通过阳极氧化法在铜基体上生成Cu（OH）2纳米针阵列,以此为基体,使用脉冲电沉积法制备Cu（OH）2-Sb Sn前驱体,在400℃下煅烧2 h,得到Cu-O-Sb-Sn复合电极。用XRD、SEM和充放电测试,分析产物物相组成、形貌结构与电化学性能的关系。热处理...通过阳极氧化法在铜基体上生成Cu（OH）2纳米针阵列,以此为基体,使用脉冲电沉积法制备Cu（OH）2-Sb Sn前驱体,在400℃下煅烧2 h,得到Cu-O-Sb-Sn复合电极。用XRD、SEM和充放电测试,分析产物物相组成、形貌结构与电化学性能的关系。热处理后,具有纳米针阵列的Cu-O-Sb-Sn复合电极性能较好。以0.15 m A/cm^2的电流密度在0.01-1.80 V充放电,首次可逆容量密度为1.68 m Ah/cm^2,第50次循环的可逆容量密度为1.15 m Ah/cm^2。热处理过程中生成的复杂多相和稳定的纳米针阵列结构,可提供足够的空间来缓解活性物质在充放电过程中的体积变化。展开更多
文摘通过阳极氧化法在铜基体上生成Cu（OH）2纳米针阵列,以此为基体,使用脉冲电沉积法制备Cu（OH）2-Sb Sn前驱体,在400℃下煅烧2 h,得到Cu-O-Sb-Sn复合电极。用XRD、SEM和充放电测试,分析产物物相组成、形貌结构与电化学性能的关系。热处理后,具有纳米针阵列的Cu-O-Sb-Sn复合电极性能较好。以0.15 m A/cm^2的电流密度在0.01-1.80 V充放电,首次可逆容量密度为1.68 m Ah/cm^2,第50次循环的可逆容量密度为1.15 m Ah/cm^2。热处理过程中生成的复杂多相和稳定的纳米针阵列结构,可提供足够的空间来缓解活性物质在充放电过程中的体积变化。
