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纳米硅薄膜结构分析 被引量：10
1
作者 何宇亮 殷晨钟 +2 位作者 程光煦 王路春 李齐 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第11期683-689,共7页
在常用的PECVD电容式耦合沉积系统中,使用高氢稀释硅烷为反应气氛,在r.f.+DC双重功率源激励下制备出具有纳米相结构的硅薄膜.使用HREM,Raman光散射,X射线衍射以及红外和紫外光谱分析手段广泛地检测了其结构特征.指出,纳米硅(nc-Si:H)薄... 在常用的PECVD电容式耦合沉积系统中,使用高氢稀释硅烷为反应气氛,在r.f.+DC双重功率源激励下制备出具有纳米相结构的硅薄膜.使用HREM,Raman光散射,X射线衍射以及红外和紫外光谱分析手段广泛地检测了其结构特征.指出,纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于具有一系列新的结构特征使它脱颖于熟知的 a-Si:H及 μc-Si:H范畴,从而显示出它自己的独特性能. 展开更多
关键词 薄膜 纳米硅
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纳米硅开关二极管及其应用 被引量：2
2
作者 翁寿松 殷晨钟 《电子元器件应用》 2002年第10期22-23,共2页
介绍了纳米硅开关二极管的电特性及其应用。
关键词 纳米硅二极管 开关二极管 纳米硅薄膜 应用
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纳米硅薄膜的新颖性能及其应用前景 被引量：1
3
作者 刘宏 何宇亮 +1 位作者 王岳云 殷晨钟 《高科技与产业化》 2010年第10期107-109,共3页
引言 纳米硅（nc-Si：H）薄膜是一种由大量硅细微晶粒（仅几个纳米nm大小）和包围着这些晶粒的晶间界面所组成的新型纳米电子材料。纳米硅薄膜（几个微米厚）中的晶粒是晶态的,晶粒大小为3～8 nm,占整个膜层的体积百分比的50%,另外50%... 引言 纳米硅（nc-Si：H）薄膜是一种由大量硅细微晶粒（仅几个纳米nm大小）和包围着这些晶粒的晶间界面所组成的新型纳米电子材料。纳米硅薄膜（几个微米厚）中的晶粒是晶态的,晶粒大小为3～8 nm,占整个膜层的体积百分比的50%,另外50%体积百分比则是由非晶态的硅原子构成的晶间界面区,其厚度为2～4个原子层。硅晶粒在薄膜中的分布是不规则的。 展开更多
关键词 纳米硅薄膜 应用 性能 纳米电子材料 微晶粒 晶粒大小 界面区 非晶态
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非晶硅钝化膜的热稳定性及其在可控硅元件上的应用
4
作者 殷晨钟 何宇亮 +2 位作者 孙月珍 陈春仙 谢启耀 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期154-158,共5页
实验报导了α-Si:H薄膜作为优质的硅器件钝化保护膜在可控硅元件上的应用.指出,它能大幅度提高元件的正反向击穿电压,改善温度特性,具有明显的经济效益.还指出,α-Si:H钝化膜能吸取c-Si界面上的杂质进一步促使硅器件的优化.本文还讨论... 实验报导了α-Si:H薄膜作为优质的硅器件钝化保护膜在可控硅元件上的应用.指出,它能大幅度提高元件的正反向击穿电压,改善温度特性,具有明显的经济效益.还指出,α-Si:H钝化膜能吸取c-Si界面上的杂质进一步促使硅器件的优化.本文还讨论了提高α-Si:H钝化保护膜热稳定性的途径. 展开更多
关键词 非晶硅膜 热稳定 应用 晶闸管
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