NEA光电阴极的(Cs,O)激活工艺研究 被引量：13

1

作者 杜晓晴 常本康 +1 位作者 汪贵华 宗志园 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期826-829,共4页

在自行研制的负电子亲和势光电阴极性能评估实验系统上 ,首次利用动态光谱响应技术和变角X射线光电子能谱 (XPS)表面分析技术研究了GaAs光电阴极的 (Cs ,O)激活工艺 .获得了首次导Cs、(Cs ,O)导入以及 (Cs ,O)循环的优化激活条件 .XPS... 在自行研制的负电子亲和势光电阴极性能评估实验系统上 ,首次利用动态光谱响应技术和变角X射线光电子能谱 (XPS)表面分析技术研究了GaAs光电阴极的 (Cs ,O)激活工艺 .获得了首次导Cs、(Cs ,O)导入以及 (Cs ,O)循环的优化激活条件 .XPS分析给出GaAs(Cs ,O)的最佳激活层厚度为 0 .82nm ,首次导Cs达到峰值光电发射时的Cs覆盖率为 0 .71个单层 .在优化激活条件下 ,可以在国产反射式GaAs上获得 10 2 5 μA/lm的积分灵敏度 . 展开更多

关键词 负电子亲和势 光电阴极 激活 光谱响应 变角XPS

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变角XPS定量分析的研究 被引量：6

2

作者 汪贵华 杨伟毅 常本康 《真空与低温》 1999年第4期242-245,共4页

综述了变角Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ） 分析表面的原理和计算方法，获得了变角ＸＰＳ分析表面／深度的定量计算程序，可快速可靠地计算多层多种组分的含量和层厚度。

关键词 变角XPS 层结构 组分 定量分析

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地面武器的红外与激光隐身技术 被引量：8

3

作者 王广民 房红兵 +3 位作者 汪贵华 周士源 杨国伟 皮德富 《红外技术》 CSCD 北大核心 1998年第2期6-8,12,共4页

介绍了地面武器的红外和激光隐身技术以及一些先进的隐身措施。由于红外隐身和激光隐身对材料的要求不同，必须综合考虑才能达到较好的隐身效果。

关键词 红外隐身 激光隐身 地面武器

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管道三维检测仪的激光光斑位敏探测技术 被引量：8

4

作者 刘滔滔 汪贵华 +3 位作者 张锦涛 张天宇 杨栩 辛嘉 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1323-1327,共5页

通过摄像机采集激光光斑在成像屏上的图像并计算光斑坐标变化的方法,来检测地下管线的位置分布以及弯曲变化,具有精度高、响应灵敏等优点。在投影屏边缘处设计了五个固定孔作为尺度定标点,采集激光光斑在管道中移动的投影图像,采用多种... 通过摄像机采集激光光斑在成像屏上的图像并计算光斑坐标变化的方法,来检测地下管线的位置分布以及弯曲变化,具有精度高、响应灵敏等优点。在投影屏边缘处设计了五个固定孔作为尺度定标点,采集激光光斑在管道中移动的投影图像,采用多种数字图像处理方法,获得了五个固定孔投影椭圆的位置以及光斑的位置。此方法比以前检测光斑位置的方法,数据稳定可靠,有助于地下管道的三维分布测试的精度提高。 展开更多

关键词 管道三维检测 激光光斑 位敏探测 数字图像处理

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改进的神经网络非均匀性校正算法研究 被引量：6

5

作者 陈芳林 张宝辉 +2 位作者 汪贵华 杨开峰 于世孔 《科学技术与工程》 北大核心 2016年第33期215-220,共6页

针对传统神经网络非均匀性校正算法所存在的像素点期望值估计不准确、场景长时间静止时校正图像发生衰退以及校正图像出现鬼影的问题,在原有的神经网络算法的基础上做了进一步的改进。主要包括三个部分:首先,计算场景的局部方差,设置合... 针对传统神经网络非均匀性校正算法所存在的像素点期望值估计不准确、场景长时间静止时校正图像发生衰退以及校正图像出现鬼影的问题,在原有的神经网络算法的基础上做了进一步的改进。主要包括三个部分:首先,计算场景的局部方差,设置合理判断阈值,区别不同的场景区域;再通过比较前后两帧场景的绝对误差值,判别场景是否静止,来控制校正参数是否更新;然后利用图像配准的方法,计算出帧间位移,对校正步长做出修正。最后与传统神经网络算法进行对比实验,结果表明,改进的神经网络算法在鬼影抑制和非均匀性校正方面都具有较好的效果。 展开更多

关键词 神经网络 非均匀性 图像配准 红外图像

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基于ARM和CMOS图像处理的地下管线检测技术研究 被引量：5

6

作者 王柯 汪贵华 +1 位作者 徐元 杨栩 《电子设计工程》 2018年第9期158-162,共5页

基于ARM嵌入式图像处理技术与CMOS图像传感器相结合的新方法,实现地下管线位置分布检测。采用四核ARM S5P4418芯片,搭载CMOS图像传感器OV7725构成地下管线检测系统,通过摄像机采集激光光斑在成像屏坐标变化的方法,来检测地下管线的位置... 基于ARM嵌入式图像处理技术与CMOS图像传感器相结合的新方法,实现地下管线位置分布检测。采用四核ARM S5P4418芯片,搭载CMOS图像传感器OV7725构成地下管线检测系统,通过摄像机采集激光光斑在成像屏坐标变化的方法,来检测地下管线的位置分布以及弯曲变化。结合了matlab calibration toolbox对摄像机进行标定、矫正图像,标定误差达到0.16像素;然后对图像进行灰度转换、中值滤波、阈值分割等预处理;再利用灰度重心法得到激光光斑中心的位置信息。本方法简单可行,有效的低了工作量和检测成本。 展开更多

关键词 地下管线位置检测 嵌入式ARM CMOS图像传感器 激光光斑中心 图像处理

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半导体红外反射率的调制 被引量：2

7

作者 王广民 皮德富 +1 位作者 房红兵 汪贵华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期56-58,共3页

重掺杂半导体的反射率在最小反射率附近随入射波长的改变有较大的变化，而半导体材料的最小反射率波长λｍｉｎ决定于自由载流子浓度，故掺杂引起的热平衡载流子浓度的变化和光注入、ｐ－ｎ结注入引起的过剩载流子浓度的变化都会导致半... 重掺杂半导体的反射率在最小反射率附近随入射波长的改变有较大的变化，而半导体材料的最小反射率波长λｍｉｎ决定于自由载流子浓度，故掺杂引起的热平衡载流子浓度的变化和光注入、ｐ－ｎ结注入引起的过剩载流子浓度的变化都会导致半导体红外反射率谱的改变，这种变化在最小反射率波长附近非常大。当过剩载流子浓度达到热平衡载流子浓度的０．２倍时，半导体对波长为λｍｉｎ的红外光的反射率从３％变化到４５％。 展开更多

关键词 红外反射率 调制 过剩载流子 半导体材料

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变截面桩承载特性及施工关键技术探讨 被引量：5

8

作者 汪贵华 张恒 +1 位作者 黄俊光 李伟科 《广东土木与建筑》 2022年第4期99-102,共4页

变截面桩是在等截面桩的基础上改进而来的新桩型,但其受力变形相对复杂、施工影响因素较多。为进一步促进变截面桩在实际工程中的应用,对变截面桩承载特性和施工关键因素进行分析发现:变截面段是变截面桩承受横向和竖向荷载的主要部分,... 变截面桩是在等截面桩的基础上改进而来的新桩型,但其受力变形相对复杂、施工影响因素较多。为进一步促进变截面桩在实际工程中的应用,对变截面桩承载特性和施工关键因素进行分析发现:变截面段是变截面桩承受横向和竖向荷载的主要部分,且存在最佳长度比例,超过此比例后,承载能力提升不明显;护筒直径、埋深,钻孔设备及方法,护壁泥浆等是影响变截面桩成桩的关键因素。 展开更多

关键词 变截面桩 承载特性 阶梯型变截面桩 施工技术

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类金刚石碳膜的红外特性研究 被引量：3

9

作者 汪贵华 王广民 杨伟毅 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第5期336-341,共6页

用射频等离子体方法分解甲烷，在Ge片上制备了类金刚石碳（DLC）膜。该膜折射率在2左右，具有较好的增透作用。双面镀DLC膜系统的红外透射比，随膜厚不同，其极大值在3．8～10．6μm范围内，在10．6μm处红外透射比达94．5％、镀制在直... 用射频等离子体方法分解甲烷，在Ge片上制备了类金刚石碳（DLC）膜。该膜折射率在2左右，具有较好的增透作用。双面镀DLC膜系统的红外透射比，随膜厚不同，其极大值在3．8～10．6μm范围内，在10．6μm处红外透射比达94．5％、镀制在直径为100mmGe基片上的DLC／Ge／DLC膜系、在10．6μm处，膜片中心的红外透射比为93．9％，距中心不同距离的5个点的红外透射比为91．1％，该膜系具有非常好的均匀性和红外增透性。通过计算获得了DLC膜的光学吸收系数曲线，该膜在3．8μm附近吸收系数为10cm-1；在10．6μm处吸收系数为600cm-1，并对该吸收曲线进行了讨论。 展开更多

关键词 类金刚石 碳膜 红外透射比 折射率 吸收系数

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(Cs,O)/GaAs热退火的变角XPS定量研究 被引量：3

10

作者 汪贵华 富容国 杨伟毅 《真空与低温》 2001年第1期58-62,共5页

用变角 X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了 GaAs光阴极的表面及其在热退火后的效应，首次定量地计算了 (Cs,O)/GaAs系统的表面 (Cs,O)层和界面 (Ga,As)弛豫层的厚度和组分。 (Cs,O)/GaAs系统在 625～ 650℃的热退火后， (Ga,As)驰豫层厚... 用变角 X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了 GaAs光阴极的表面及其在热退火后的效应，首次定量地计算了 (Cs,O)/GaAs系统的表面 (Cs,O)层和界面 (Ga,As)弛豫层的厚度和组分。 (Cs,O)/GaAs系统在 625～ 650℃的热退火后， (Ga,As)驰豫层厚度减薄， Ga,As的原子浓度增大；且消除了 O与 As的化学连接。 展开更多

关键词 变角X射光电子能谱 光电阴极 层结构 热退火 砷化镓

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Cs/p-GaAs(100)表面的变角XPS研究 被引量：2

11

作者 汪贵华 杨伟毅 常本康 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第3期176-178,206,共4页

在实验数据的基础上 ,采用变角XPS分析表面层状结构的计算程序 ,应用了新算法 ,使该程序能快速可靠地计算多层多种组分的含量和层厚度。计算了Cs吸附在清洁p GaAs(1 0 0 )表面上的Cs层覆盖率及弛豫层的厚度和组分。在Cs/GaAs达到峰值光... 在实验数据的基础上 ,采用变角XPS分析表面层状结构的计算程序 ,应用了新算法 ,使该程序能快速可靠地计算多层多种组分的含量和层厚度。计算了Cs吸附在清洁p GaAs(1 0 0 )表面上的Cs层覆盖率及弛豫层的厚度和组分。在Cs/GaAs达到峰值光电发射时 ,Cs覆盖率为 0 71个单层 ,Ga与As弛豫层厚度为 2 3个单层 ,Ga相对As轻微富集。 展开更多

关键词 砷化镓 铯吸附 变角XPS 覆盖率 表面层结构

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高增透的类金刚石碳膜的红外吸收特性研究 被引量：3

12

作者 汪贵华 杨伟毅 常本康 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期638-641,共4页

利用射频等离子体分解甲烷的技术在锗片上沉积了非晶结构的类金刚石碳膜。傅里叶红外光谱仪测量显示镀覆了类金刚石碳膜的锗片在红外范围内具有高增透作用 ,特别在 174 0～ 2 0 4 4cm-1其峰值透过率高达 99% ,在 94 5.7cm-1(10 .6 μm)... 利用射频等离子体分解甲烷的技术在锗片上沉积了非晶结构的类金刚石碳膜。傅里叶红外光谱仪测量显示镀覆了类金刚石碳膜的锗片在红外范围内具有高增透作用 ,特别在 174 0～ 2 0 4 4cm-1其峰值透过率高达 99% ,在 94 5.7cm-1(10 .6 μm)处透过率为 94 .5%。利用实测的透过率曲线和改进的透过率公式 ,获得了该膜在 2 .5～ 12 μm的吸收系数 ,在 170 0～ 2 6 0 0 cm-1范围内的吸收系数接近于 0 ,在 10 .6 μm的吸收系数为 2 30 cm-1,膜主要由 sp3的 C- H键结构组成 。 展开更多

关键词 射频等离子体沉积 类金刚石碳膜 红外吸收特性

原文传递

GaAs和(Cs,O)/GaAs热处理工艺的XPS研究 被引量：2

13

作者 汪贵华 房红兵 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第5期307-310,共4页

用X射线光电子能谱(XPS)研究了GaAs(100)面基片的化学清洗、热净化、(Cs,O)激活后加热的处理效果。GaAs的氧化过程是:首先,As氧化为低价态,然后Ga被氧化,再就是As氧化为高价。确保样品从刻蚀清洗到超高真空环境中,表面Ga没有被氧化,就... 用X射线光电子能谱(XPS)研究了GaAs(100)面基片的化学清洗、热净化、(Cs,O)激活后加热的处理效果。GaAs的氧化过程是:首先,As氧化为低价态,然后Ga被氧化,再就是As氧化为高价。确保样品从刻蚀清洗到超高真空环境中,表面Ga没有被氧化,就可在较低的温度热净化,获得As稳定的且原子级清洁的GaAs表面。净化后GaAs表面Ga含量越高,则(Cs,O)激活后形成氧化物越多,从而形成了界面势垒,使电子逸出概率降低。 展开更多

关键词 GAAS X射线光电子能谱 热净化 氧化 激活

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基于GPS秒脉冲的频率源设计与实现 被引量：3

14

作者 王冬 汪贵华 郭庆贺 《电子设计工程》 2017年第23期117-120,共4页

针对无线广播系统对高精度的同步频率信号的需求,设计一种基于AD9548芯片的锁定GPS秒脉冲的频率源系统。分析了AD9548锁相频率合成器的基本原理以及工作特性,采用FPGA+AD9548芯片的硬件平台,通过GPS模块锁定高精度的GPS秒脉冲,实现高性... 针对无线广播系统对高精度的同步频率信号的需求,设计一种基于AD9548芯片的锁定GPS秒脉冲的频率源系统。分析了AD9548锁相频率合成器的基本原理以及工作特性,采用FPGA+AD9548芯片的硬件平台,通过GPS模块锁定高精度的GPS秒脉冲,实现高性能的输出频率可调的同步数字锁相频率源的设计。实验测试表明,该系统产生的频率满足同步广播系统对频率源的设计要求。 展开更多

关键词 频率源 GPS秒脉冲 数字锁相环 频率合成

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建立中国风险投资银行支持体系的理论探源与现实选择 被引量：2

15

作者 汪贵华 《经济评论》 CSSCI 北大核心 2006年第5期129-135,共7页

风险投资是科技成果与金融市场相结合的产物,在当今世界经济中发挥着十分重要的作用。我们应当通过以银行业务创新促使我国银行业介入风险资本市场的现实选择,推动我国风险投资的发展与完善。

关键词 风险投资 银行 选择

原文传递

基于ZigBee技术的局域通讯系统设计 被引量：3

16

作者 宋璐 汪贵华 华斯亮 《电子设计工程》 2017年第20期97-100,104,共5页

为了解决无专用通信基础设施或者通信基站失效地区内的局域通讯问题,提出一种基于msstatePAN协议栈的无线自组织网络的通信系统的设计思路。该协议栈建立于IEEE802.15.4通信标准的基础上,并且针对使用场景参照ZigBee技术做了相应的修改... 为了解决无专用通信基础设施或者通信基站失效地区内的局域通讯问题,提出一种基于msstatePAN协议栈的无线自组织网络的通信系统的设计思路。该协议栈建立于IEEE802.15.4通信标准的基础上,并且针对使用场景参照ZigBee技术做了相应的修改与优化。文中设计了一款自组织网络模块,该模块以STM32F103CBT6为硬件平台并可通过USB与手机相连进行数据交互,详细讨论了基于A7190芯片的模块的硬件设计方法及组网设计中的通讯数据收发的软件设计方法,最后给出了该设计方案在室内环境下组网实例及室外环境下的通讯质量测试结果。实验结果证明该系统具有稳定性,可靠性,可重复性,可以用于实现手机处于无LTE信号状态下的局域通讯。 展开更多

关键词 局域通信 自组织网络 ZIGBEE STM32F103CBT6

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贫困地区0～5岁儿童营养不良干预调查 被引量：4

17

作者 刘丽娟 褚勇 +1 位作者 李琼珍 汪贵华 《中国妇幼保健》 CAS 北大核心 2014年第36期6097-6098,共2页

目的：探索对营养不良儿童采取综合性干预措施的方法,降低儿童营养不良的发生率。方法：依据WHO推荐的NCHS标准,采用横断面调查方法在该县0-5岁儿童营养不良发生率比较高的雨露乡选取584名0-5岁儿童进行健康体检,并将73例营养不良儿童... 目的：探索对营养不良儿童采取综合性干预措施的方法,降低儿童营养不良的发生率。方法：依据WHO推荐的NCHS标准,采用横断面调查方法在该县0-5岁儿童营养不良发生率比较高的雨露乡选取584名0-5岁儿童进行健康体检,并将73例营养不良儿童按家庭经济年收入水平分为两组：7 000元以下为干预组（37例）,7 000元以上为对照组（36例）。对干预组儿童进行综合性干预,比较两组干预效果。结果：营养不良发生率为12.50%;干预后两组转归率比较差异有统计学意义（P〈0.05）;不同性别儿童生长发育迟缓干预效果比较差异有统计学意义（P〈0.05）;两组生长发育迟缓干预效果比较差异有统计学意义（P〈0.05）;父亲身高及母样身高不同的儿童生长发育迟缓干预效果比较差异均无统计学意义（P〉0.05）;父亲体重及母亲体重不同的儿童生长发育迟缓干预效果比较差异均有统计学意义（P〈0.05）。结论：健康教育及营养与药品干预可有效纠正营养不良状况,降低营养不良发生率,是改善儿童营养状况的有效手段。 展开更多

关键词 儿童 营养不良 干预

原文传递

光阴极材料GaAs/AlGaAs的组分分析 被引量：2

18

作者 汪贵华 杨伟毅 常本康 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第6期456-460,共5页

为探索砷化镓光阴极的光电灵敏度的影响因素 ,利用X射线光电子能谱、二次离子质谱和电化学方法测试和分析了国内和国外GaAs光阴极材料GaAs/AlGaAs的C ,O含量和空穴浓度分布。实验发现 ,国内的材料在GaAs/AlGaAs界面及AlGaAs层的O含量分... 为探索砷化镓光阴极的光电灵敏度的影响因素 ,利用X射线光电子能谱、二次离子质谱和电化学方法测试和分析了国内和国外GaAs光阴极材料GaAs/AlGaAs的C ,O含量和空穴浓度分布。实验发现 ,国内的材料在GaAs/AlGaAs界面及AlGaAs层的O含量分别为 7 6 %和 10 6 % ,C浓度分别为 5 2×10 18atoms/cm3和 1 0× 10 19atoms/cm3,而国外的材料的O含量相应为 1 0 %和 1 5%。国内的材料GaAs和AlGaAs层的空穴浓度分别为 7× 10 18～ 4× 10 19cm- 3和 8× 10 17cm- 3,而国外材料的相应值分别为 (1 8～ 2 0 )× 10 19cm- 3和 5× 10 18cm- 3。分析认为 ,层中及界面的C ,O杂质偏高和空穴浓度分布不尽合理使光电子扩散长度减小 ,后界面复合增大 ,导致了光电灵敏度下降。 展开更多

关键词 光阴极 X射线 光电子能谱 二次离子质谱 砷化镓

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GaAs(100)热退火表面的变角XPS定量分析

19

作者 汪贵华 杨伟毅 常本康 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期657-661,共5页

利用变角 X射线光电子能谱 (XPS)及其层状结构的计算程序分析和计算 Ga As(1 0 0 )在60 0— 675℃热退火处理后表面组分 /深度的定量变化 .在 Ga As表面氧化物与衬底之间存在一过渡层 ,即弛豫层 ,该层在自然情况下为富 As的结构 ,经 60 ... 利用变角 X射线光电子能谱 (XPS)及其层状结构的计算程序分析和计算 Ga As(1 0 0 )在60 0— 675℃热退火处理后表面组分 /深度的定量变化 .在 Ga As表面氧化物与衬底之间存在一过渡层 ,即弛豫层 ,该层在自然情况下为富 As的结构 ,经 60 0℃以上的温度退火后 ,成为富 Ga的结构 .实验和计算发现该层的厚度和 Ga的相对含量随退火温度增加而增大 ,即弛豫层中的Ga含量由 53.4%变为 62 .1 % ,弛豫层厚度由 1 .3nm变为 2 .2 nm. 展开更多

关键词 砷化镓 X射线光电子能谱 热退火

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用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺 被引量：1

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作者 汪贵华 杨伟毅 宗志园 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第6期399-402,433,共5页

用变角X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺 ,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子穿过激活层 ,扩散到GaAs与 (Cs,O)激活层的界面上而形成的。导入过量O会增加O GaAs界面层的... 用变角X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺 ,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子穿过激活层 ,扩散到GaAs与 (Cs,O)激活层的界面上而形成的。导入过量O会增加O GaAs界面层的厚度 ,而对 (Cs,O)激活层厚度影响较小。在激活过程中 ,严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度 ,提高灵敏度的重要途径。在第一步激活后的阴极样品 ,通过较低温度的加热和再激活 ,能获得比第一步高出 30 展开更多

关键词 变角XPS 定量分析 GAAS 激活工艺 砷化镓 光电阴极 变角X射线光电子能谱

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