研究烧结温度和Th含量对(Th,U)O2芯块密度的影响,计算不同Th含量的(Th,U)O2芯块烧结活化能,通过扫描电镜(SEM)分析(Th,U)O2芯块中气孔的变化迁移过程。结果表明:在相同烧结温度下,(Th,U)O2芯块密度随Th含量的增大而降低;随烧结温度升高...研究烧结温度和Th含量对(Th,U)O2芯块密度的影响,计算不同Th含量的(Th,U)O2芯块烧结活化能,通过扫描电镜(SEM)分析(Th,U)O2芯块中气孔的变化迁移过程。结果表明:在相同烧结温度下,(Th,U)O2芯块密度随Th含量的增大而降低;随烧结温度升高,芯块密度增大,在此过程中存在一个使芯块快速致密化的烧结势垒温度;(Th,U)O2芯块烧结活化能随Th含量的增大而增大,Th含量(摩尔分数)为20%、50%、80%的(Th,U)O2芯块的烧结活化能分别为277.65、300.70、380.99 k J/mol;在Th含量为20%的(Th,U)O2芯块中,气孔呈球形分布于晶界交汇处。展开更多
文摘研究烧结温度和Th含量对(Th,U)O2芯块密度的影响,计算不同Th含量的(Th,U)O2芯块烧结活化能,通过扫描电镜(SEM)分析(Th,U)O2芯块中气孔的变化迁移过程。结果表明:在相同烧结温度下,(Th,U)O2芯块密度随Th含量的增大而降低;随烧结温度升高,芯块密度增大,在此过程中存在一个使芯块快速致密化的烧结势垒温度;(Th,U)O2芯块烧结活化能随Th含量的增大而增大,Th含量(摩尔分数)为20%、50%、80%的(Th,U)O2芯块的烧结活化能分别为277.65、300.70、380.99 k J/mol;在Th含量为20%的(Th,U)O2芯块中,气孔呈球形分布于晶界交汇处。