射频磁控溅射沉积的ZnO薄膜的光致发光中心与漂移 被引量：40

1

作者 李伙全 宁兆元 +1 位作者 程珊华 江美福 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期867-870,共4页

利用射频磁控溅射法在n型单晶硅衬底上制备了ZnO薄膜 .通过改变源气体中氩气和氧气的流量比制备了具有不同化学计量比的ZnO薄膜 ,并且将它们在真空中作了加热后处理来研究ZnO薄膜的光致发光特性 .这些在常温衬底上沉积的薄膜可发出强的... 利用射频磁控溅射法在n型单晶硅衬底上制备了ZnO薄膜 .通过改变源气体中氩气和氧气的流量比制备了具有不同化学计量比的ZnO薄膜 ,并且将它们在真空中作了加热后处理来研究ZnO薄膜的光致发光特性 .这些在常温衬底上沉积的薄膜可发出强的蓝光 ,其峰位会随氧流量的减少而发生红移 . 展开更多

关键词 氧化锌薄膜 射频磁控溅射沉积 光致发光 退火处理 蓝光发射 禁带宽度 光谱红移

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氟化类金刚石薄膜的拉曼和红外光谱结构研究 被引量：13

2

作者 江美福 宁兆元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期1588-1593,共6页

以高纯石墨作靶、CHF3 Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备了介电常数在 1 77左右的氟化类金刚石 (F DLC)薄膜 .拉曼光谱表明 ,源气体中CHF3相对流量、射频功率和工作气压的增加都会引起薄膜的D峰与G峰强度之比ID IG 减小 ,薄膜中链式 (... 以高纯石墨作靶、CHF3 Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备了介电常数在 1 77左右的氟化类金刚石 (F DLC)薄膜 .拉曼光谱表明 ,源气体中CHF3相对流量、射频功率和工作气压的增加都会引起薄膜的D峰与G峰强度之比ID IG 减小 ,薄膜中链式 (烯烃 )结构比例的上升 .红外吸收光谱分析表明薄膜的主体骨架仍为芳香环式结构 .薄膜的性质如光学带隙和介电常数等不仅与氟含量有关 ,还与碳氟原子间的耦合形式和碳氟键的分布密切相关 . 展开更多

关键词 氟化类金刚石薄膜 反应磁控溅射法 拉曼光谱 红外吸收光谱 射频功率 光学带隙

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反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜的XPS结构研究 被引量：10

3

作者 江美福 宁兆元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期3220-3224,共5页

采用射频反应磁控溅射法用高纯石墨作靶、三氟甲烷 (CHF3)和氩气 (Ar)作源气体制备了氟化类金刚石 (F DLC)薄膜 ,通过XPS光谱结合拉曼光谱、红外透射光谱和紫外 可见光光谱研究了源气体流量比等工艺条件对薄膜中键结构、sp2 sp3杂化比... 采用射频反应磁控溅射法用高纯石墨作靶、三氟甲烷 (CHF3)和氩气 (Ar)作源气体制备了氟化类金刚石 (F DLC)薄膜 ,通过XPS光谱结合拉曼光谱、红外透射光谱和紫外 可见光光谱研究了源气体流量比等工艺条件对薄膜中键结构、sp2 sp3杂化比以及光学带隙等性能的影响 .结果表明在低功率 (6 0W)、高气压 (2 0Pa)和适当的流量比(Ar CHF3=2∶1 )下利用射频反应磁控溅射法可制备出氟含量高且具有较宽光学带隙和超低介电常数的F 展开更多

关键词 反应磁控溅射法 氟化类金刚石薄膜 红外透射光谱 XPS光谱 光学带隙

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源气体流量比对F-DLC薄膜结构的影响 被引量：6

4

作者 江美福 宁兆元 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期539-541,共3页

以高纯石墨作靶、CHF3/Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备出了氟化类金刚石 (F -DLC)薄膜。拉曼光谱表明 ,CHF3相对流量的增加会引起薄膜的D峰与G峰强度之比I(D) /I(G)减小 ,晶粒增大 ,芳香环结构比例下降。红外吸收光谱分析证实了这些... 以高纯石墨作靶、CHF3/Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备出了氟化类金刚石 (F -DLC)薄膜。拉曼光谱表明 ,CHF3相对流量的增加会引起薄膜的D峰与G峰强度之比I(D) /I(G)减小 ,晶粒增大 ,芳香环结构比例下降。红外吸收光谱分析证实了这些推论 ,指出这是由于薄膜中氟含量上升的结果。 展开更多

关键词 源气体 流量比 F-DLC薄膜 影响 反应磁控溅射法 氟化类金刚石薄膜 拉曼光谱

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微波技术在真丝绸染色中的应用研究 被引量：7

5

作者 江美福 《微波学报》 CSCD 北大核心 1997年第3期248-254,共7页

本文提供的有关测试数据表明，真丝绸染色过程中采用微波辐射处理，可以提高染料的上染百分率及织物的得色量，织物的色泽更加鲜艳，色牢度也有明显提高，将微波技术与传统的染色技术相结合，效果更好，前景是很光明的．

关键词 微波处理 上染百分率 色牢度 真丝绸 染色

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源气体对沉积的a-C∶F∶H薄膜结构的影响 被引量：6

6

作者 辛煜 宁兆元 +6 位作者 程珊华 陆新华 江美福 许圣华 叶超 黄松 杜伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1865-1869,共5页

采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWPECRCVD)方法 ,使用不同的源气体 (CHF3 CH4 ,CHF3 C2 H2 ,CHF3 C6 H6 )体系制备了a C∶F∶H薄膜 .由于CH4 ,C2 H2 ,C6 H6 气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上... 采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWPECRCVD)方法 ,使用不同的源气体 (CHF3 CH4 ,CHF3 C2 H2 ,CHF3 C6 H6 )体系制备了a C∶F∶H薄膜 .由于CH4 ,C2 H2 ,C6 H6 气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异 .红外吸收谱的结果表明 ,用C6 H6 CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H ,而用C2 H2 CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高 ,其相应的C F振动峰位向高频方向偏移 .薄膜的真空退火结果表明 ,a C∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外 ,还与CC键和其他键结构的关联有关 ,此外 ,源气体对薄膜的F 展开更多

关键词 源气体 a-C:F:H薄膜 结构 氟化非晶碳膜 电子回旋共振化学气相沉积 红外吸收光谱

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不同射频输入功率下制备的氟化类金刚石碳膜疏水性研究 被引量：6

7

作者 朱丽 江美福 +2 位作者 宁兆元 杜记龙 王培君 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期6430-6435,共6页

以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体,用反应磁控溅射法在不同射频功率下制备了氟化类金刚石碳(F-DLC)膜,并对其疏水性进行研究.双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明,所制备薄膜表面的最大水接触角可达115°左右... 以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体,用反应磁控溅射法在不同射频功率下制备了氟化类金刚石碳(F-DLC)膜,并对其疏水性进行研究.双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明,所制备薄膜表面的最大水接触角可达115°左右.通过原子力显微镜获得的薄膜表面AFM图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜的疏水性的因素.结果表明,薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和表面键结构直接相关,表面粗糙度越大,疏水性越好,但与薄膜中的F含量和sp3/sp2的比值并未呈单调增加或减小的对应关系.射频输入功率影响着薄膜的沉积速率,与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F的接入方式)直接相关. 展开更多

关键词 疏水性 反应磁控溅射 氟化类金刚石膜 射频功率

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反应磁控溅射法沉积的氟化类金刚石薄膜的结构分析 被引量：5

8

作者 江美福 宁兆元 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期52-54,共3页

　以高纯石墨作靶、Ar/CHF3作源气体采用射频反应磁控溅射法室温下制备了氟化类金刚石薄膜(F DLC)。发现随着射频功率的增加,F DLC薄膜拉曼光谱的D峰与G峰强度之比ID/IG加大,薄膜中芳香环式结构比例上升。红外吸收光谱则显示射频功率增... 　以高纯石墨作靶、Ar/CHF3作源气体采用射频反应磁控溅射法室温下制备了氟化类金刚石薄膜(F DLC)。发现随着射频功率的增加,F DLC薄膜拉曼光谱的D峰与G峰强度之比ID/IG加大,薄膜中芳香环式结构比例上升。红外吸收光谱则显示射频功率增加导致薄膜中的氟含量上升,氟原子与碳原子以及芳香环的耦合加强。控制射频功率可以有效调制薄膜中的氟含量以及芳香环结构的比例,F DLC可能成为热稳定性较好的碳氟薄膜。 展开更多

关键词 氟化类金刚石薄膜 结构分析 反应磁控溅射 拉曼光谱 红外吸收光谱

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源气体流量比对氟化类金刚石薄膜蛋白吸附能力的影响 被引量：5

9

作者 戴永丰 江美福 +1 位作者 杨亦赏 周杨 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期681-687,共7页

用316L不锈钢(SU316L)作基片,以高纯石墨作靶、CHF3和Ar作源气体,采用反应磁控溅射法在不同流量比R(CHF3/Ar)下制备了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜.利用双蒸水液滴法、BCA(二喹啉甲酸)法和傅里叶红外光谱(FTIR)探讨了影响薄膜蛋白吸附能力... 用316L不锈钢(SU316L)作基片,以高纯石墨作靶、CHF3和Ar作源气体,采用反应磁控溅射法在不同流量比R(CHF3/Ar)下制备了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜.利用双蒸水液滴法、BCA(二喹啉甲酸)法和傅里叶红外光谱(FTIR)探讨了影响薄膜蛋白吸附能力的因素.结果表明,镀有F-DLC薄膜的SU316L表面的血小板黏附量明显减少,血小板的变形程度显著减轻,相应的白蛋白与纤维蛋白原的吸附比普遍高于未镀膜的SU316L表面的相应值,说明镀上F-DLC薄膜可以改善样品的血液相容性.流量比为2:1左右时制备出的F-DLC薄膜,其白蛋白与纤维蛋白原的吸附比值达到最大,相应的血液相容性最佳.对薄膜的接触角和表面能以及FTIR光谱分析研究表明,SU316L表面的F-DLC薄膜的白蛋白与纤维蛋白原的吸附比及血液相容性与薄膜的中的—CFx键的含量(F/C比)和表面能(疏水性)直接相关,控制源气体流量比可以实现对薄膜的血液相容性的调制. 展开更多

关键词 反应磁控溅射 氟化类金刚石薄膜 蛋白吸附

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SiC过渡层对氟化类金刚石薄膜附着特性的影响 被引量：3

10

作者 潘越 赵强 +3 位作者 江舸 周杨 江美福 杨亦赏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期293-298,共6页

采用射频反应磁控溅射法在316L不锈钢基片上分别沉积了两种薄膜:一种是氟化类金刚石薄膜(F-DLC),另一种是先镀上一定厚度的SiC过渡层再沉积F-DLC.着重研究了薄膜的附着力随过渡层制备条件的变化规律.结果显示,增加SiC过渡层后薄膜的附... 采用射频反应磁控溅射法在316L不锈钢基片上分别沉积了两种薄膜:一种是氟化类金刚石薄膜(F-DLC),另一种是先镀上一定厚度的SiC过渡层再沉积F-DLC.着重研究了薄膜的附着力随过渡层制备条件的变化规律.结果显示,增加SiC过渡层后薄膜的附着力明显增加,且附着力随SiC过渡层的制备条件有所变化,在射频输入功率为200W,沉积时间5min制备出的SiC过渡层上再沉积F-DLC时,附着力可达8.7N,远高于未加过渡层时F-DLC膜的附着力(4N).通过研究SiC的沉积速率曲线、表面形貌和红外光谱,探讨了SiC过渡层及其制备条件影响薄膜附着力的相关机制. 展开更多

关键词 F-DLC SiC过渡层 红外光谱 附着力

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磁控共溅射法制备的Zn_2GeO_4多晶薄膜结构及其光致发光研究 被引量：3

11

作者 王振宁 江美福 +1 位作者 宁兆元 朱丽 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期6507-6512,共6页

用射频磁控共溅射方法在不同温度的单晶硅基片上生长薄膜,然后在800℃真空环境下对薄膜进行退火处理,成功获得了结晶状态良好的Zn2GeO4多晶薄膜.利用X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜进行了结构、成分和... 用射频磁控共溅射方法在不同温度的单晶硅基片上生长薄膜,然后在800℃真空环境下对薄膜进行退火处理,成功获得了结晶状态良好的Zn2GeO4多晶薄膜.利用X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜进行了结构、成分和形貌分析,研究了基片温度对三者的影响.结果显示,当基片温度升高到400℃以上时,薄膜中的Zn2GeO4晶粒在(220)方向上显示出了明显的择优取向.当基片温度在500—600℃范围内,有利于GeO2结晶相的形成.XPS显示薄膜中存在着Zn2GeO4,GeO2,GeO,ZnO四种化合态.同时,随着基片温度的升高,晶粒尺寸增大且薄膜表面趋于平整.薄膜的光致发光在绿光带存在中心波长为530和550 nm两个峰,应该归因于主体材料ZnGeO中两个不同的Ge2+的发光中心. 展开更多

关键词 射频磁控溅射 Zn2GeO4 荧光体

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不确定度在物理实验中的应用初探 被引量：2

12

作者 江美福 谈利琴 《苏州丝绸工学院学报》 1998年第3期22-25,共4页

不确定度是一个较新的概念，本文对测量中的不确定度作了简单介绍，着力探讨将有关复杂的评定规则合理简化，以求实用和易于被学生接受，并给出了应用范例。

关键词 测量 不确定度 物理实验 简化计算

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射频输入功率对DLC∶F∶Si薄膜结构和附着特性的调制机理 被引量：2

13

作者 吴伟 朱志鹏 +3 位作者 张剑东 闵嘉炜 江美福 钱侬 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期363-367,384,共6页

以SiC陶瓷靶为靶材,Ar和CHF_3为源气体,采用反应磁控溅射法在双面抛光的316L不锈钢基片上制备出了系列Si和F共掺杂的DLC∶F∶Si薄膜。研究了射频输入功率对薄膜的附着力、硬度和表面接触角的影响。结果表明,选取适当的输入功率(180W左右... 以SiC陶瓷靶为靶材,Ar和CHF_3为源气体,采用反应磁控溅射法在双面抛光的316L不锈钢基片上制备出了系列Si和F共掺杂的DLC∶F∶Si薄膜。研究了射频输入功率对薄膜的附着力、硬度和表面接触角的影响。结果表明,选取适当的输入功率(180W左右)可以制备出附着力达11N的DLC∶F∶Si薄膜。通过拉曼和红外光谱分析以及样品粗糙度分析,作者提出了输入功率对DLC∶F∶Si薄膜结构和特性调制的机理,即输入功率直接影响SiC靶的溅射产额、空间Ar^+的能量以及CHF_3的分解程度,继而影响空间Si、C、-CF、-CF_2,特别是F~*等基团的能量和浓度,调制薄膜中F含量以及Si-C键含量和C网络的关联度。Si-C、C=C键的增加有助于薄膜附着力的明显改善,F含量的减少则会导致薄膜的疏水性能有所下降。 展开更多

关键词 DLC∶F∶Si薄膜 射频反应磁控溅射 附着力 共掺杂

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射频反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜摩擦特性研究 被引量：2

14

作者 王培君 江美福 +1 位作者 杜记龙 戴永丰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期8920-8926,共7页

以高纯石墨做靶,CHF3和Ar气为源气体,采用射频反应磁控溅射法在不同流量比条件下制备了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜.利用原子力显微镜、纳米压痕仪、拉曼光谱和红外光谱、摩擦磨损测试仪对薄膜的表面形貌、硬度、键结构以及摩擦性能做了具... 以高纯石墨做靶,CHF3和Ar气为源气体,采用射频反应磁控溅射法在不同流量比条件下制备了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜.利用原子力显微镜、纳米压痕仪、拉曼光谱和红外光谱、摩擦磨损测试仪对薄膜的表面形貌、硬度、键结构以及摩擦性能做了具体分析.表面形貌测试结果表明,制备的薄膜整体均匀致密,表现出了良好的减摩性能.当CHF3与Ar气流量比r为1:6时,所得薄膜的摩擦系数减小至0.42,而纳米压痕结果显示,此时薄膜的硬度也最高.拉曼和红外光谱显示,随着r的增加,薄膜中的F浓度呈上升趋势,薄膜中的芳香环比例减小.研究表明,F原子的键入方式是影响F-DLC薄膜摩擦系数的一个重要因素,CF2反对称伸缩振动强度的减弱和CC中适量碳氢氟键的形成都能导致薄膜具有相对较低的摩擦系数. 展开更多

关键词 摩擦性能 射频反应磁控溅射 氟化类金刚石薄膜

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SiC过渡层制备温度对碳化硅/氟化类金刚石复合薄膜血液相容性的影响 被引量：2

15

作者 佘清 江美福 +1 位作者 钱侬 潘越 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第18期327-335,共9页

以316L不锈钢为基底,SiC晶体为靶材,Ar为源气体,采用磁控溅射法在不同温度下制备出系列SiC过渡层.然后以高纯石墨作靶,Ar和CHF_3为源气体,在同一工艺条件下再续镀一层氟化类金刚石(F-DLC)薄膜,形成SiC/F-DLC复合薄膜.研究表明,相比于F-... 以316L不锈钢为基底,SiC晶体为靶材,Ar为源气体,采用磁控溅射法在不同温度下制备出系列SiC过渡层.然后以高纯石墨作靶,Ar和CHF_3为源气体,在同一工艺条件下再续镀一层氟化类金刚石(F-DLC)薄膜,形成SiC/F-DLC复合薄膜.研究表明,相比于F-DLC薄膜,复合薄膜的附着力显著增加,血液相容性明显改善.通过样品的拉曼和红外光谱分析了不同温度下制备的SiC过渡层以及复合薄膜结构的演变.结果表明,控制SiC过渡层制备温度可以有效调制过渡层中C=C键的比例以及—C—C—不饱和键的密度,复合薄膜中保留较高比例的芳香环式结构以及合适的F/C比是薄膜的血液相容性得以进一步改善的原因,SiC过渡层制备温度控制在500℃左右效果尤为明显.SiC薄膜和F-DLC两种薄膜的界面处形成一定比例的Si—C键和C=C键是导致复合薄膜附着力显著上升的直接原因.适当条件下在316L不锈钢和F-DLC薄膜之间增加SiC过渡层对于增强薄膜的附着力、改善其血液相容性是可行、有效的. 展开更多

关键词 磁控溅射 血液相容性 附着力 SIC F—DLC复合薄膜

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人丝织物涂料印花的微波处理 被引量：2

16

作者 江美福 俞镛原 《微波学报》 CSCD 北大核心 1999年第3期287-291,共5页

实验表明，与常规蒸汽焙烘工艺相比，人丝织物涂料印花采用微波辐射处理可提高其摩擦牢度，节能效果显著。

关键词 微波辐射 人丝织物 涂料印花 摩擦牢度

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退火温度对用PⅢ方法制备共掺杂p型ZnO薄膜结构和性能的影响 被引量：2

17

作者 杜记龙 江美福 +2 位作者 张树宇 王培君 辛煜 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2011年第1期52-57,共6页

采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO:Al薄膜,以NO和O2为源气体(V(O2)/V(O2+NO)=75%),采用等离子体浸没离子注入(PⅢ)方法对薄膜进行注入得到ZnO:Al:N薄膜,注入剂量为2.23×1015 cm-2,并在N2氛围下对样品进行了不同温度的退火处理.通... 采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO:Al薄膜,以NO和O2为源气体(V(O2)/V(O2+NO)=75%),采用等离子体浸没离子注入(PⅢ)方法对薄膜进行注入得到ZnO:Al:N薄膜,注入剂量为2.23×1015 cm-2,并在N2氛围下对样品进行了不同温度的退火处理.通过XRD图谱、霍尔效应(Hall)测试结果、紫外-可见光透射光谱等对样品的结构和性能进行了分析,着重研究了退火温度对ZnO:Al:N薄膜性质的影响.结果表明,退火可以使注入产生的ZnO(N2)3团簇分解,并且使N以替位O的方式存在.当退火温度达到850℃时,ZnO薄膜实现了p型反转,实现p型反转的ZnO:Al:N薄膜载流子浓度可达3.68×1012 cm-3,电阻率为11.2Ω.cm,霍耳迁移率为31.4 cm2.V-1.s-1. 展开更多

关键词 等离子体浸没离子注入 p-ZnO 磁控溅射 共掺杂

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Si过渡层对氟化类金刚石薄膜附着特性的影响 被引量：1

18

作者 杨亦赏 江舸 +1 位作者 周杨 江美福 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2012年第4期51-57,共7页

研究了不锈钢基片上Si过渡层对F-DLC薄膜附着特性的影响.采用反应磁控溅射法,以Ar为源气体,在316L不锈钢基片制备了Si薄层,并在Si薄层上沉积了F-DLC薄膜,通过划痕实验测试了各个样品的膜/基结合强度.结果表明,引入Si过渡层可以明显增强... 研究了不锈钢基片上Si过渡层对F-DLC薄膜附着特性的影响.采用反应磁控溅射法,以Ar为源气体,在316L不锈钢基片制备了Si薄层,并在Si薄层上沉积了F-DLC薄膜,通过划痕实验测试了各个样品的膜/基结合强度.结果表明,引入Si过渡层可以明显增强氟化类金刚石薄膜和不锈钢基片之间的结合强度,在200 W下制备的Si过渡层上,F-DLC薄膜的结合强度最佳.根据薄膜表面形貌的扫描电镜观察、晶粒尺寸的分析以及薄膜键结构的红外光谱、拉曼光谱分析,F-DLC薄膜的结合强度与Si—C键等基团的形成、含量以及Si的键入方式有关. 展开更多

关键词 磁控溅射 Si过渡层 氟化类金刚石薄膜 结合强度

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反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜摩擦特性的研究 被引量：1

19

作者 王培君 江美福 +2 位作者 辛煜 杜记龙 戴永丰 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2010年第2期66-72,共7页

以高纯石墨做靶、CHF3/Ar为源气体采用磁控溅射法在不同射频功率条件下制备了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜.利用原子力显微镜、纳米压痕、拉曼光谱、红外光谱和摩擦磨损测试仪对薄膜的表面形貌、硬度、键态结构以及摩擦学性能作了具体分析.... 以高纯石墨做靶、CHF3/Ar为源气体采用磁控溅射法在不同射频功率条件下制备了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜.利用原子力显微镜、纳米压痕、拉曼光谱、红外光谱和摩擦磨损测试仪对薄膜的表面形貌、硬度、键态结构以及摩擦学性能作了具体分析.测试结果表明,制备的薄膜整体较均匀致密,表现出了良好的抗磨减摩性能.当射频功率为120W时,薄膜的摩擦因数低至0.41左右.AFM和纳米压痕显示,薄膜摩擦因数受表面粗糙度和硬度影响,但并非成单调对应关系.拉曼和红外透射光谱表明,随着功率的增加,薄膜中的芳香环比例增加,sp3杂化含量减小,结果显示,CF2反振动强度的减弱和C—C链中较少量H原子的键入都可能得到相对较低的薄膜摩擦因数. 展开更多

关键词 摩擦性能 射频输入功率 反应磁控溅射 氟化类金刚石薄膜

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膜厚对AZO∶Si薄膜性能的影响

20

作者 周杨 江美福 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期529-534,597,共7页

近年来,Si基ZnO∶Al透明导电薄膜界面处Si的渗透对薄膜性能的影响引起了人们的关注。本文采用射频磁控溅射法,在石英和Si衬底上沉积了不同厚度的Al、Si弱掺杂(1wt.%)的ZnO薄膜(AZO∶Si),系统研究了膜厚(等价于Si的渗透深度)对薄膜电学... 近年来,Si基ZnO∶Al透明导电薄膜界面处Si的渗透对薄膜性能的影响引起了人们的关注。本文采用射频磁控溅射法,在石英和Si衬底上沉积了不同厚度的Al、Si弱掺杂(1wt.%)的ZnO薄膜(AZO∶Si),系统研究了膜厚(等价于Si的渗透深度)对薄膜电学、光学性质的影响。结果显示,膜厚在几十nm时,薄膜的电阻率、载流子浓度和迁移率都强烈地依赖于膜厚,在膜厚为19nm时,载流子浓度和迁移率接近最小,电阻率较大,且呈现p型导电特性。随着膜厚增加,载流子浓度和迁移率都变大,电阻率减小并趋于稳定,膜厚在396nm附近时电阻率最小是7×10-3Ωc#m,此时的载流子浓度和迁移率分别是1.54×1020cm-3和5.66cm2 V-1s-1。膜厚达300nm以上时,Si的影响已可忽略。结合薄膜的X射线衍射(XRD)图谱、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见光(UV-Vis)透射光谱探讨了膜厚(Si的渗透深度或过渡层厚度)对薄膜性能的影响及其相关机制。 展开更多

关键词 AZO∶Si 磁控溅射 膜厚 电光性质

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