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题名多晶硅表面织构化新工艺的研究
被引量：4
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作者
王应民
程泽秀
李清华
江龙迎
刘琪
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机构
南昌航空大学光伏器件与技术研究所
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出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期176-181,共6页
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基金
江西省重大科技专项(2009AZD10103)
江西省科技厅重大招标项目(CB200901285)资助课题
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文摘
先后采用电化学腐蚀法和化学酸腐蚀法腐蚀多晶硅,用于制备高效率多晶硅太阳电池。首先将多晶硅片在HF和CH3CH2OH体积比为1∶2的溶液中进行电化学预腐蚀,具体研究不同电流密度对多晶硅绒面形貌的影响;然后采用化学酸腐蚀法进行二次腐蚀,去除多晶硅表面的疏松结构,得到高性能的多晶硅绒面。使用扫描电镜观察多晶硅表面腐蚀形貌。实验结果表明,当电流密度为30mA/cm2、腐蚀时间为300s时,多晶硅表面形成带孔洞的疏松结构;预腐蚀后多晶硅片在HF和H2O2体积比为4∶1的化学腐蚀溶液中,在室温超声腐蚀60s后,腐蚀坑平均孔径为2～4μm,坑深为1.5～2μm,能达到良好的光陷阱作用和减反射效果,可以提高多晶硅太阳电池的光电转换效率。
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关键词
材料
多晶硅
电化学腐蚀
化学酸腐蚀
表面织构
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Keywords
meterials multicrystalline silicon electrochemical etching chemical acid etching surface texture
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分类号
TM914.41
[电气工程—电力电子与电力传动]
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