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新型二维功能材料及衍生物的设计和制备 被引量：5
1
作者 孙赛 张斌 +1 位作者 汪露馨 陈彧 《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期413-441,共29页
二维功能材料的制备方法常见的有以下几种:(1)机械剥离或液相剥离具有面间弱相互作用、面内强共价键合作用的层状材料生成单层或少数层的二维材料;(2)化学合成方法;(3)Langmuir-Blodgett单分子膜技术法;(4)层层自组装法;(5)化学气相沉积... 二维功能材料的制备方法常见的有以下几种:(1)机械剥离或液相剥离具有面间弱相互作用、面内强共价键合作用的层状材料生成单层或少数层的二维材料;(2)化学合成方法;(3)Langmuir-Blodgett单分子膜技术法;(4)层层自组装法;(5)化学气相沉积法;(6)分子束外延法和(7)原子层沉积技术法。这些材料及其有机-高分子衍生物具有独特的结构特征和优异的性质,在场效应晶体管、光调制器、锁模和Q开关激光、光限幅、信息和能源存储、射频器件、化学传感器等领域具有重要的潜在应用价值。近年来,除了众所周知的石墨烯外,其他诸如类石墨烯的无机纳米材料(六方氮化硼、过渡金属卤化物、石墨化氮化碳、层状金属氧化物等)、二维聚合物、金属-有机框架、钙钛矿、黑磷等二维材料也被广泛研究或探索。开发或探索更多二维材料应用的关键是设计和制备新颖的二维材料和它们的有机-高分子衍生物。在不久的将来,兼具规模经济和功能行为的二维材料化学的突破将极大地驱动新型二维材料应用领域的拓展。本文综述了二维材料的基本概念、研究进展、亟待解决的关键问题和未来的发展趋势。 展开更多
关键词 二维功能材料 设计和制备 石墨烯衍生物 二维聚合物
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基于石墨烯及其衍生物的信息存储：材料、器件和性能 被引量：3
2
作者 孙赛 庄小东 +3 位作者 汪露馨 汪诚 张斌 陈彧 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第1期18-39,共22页
石墨烯以其独特的二维结构和高的热导电性、高杨氏模量、高电子/空穴迁移率、高抗拉强度、大的布鲁诺尔-埃米特-特勒表面积和量子霍尔效应等优异性能,备受科研工作者的关注,迅速成为材料、化学、物理和工程领域的热点研究课题。与富勒烯... 石墨烯以其独特的二维结构和高的热导电性、高杨氏模量、高电子/空穴迁移率、高抗拉强度、大的布鲁诺尔-埃米特-特勒表面积和量子霍尔效应等优异性能,备受科研工作者的关注,迅速成为材料、化学、物理和工程领域的热点研究课题。与富勒烯(C_(60)、C_(70))的功能化一样,利用共价键合修饰或非共价键合修饰的方法可以在石墨烯表面或石墨烯体系中引入功能基团或功能组分,制备出种类繁多的具有特殊光、电、磁和生物效应的石墨烯衍生物。以石墨烯作为数据存储介质的分子级别计算已经引发了一场信息技术产业的革命,它能在更小的空间上,使用更少的能源来存储更多的数据信息,有望成为目前基于硅半导体存储技术的潜在替代或补充技术。基于石墨烯的存储器件展现出优良的数据存储性能、器件稳定性和可靠性,为使这类器件具有更好的实际应用前景,人们采用许多技术手段来调控和优化器件性能。本文综述了近年来引起广泛关注的诸如石墨烯、共价修饰的石墨烯、石墨烯基复合材料、石墨烯/无机材料异质结等基于石墨烯及其衍生物的存储器件及相关材料研究进展,以及石墨烯/还原的氧化石墨烯透明电极在存储器件中的应用。探讨了该领域存在的亟待解决的关键基础问题和未来发展方向。 展开更多
关键词 石墨烯 信息存储 阻变存储 电双稳态 透明电极
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非易失性D-A型高分子信息存储功能材料的研究进展 被引量：2
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作者 张斌 陈彧 +3 位作者 汪诚 庄小东 汪露馨 樊菲 《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期325-347,共23页
随着电子工业的迅猛发展,诸如个人电脑、手机、数码相机和媒体播放器等信息技术设备已成为人们日常生活中不可缺少的一部分。无论从技术角度还是从经济角度来考虑,对新型信息存储材料和器件的研发已成为电子行业急需解决的问题。由于聚... 随着电子工业的迅猛发展,诸如个人电脑、手机、数码相机和媒体播放器等信息技术设备已成为人们日常生活中不可缺少的一部分。无论从技术角度还是从经济角度来考虑,对新型信息存储材料和器件的研发已成为电子行业急需解决的问题。由于聚合物的电子性质可以通过分子设计和合成等手段调控或剪裁,2005年国际半导体技术发展蓝图(ITRS)将聚合物存储器视为新型存储器件。与硅存储器相比,基于高分子存储材料制作的存储器具有材料结构多样、成本低、易加工、柔韧性好、可大面积制作(可通过旋涂或喷墨打印,在塑料、玻璃、互补金属氧化物半导体(CMOS)混合集成电路上面进行加工)、响应快、功耗低、高密度存储等优点,在信息存储以及高速计算领域有着非常广泛的应用前景。本文综述了高分子阻变存储器的基本概念和工作机制及近年来具有推-拉电子结构特征的高分子信息存储材料的设计、合成和器件性能的研究进展,以及存在的亟待解决的问题和未来的发展方向。 展开更多
关键词 高分子信息存储材料 D—A型高分子 非易失性存储 存储器件
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基于三苯胺和芴的D-A型高分子信息存储材料的合成及性能
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作者 陈军能 曾龙佳 +2 位作者 汪露馨 汪诚 陈彧 《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期327-334,共8页
设计和合成了一种高度可溶的基于三苯胺和芴的D-A型高分子信息存储材料PFTD(Poly{[4,4′-(4.4′-(9H-fluorene-9,9-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(oxy)diphthalonitrile][triphe-nylamine][9,9-dioctyl-9H-fluorene]})。随着溶剂极性的增... 设计和合成了一种高度可溶的基于三苯胺和芴的D-A型高分子信息存储材料PFTD(Poly{[4,4′-(4.4′-(9H-fluorene-9,9-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(oxy)diphthalonitrile][triphe-nylamine][9,9-dioctyl-9H-fluorene]})。随着溶剂极性的增加,荧光强度逐渐减弱,荧光发射谱带变宽且发生红移,最大发射峰分别位于426nm(甲苯),432nm(四氢呋喃),442nm(苯腈),445nm(N,N-二甲基甲酰胺)。PFTD在THF稀溶液中的绝对荧光量子效率为47.8%,由于固体时强的荧光淬灭效应,旋涂在石英玻璃片上的薄膜绝对荧光量子效率仅为5.5%。通过电化学实验估算得到的HOMO、LUMO、能隙、离子化势和电子亲和势分别为-5.43、-2.62、2.81、5.69、2.88eV。由该聚合物制备的薄膜器件(器件结构:ITO/PFTD/Al)表现出典型的一次写入、多次读出(WORM)型记忆特性,电流开关比大于104,开启电压为-1.5V。 展开更多
关键词 D—A型高分子材料 信息存储 WORM型记忆 材料合成
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