作者
朱文章
沈
(
岂
页
)
华
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第3期255-258,共4页
采用我们自己建立的微机控制光伏谱自动测量系统,测量了 P-Al_(0.35)Ga_(0.65)As/n-GaAs 异质结在不同温度下的光伏谱和 p-GaAs/n-GaAs 同质结、P-Al-GaAs/p-GaAs/n-GaAs 异质面在室温下的光伏谱,并进行比较分析。采用改进的阻尼最小二...
采用我们自己建立的微机控制光伏谱自动测量系统,测量了 P-Al_(0.35)Ga_(0.65)As/n-GaAs 异质结在不同温度下的光伏谱和 p-GaAs/n-GaAs 同质结、P-Al-GaAs/p-GaAs/n-GaAs 异质面在室温下的光伏谱,并进行比较分析。采用改进的阻尼最小二乘法对实验数据进行拟合计算,求出少子扩散长度、结深、表面复合速度和界面复合速度等重要参数。
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关键词
GAAS
异质结
异质面
光伏谱
砷化镓
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职称材料
超晶格光伏效应的温度特性
4
作者
朱文章
沈
(
岂
页
)
华
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期165-169,共5页
在18～300K 度范围内测量了 GaAs/AlGaAs 超晶格和 Ge_xSi_(1-x)/Si 应变层超晶格在不同温度下的光伏谱。在200K 以下,在 GaAs/AlGaAs 超晶格中观测到6个子带间光跃迁激子峰;在100K 以下,GaAs/AlGaAs 的光伏谱反映了超晶格台阶状态密度...
在18～300K 度范围内测量了 GaAs/AlGaAs 超晶格和 Ge_xSi_(1-x)/Si 应变层超晶格在不同温度下的光伏谱。在200K 以下,在 GaAs/AlGaAs 超晶格中观测到6个子带间光跃迁激子峰;在100K 以下,GaAs/AlGaAs 的光伏谱反映了超晶格台阶状态密度分布。在 Ge_xSi_1-x/Si 应变层超晶格中,观测到子带和连续带间的光跃迁。并对两类超晶格的光伏特性进行了比较分析。
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关键词
超晶格
光伏谱
光跃迁
GAAS/ALGAAS
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职称材料
题名
表面光电压法测定半导体光跃迁类型和带隙参数
被引量：
3
1
作者
沈
(
岂
页
)
华
机构
厦门大学
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第3期1-7,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文用表面光电压法测定了半导体材料的光跃迁类型和带隙参数,推导了有关的计算公式,测定了Ge、Si、GaAs、InP、GaP、AlGaAs,GaAsP等材料的禁带宽度和其他能隙等参数,计算结果与其他方法的测量结果基本一致。
关键词
半导体材料
参数
测定
光电压法
分类号
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
非破坏性研究半导体材料特性参数
被引量：
2
2
作者
沈
(
岂
页
)
华
陈仪明
朱文章
机构
厦门大学物理系
厦门集美航海学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期1344-1352,共9页
基金
国家自然科学基金资助的课题
文摘
测量了元素和化合物半导体单晶材料的常温、低温下的表面光电压,推导了有关计算公式,计算得出材料的少子扩散长度、深能级和表面能级位置,禁带宽度和化合物组分;由双能级复合理论,研究了少子扩散长度与深能级的关系,计算了深能级浓度和参数;计算结果与其他方法的测量实验值基本一致.
关键词
半导体材料
无损研究
特性参数
分类号
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
GaAs同质结、异质结和异质面的光伏谱研究
被引量：
2
3
作者
朱文章
沈
(
岂
页
)
华
机构
厦门大学物理系
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第3期255-258,共4页
文摘
采用我们自己建立的微机控制光伏谱自动测量系统,测量了 P-Al_(0.35)Ga_(0.65)As/n-GaAs 异质结在不同温度下的光伏谱和 p-GaAs/n-GaAs 同质结、P-Al-GaAs/p-GaAs/n-GaAs 异质面在室温下的光伏谱,并进行比较分析。采用改进的阻尼最小二乘法对实验数据进行拟合计算,求出少子扩散长度、结深、表面复合速度和界面复合速度等重要参数。
关键词
GAAS
异质结
异质面
光伏谱
砷化镓
Keywords
GaAs
Heterojunction
Heteroface
Photovoltaic Spectrum
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
超晶格光伏效应的温度特性
4
作者
朱文章
沈
(
岂
页
)
华
机构
厦门大学物理系
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期165-169,共5页
文摘
在18～300K 度范围内测量了 GaAs/AlGaAs 超晶格和 Ge_xSi_(1-x)/Si 应变层超晶格在不同温度下的光伏谱。在200K 以下,在 GaAs/AlGaAs 超晶格中观测到6个子带间光跃迁激子峰;在100K 以下,GaAs/AlGaAs 的光伏谱反映了超晶格台阶状态密度分布。在 Ge_xSi_1-x/Si 应变层超晶格中,观测到子带和连续带间的光跃迁。并对两类超晶格的光伏特性进行了比较分析。
关键词
超晶格
光伏谱
光跃迁
GAAS/ALGAAS
Keywords
Superlattice
Photovoltaic Spectrum
Optical Transition
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
表面光电压法测定半导体光跃迁类型和带隙参数
沈
(
岂
页
)
华
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989
3
下载PDF
职称材料
2
非破坏性研究半导体材料特性参数
沈
(
岂
页
)
华
陈仪明
朱文章
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
2
原文传递
3
GaAs同质结、异质结和异质面的光伏谱研究
朱文章
沈
(
岂
页
)
华
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1992
2
下载PDF
职称材料
4
超晶格光伏效应的温度特性
朱文章
沈
(
岂
页
)
华
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1992
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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