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二维半导体过渡金属硫化物的逻辑集成器件 被引量：5
1
作者 李卫胜 周健 +5 位作者 王瀚宸 汪树贤 于志浩 黎松林 施毅 王欣然 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第21期236-257,共22页
微电子器件沿摩尔定律持续发展超过50年,正面临着高功耗等挑战.二维层状材料可以将载流子限制在界面1 nm的空间内,部分材料展现出高迁移率、能带可调、拓扑奇异性等特点,有望给"后摩尔时代"微电子器件带来新的技术变革.其中,... 微电子器件沿摩尔定律持续发展超过50年,正面临着高功耗等挑战.二维层状材料可以将载流子限制在界面1 nm的空间内,部分材料展现出高迁移率、能带可调、拓扑奇异性等特点,有望给"后摩尔时代"微电子器件带来新的技术变革.其中,以MoS_2为代表的过渡金属硫化物具有1-2 eV的带隙、良好的空气稳定性和工艺兼容性,在逻辑集成方面有巨大潜力.本文综述了二维过渡金属硫化物在逻辑器件领域的研究进展,重点讨论电子输运机理、迁移率、接触电阻等关键问题及集成技术的现状,并为今后的发展指出了方向. 展开更多
关键词 过渡金属硫族化合物 晶体管 迁移率 逻辑集成
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