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用MOCVD在ZnO/Al_2O_3衬底上生长GaN及其特性 被引量：11
1
作者 毛祥军 杨志坚 +2 位作者 李景 屈建勤 张国义 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期639-643,共5页
本文报道利用直流反应磁控溅射技术在 Ａｌ２ Ｏ３ 上生长一层 Ｚｎ Ｏ，再用 Ｌ Ｐ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ 在 Ｚｎ Ｏ／ Ａｌ２ Ｏ３ 衬底上生长 Ｇａ Ｎ．实验发现低温生长 Ｃａ Ｎ 过渡层有利于晶体质量的提高； Ｐ Ｌ 谱主峰红... 本文报道利用直流反应磁控溅射技术在 Ａｌ２ Ｏ３ 上生长一层 Ｚｎ Ｏ，再用 Ｌ Ｐ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ 在 Ｚｎ Ｏ／ Ａｌ２ Ｏ３ 衬底上生长 Ｇａ Ｎ．实验发现低温生长 Ｃａ Ｎ 过渡层有利于晶体质量的提高； Ｐ Ｌ 谱主峰红移到蓝光区；二次离子质谱仪（ Ｓ Ｉ Ｍ Ｓ）测量发现有 Ｚｎ 扩散到 Ｇａ Ｎ 外延层， Ｚｎ 的扩散引起光致发光谱主峰移动．估算出在 １０５０℃ Ｚｎ 在 Ｇａ Ｎ 中扩散系数是 ８６×１０－ １４ ｃｍ ２ ／ｓ． 展开更多
关键词 氮化镓 MOCVD 外延生长
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在ZnO/Al_2O_3衬底上生长高质量GaN单晶薄膜 被引量：1
2
作者 毛祥军 杨志坚 +1 位作者 张国义 叶志镇 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1999年第3期35-38,共4页
利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在ＺｎＯ／Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了ＧａＮ。实验发现低温生长ＧａＮ过渡层有利于晶体质量的提高；样品ＰＬ谱主峰红移到蓝光区。
关键词 衬底 氧化锌 氮化镓 单晶 薄膜 蓝色 LED
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快速退火Mg∶GaN的光致发光研究 被引量：1
3
作者 毛祥军 杨志坚 +4 位作者 金泗轩 童玉珍 王晶晶 李非 张国义 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第10期857-861,共5页
本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３ 衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ，在Ｎ２ 气氛下，经高温快速退火，然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ 和４５０ｎｍ 两个发光峰的叠加，本文对这两个峰的来源作了探讨... 本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３ 衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ，在Ｎ２ 气氛下，经高温快速退火，然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ 和４５０ｎｍ 两个发光峰的叠加，本文对这两个峰的来源作了探讨，提出深Ｎ 空位能级到Ｍｇ 展开更多
关键词 快速退火 光致发光 镁 氮化镓
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