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时代的趋势──发展灾害教育 被引量：13
1
作者 汪泓宏 《中国减灾》 1996年第2期6-9,共4页
时代的趋势──发展灾害教育汪泓宏（清华大学材料系）１灾害问题世所瞩目自８０年代以来，中外学者都在探讨２１世纪人类将面临的问题，并出版了一系列书籍，告诫人们不可忽视人类面临的一系列严峻问题，如人口、土地、资源、能源、环... 时代的趋势──发展灾害教育汪泓宏（清华大学材料系）１灾害问题世所瞩目自８０年代以来，中外学者都在探讨２１世纪人类将面临的问题，并出版了一系列书籍，告诫人们不可忽视人类面临的一系列严峻问题，如人口、土地、资源、能源、环境污染、灾害等。这些问题都可能威胁... 展开更多
关键词 灾害教育 自然灾害 减灾工作 人为灾害
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单晶SiO_2表面Ag注入层的结构与光吸收的研究 被引量：2
2
作者 刘正昕 汪泓宏 冯晓东 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第7期385-390,共6页
报道了在室温和２００ｋＶ电压下，以６．７×１０１６Ａｇ＋／ｃｍ２剂量注入单晶ＳｉＯ２的研究结果。Ｒａｍａｎ谱表明６．７×１０１６Ａｇ＋／ｃｍ２注入使单晶Ｓｉ２Ｏ２非晶化；ＸＰＳ结果初步说明注入的Ａｇ以金属态存... 报道了在室温和２００ｋＶ电压下，以６．７×１０１６Ａｇ＋／ｃｍ２剂量注入单晶ＳｉＯ２的研究结果。Ｒａｍａｎ谱表明６．７×１０１６Ａｇ＋／ｃｍ２注入使单晶Ｓｉ２Ｏ２非晶化；ＸＰＳ结果初步说明注入的Ａｇ以金属态存在；ＲＢＳ谱表明Ａｇ在Ｓｉ２Ｏ２中呈现双峰分布。ＴＥＭ明场像显示了Ａｇ在注入层中形成两种主要尺寸的球形超微粒。较大的直径为２５ｎｍ左右，分布相当密集；较小的直径大约为５ｎｍ。注入层的光吸收谱表明在４０４、２１０、６２０ｎｍ波长处有三个强烈吸收带。４０４ｎｍ处的吸收带是金属Ａｇ超微粒的表面共振激元吸收，其它两个则是离子注入产生的缺陷吸收。 展开更多
关键词 单晶 二氧化硅 银离子注入 纳米微粒 光吸收
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在MEVVA源中银离子注入单晶6Hα—SiC的研究
3
作者 汪泓宏 卢东晖 刘正昕 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期193-198,共6页
室温下在５０ｋＶ电压的ＭＥＶＶＡ离子源中用不同剂量的银离子注入到单晶６Ｈａ－ＳｉＣ中，对未注入和注入的ＳｉＣ样品进行了显微硬度和压坑的扫描电子显微镜观察，并研究了其拉曼谱、卢瑟福背散射谱和Ｘ光电子能谱等。硬度、拉曼谱... 室温下在５０ｋＶ电压的ＭＥＶＶＡ离子源中用不同剂量的银离子注入到单晶６Ｈａ－ＳｉＣ中，对未注入和注入的ＳｉＣ样品进行了显微硬度和压坑的扫描电子显微镜观察，并研究了其拉曼谱、卢瑟福背散射谱和Ｘ光电子能谱等。硬度、拉曼谱和ＳＥＭ试验综合说明Ａｇ＋注入使ＳｉＣ晶体由脆性状态转变成韧性状态，在ＳｉＣ样品上已形成一层非晶态层，非晶态形成的最低剂量约为１０１４－１０１５Ａｇ＋／ｃｍ２。注入５×１０１６Ａｇ＋／ｃｍ２的Ａｇ３ｄ５／２峰的ＸＰＳ谱说明在ＳｉＣ的注入层中，Ａｇ以金属状态存在。根据ＭＥＶＶＡ离子源产生多电荷态银离子的特点，讨论了本实验研究的结果，并与文献的结果进行了比较。 展开更多
关键词 离子源 离子注入 银 陶瓷 非晶态 碳化硅
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