LED光输出特性随管芯封装位置变化 被引量：7

1

作者 林秀华 江炳熙 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期151-155,共5页

借助2001型程控 LED 光电参数测试仪,分别测量了φ5和φ3两种系列 LED在相同封装条件下,LED 管芯位置高度不同对法向光输出强度及其空间角分布的影响,并从几何光学成像原理进行了分析。

关键词 发光二极管 法向光谱 几何光学

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O_3有效钝化多孔硅的研究 被引量：5

2

作者 黄燕华 陈松岩 江炳熙 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期450-454,共5页

开发了用O3氧化钝化多孔Si(PS)的实用工艺方法。O3的基本作用是对Si-Hx和Si悬挂键(DB)的充分氧化,经过随后158 d贮存的老化实验,得到了表面Si-Hx键完全被Si-Ox膜和Si-烷基膜所替代并覆盖的PS,其光致发光(PL)强度达到稳定的增强,这归因... 开发了用O3氧化钝化多孔Si(PS)的实用工艺方法。O3的基本作用是对Si-Hx和Si悬挂键(DB)的充分氧化,经过随后158 d贮存的老化实验,得到了表面Si-Hx键完全被Si-Ox膜和Si-烷基膜所替代并覆盖的PS,其光致发光(PL)强度达到稳定的增强,这归因于PS纳米晶粒的表面势垒高度的提高以及量子效率的提高。 展开更多

关键词 多孔Si(PS) 光致发光(PL) 臭氧处理(OT) 傅立叶变换红外吸收谱(FTIR)

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掺铒硫化锌薄膜电致发光的动态特性

3

作者 柳兆洪 江炳熙 +1 位作者 陈谋智 刘瑞堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第9期1767-1772,共6页

报道了用分舟热蒸发研制的掺饵硫化锌薄膜器件电致发光的动态特性．运用多段式指数衰减公式与高斯函数的乘积来描述薄膜发光的瞬态过程，理论结果与实验数据十分接近，表明薄膜的陷阱能级对器件发光的弛豫效应产生了影响．

关键词 掺铒 硫化锌 薄膜 电致发光 动态特性

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用CH_3CSNH_2钝化GaP表面特性的研究 被引量：1

4

作者 林秀华 徐富春 江炳熙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期115-119,共5页

借助扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、Ｘ光电子能谱仪（ＸＰＳ）研究在不同处理条件下，ＧａＰ晶片表面硫化物钝化对其结构、形态以及表面形貌的影响。实验结果表明：经过ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液一定时间钝化处理后，ＧａＰ表面氧化物基本消失... 借助扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、Ｘ光电子能谱仪（ＸＰＳ）研究在不同处理条件下，ＧａＰ晶片表面硫化物钝化对其结构、形态以及表面形貌的影响。实验结果表明：经过ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液一定时间钝化处理后，ＧａＰ表面氧化物基本消失，形成薄的硫化物钝化层和较强的Ｇａ—Ｓ、Ｐ—Ｓ键，并引起Ｘ光电子能谱的Ｇａ、Ｐ芯能级化学位移，Ｇａ的硫化物有较好的稳定性。 展开更多

关键词 硫代乙酰胺 表面性质 钝化

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YAlO_3:Er^(3+)晶体偏振荧光的异常现象

5

作者 江炳熙 廖远琰 李敢生 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期85-88,共4页

观察到偏振光谱依赖于激发光波矢的异常现象.归因于各群稀土离子激发几率随激发光传播方向不同而变化的结果.所导出的爱因斯坦自发发射系数表达式定性地解释了实验结果.

关键词 偏振荧光 YAlO₃ Er³⁺晶体 各向异性

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不同掺杂浓度Tm^(3+)在YVO_4晶体中光吸收各向异性的研究

6

作者 林秀华 江炳熙 李雪松 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 1999年第4期351-354,共4页

在室温下测量了３ 种不同的掺杂浓度（６０ ａｔ％ ，４．０ ａｔ％ ，３．２ ａｔ％ ） Ｙ Ｖ Ｏ４： Ｔｍ ３＋ 在２００～９００ ｎｍ波段的吸收光谱。结果指出， Ｔｍ ３＋ 掺杂的 Ｙ Ｖ Ｏ４ 晶体光吸收值随 Ｔｍ ３＋ 浓度而变... 在室温下测量了３ 种不同的掺杂浓度（６０ ａｔ％ ，４．０ ａｔ％ ，３．２ ａｔ％ ） Ｙ Ｖ Ｏ４： Ｔｍ ３＋ 在２００～９００ ｎｍ波段的吸收光谱。结果指出， Ｔｍ ３＋ 掺杂的 Ｙ Ｖ Ｏ４ 晶体光吸收值随 Ｔｍ ３＋ 浓度而变化，每一谱带形状和结构是相似的；而高掺杂浓度 Ｔｍ ３＋ 的光吸收相对强度比低掺杂浓度的 Ｙ Ｖ Ｏ４ 吸收强；不同晶轴 Ｙ Ｖ Ｏ４ 晶体吸收质显示出各向异性。观察到在ａ 晶轴含有π和σ偏振的吸收谱。简要地讨论了 Ｔｍ ３＋ ： Ｙ Ｖ Ｏ４ 光吸收能级跃迁性质。 展开更多

关键词 YVO4晶体 光吸收谱 光学各向异性 铥 掺杂

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等电子施、受主杂质共掺的磷化镓发光特性和能量转移

7

作者 刘晓 江炳熙 +2 位作者 林秀华 廖远琰 袁路娃 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第2期93-99,共7页

本文研究了液相外延生长的不同掺Bi,N浓度GaP∶(Bi_7N)材料的低温光致荧光光谱,观察到了N谱线“猝灭”和Bi束缚激子发光增强的现象.这可以解释为束缚激子由等电子受主N向等电子施主Bi隧穿能量转移的结果.变激发密度下各中心发光强度的... 本文研究了液相外延生长的不同掺Bi,N浓度GaP∶(Bi_7N)材料的低温光致荧光光谱,观察到了N谱线“猝灭”和Bi束缚激子发光增强的现象.这可以解释为束缚激子由等电子受主N向等电子施主Bi隧穿能量转移的结果.变激发密度下各中心发光强度的变化关系以及与GaP∶(Bi)材料的实验结果比较,为这一能量转移过程提供了进一步的论据. 展开更多

关键词 磷化镓 等电子陷阱 光致发光

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p-GaP/Au-Sb/Au-Zn体系的接触界面

8

作者 林秀华 江炳熙 徐富春 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期34-38,共5页

采用X光电子能谱(XPS)研究了Au-Zn/Au-Sb与p-GaP接触体系的界面结构及其组分随着A_r^+溅射刻蚀深度的变化,实验结果表明,在一定的合金温度下由于GaP和Au-Zn/Au-Sb层之间金属-半导体互扩散生成Au-Ga反应层,GaSb化合物并含有Zn的原子,Zn... 采用X光电子能谱(XPS)研究了Au-Zn/Au-Sb与p-GaP接触体系的界面结构及其组分随着A_r^+溅射刻蚀深度的变化,实验结果表明,在一定的合金温度下由于GaP和Au-Zn/Au-Sb层之间金属-半导体互扩散生成Au-Ga反应层,GaSb化合物并含有Zn的原子,Zn内扩散使界面形成一个较高掺杂浓度的再生长层,可改善M-S欧姆接触性质,此外,界面上还有碳、氧杂质的沾污,有效地清除半导体表面氧化层对于制好欧姆电极是重要的。 展开更多

关键词 接触界面 半导体 p-GaP化合物 XPS

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GaP:N晶体中束缚激子的辐射跃迁及其能量转移

9

作者 林秀华 江炳熙 +4 位作者 叶新民 王乃光 陈俊德 叶丽丽 鲁士平 《红外研究》 CSCD 北大核心 1989年第2期125-130,共6页

使用调QYAG:Nd激光器的三倍频脉冲光(λ=355nm)激发GaP:N晶体,测量了9.3～72.2K温度范围内样品的光致发光,研究了在10～250ns不同延迟时间的分辨光谱;借助瞬态谱仪和多道分析器测量了PL谱中NN_1、NN_2荧光强度衰减曲线。

关键词 磷化镓 束缚激子 辐射跃迁 晶体

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GaP:(Bi,N)的时间分辨光致发光谱

10

作者 叶新民 林秀华 +3 位作者 江炳熙 王乃光 陈俊德 叶丽丽 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期396-399,共4页

在9.3K到83K温度范围内测量了GaP:(Bi)和GaP:(Bi,N)样品的时间分辨光致发光谱。实验结果表明,在GaP:(Bi,N)中,由孤立N中心和NN_i(i≥3)中心到Bi中心的能量转移过程导致Bi发射带的增强。

关键词 时间分辨光谱 能量转移 GaP:(Bi.N)

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GaP：（N）的背景光谱和发光尖峰

11

作者 江炳熙 林秀华 方江陵 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期277-282,共6页

获得高分辨ＧａＰ：（Ｎ）光致发光光谱，观察到等电子陷阱束缚激子发光中ＬＯ（Γ）和ｌｏｃ多声子发射，其强度分布符合治松分布。将声子伴带区分为直接光跃迁和间接光跃迁，并进行了相应讨论．还观察到局域声子效应─—光谱相似定律... 获得高分辨ＧａＰ：（Ｎ）光致发光光谱，观察到等电子陷阱束缚激子发光中ＬＯ（Γ）和ｌｏｃ多声子发射，其强度分布符合治松分布。将声子伴带区分为直接光跃迁和间接光跃迁，并进行了相应讨论．还观察到局域声子效应─—光谱相似定律和相当显著的背景光谱． 展开更多

关键词 发光光谱 激子发光 磷化镓

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多声子尖峰叠加在连续钟形谱带上的发光光谱

12

作者 江炳熙 林秀华 +2 位作者 黄榕长 叶新民 陈朝 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期389-391,共3页

虽然有几个作者已经研究了GaP:(Bi),AlxGa1-xP:(Bi)的发光光谱,但涉及光谱的谱形和谱线展宽的本质等问题还没引起注意和得到讨论。本文介绍这两个材料的光谱研究结果,并就上述问题展开讨论。

关键词 发光光谱 钟形谱带 叠加 尖峰 声子

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YAlO_3:(Nd^(3+),Lu_(3+))单晶的各向异性吸收光谱 被引量：1

13

作者 张兴宏 江炳熙 +2 位作者 徐建成 林秀华 王占国 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期144-148,共5页

在室温下测量了ＹＡｌＯ３：（Ｎｄ３＋，Ｌｕ３＋）单晶三个晶轴方向的吸收光谱。其吸收谱带强度明显呈各向异性。将Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论加以修正，并扩展应用于处理各晶轴方向的吸收光谱。计算出相应于三个晶轴方向的各光谱带吸... 在室温下测量了ＹＡｌＯ３：（Ｎｄ３＋，Ｌｕ３＋）单晶三个晶轴方向的吸收光谱。其吸收谱带强度明显呈各向异性。将Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论加以修正，并扩展应用于处理各晶轴方向的吸收光谱。计算出相应于三个晶轴方向的各光谱带吸收截面和电偶极振子强度，求得三组跃迁强度唯象参数Ωｔ。 展开更多

关键词 铝酸钇晶体 激光晶体 吸收光谱 各向异性

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铒近红外发光的瞬态特性 被引量：1

14

作者 柳兆洪 林凡丝 +2 位作者 王余姜 刘瑞堂 江炳熙 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期31-34,共4页

报道了用分舟热蒸发研制的掺铒硫化锌薄膜器件的电致近红外发光的瞬态特性，首次运用多段式指数衰减公式与高斯函数复合，描述薄膜发光的瞬态过程，理论结果与实验数据十分接近，证实薄膜的定域能级对器件的弛豫发光产生了影响．

关键词 硫化锌薄膜 瞬态特性 铒 近红外发光器件

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光谱曲线拟合程序的开发与运行的技巧 被引量：1

15

作者 林秀华 江炳熙 +1 位作者 谢素原 陈丽容 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期297-302,共6页

针对固体中杂质发光光谱的特殊问题 ,以FORTRAN 77语言编写了多套曲线拟合程序 ,可分别适用于光滑型 ,散粒噪音叠加型及混合型光谱曲线的分解。并介绍了正确使用程序的技巧。对如何获得正确、可靠的拟合结果进行了讨论。

关键词 发光光谱 曲线拟合 固体 杂质 FORIRAN77 程序开发 运行技巧

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GaP:N液相外延层中杂质对PL谱的影响

16

作者 林秀华 江炳熙 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期51-55,共5页

借助低温光致发光方法测量了ＧａＰＮ双液相外延材料ＰＬ谱，结果表明：辐射复合效率高的材料ＰＬ谱基本上由孤立Ｎ和ＮＮｉ等束缚激子尖锐峰组成；发光效率较低的ＰＬ谱含有ＤＡ对辐射跃迁的钟形谱上迭加ＮＮｉ峰．分析了谱峰的性质。

关键词 液相外延 光致发光 辐射复合 磷化镓

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