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氧流量对绒面氧化锌透明导电薄膜性能的影响 被引量：12
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作者 段苓伟 薛俊明 +2 位作者 杨瑞霞 赵颖 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1206-1209,共4页
利用中频脉冲磁控溅射工艺制备了低阻高透过率的ZAO薄膜,用湿法腐蚀的方法将制备的平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间得到绒面ZAO薄膜。研究了氧流量对腐蚀后薄膜表面形貌的影响。结果表明,随着氧流量的增大腐蚀后薄膜的表面形... 利用中频脉冲磁控溅射工艺制备了低阻高透过率的ZAO薄膜,用湿法腐蚀的方法将制备的平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间得到绒面ZAO薄膜。研究了氧流量对腐蚀后薄膜表面形貌的影响。结果表明,随着氧流量的增大腐蚀后薄膜的表面形貌由花瓣状逐渐为适合太阳电池的陨石坑状,在氧流量为3.6sc-cm时(氩流量为12sccm)得到最好的绒面ZAO薄膜,继续增加氧流量,薄膜开始变得粗糙,说明薄膜的表面形貌又变差。 展开更多
关键词 中频溅射 ZnO:Al(ZAO)薄膜 氧流量 绒面结构 湿法腐蚀
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用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳电池ZnO/Al背反射电极 被引量：7
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作者 薛俊明 孙建 +6 位作者 任慧志 刘云周 段苓伟 周祯华 张德坤 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1283-1287,共5页
本文首先在低温（140℃）和低功率下采用Zn：Al合金靶直流反应磁控溅射法研制ZnO：Al透明导电膜。然后在单结（glass／SnO2／pin／）或双结（glass／SnO2／pin／pin／）非晶硅电池上沉积约70-100nm厚的ZnO透明导电膜，最后再用电阻蒸发... 本文首先在低温（140℃）和低功率下采用Zn：Al合金靶直流反应磁控溅射法研制ZnO：Al透明导电膜。然后在单结（glass／SnO2／pin／）或双结（glass／SnO2／pin／pin／）非晶硅电池上沉积约70-100nm厚的ZnO透明导电膜，最后再用电阻蒸发法沉积Al电极。实验获得了较好的n^＋／ZnO界面，实现了ZnO／Al背电极的增反作用，使电池的短路电流增加1-3mA／cm^2，光电转化效率提高1—3％（绝对效率），小面积电池效率达到9．5％。 展开更多
关键词 非晶硅电池 ZnO/Al复合背电极 背反射 短路电流 转换效率
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用脉冲电源溅射ZnO薄膜时脉冲及工艺条件对靶电压的影响 被引量：4
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作者 薛俊明 侯国付 +4 位作者 王雅欣 段苓伟 刘丽杰 赵颖 耿新华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期426-429,共4页
用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻。本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn∶Al合金靶反应溅射制备ZnO∶Al透明导电膜时... 用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻。本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn∶Al合金靶反应溅射制备ZnO∶Al透明导电膜时,脉冲参数,如脉冲频率、反向脉冲幅度、反向脉冲时间、功率、氧氩比、溅射气压等工艺条件对靶电压的影响。结果表明,延长反向脉冲时间是降低靶电压的最有效方法。当反向时间由2μs增加到10μs时,靶电压降低了60%以上。 展开更多
关键词 中频脉冲 ZnO∶Al透明导电膜 磁控溅射 靶电压
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