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退火温度对二氧化钛薄膜结构和浸润性能的影响 被引量：1
1
作者 李晓敏 武英桐 +2 位作者 白睿 王东伟 黄美东 《真空》 CAS 2020年第3期21-24,共4页
采用多弧离子镀技术在玻璃上沉积单质Ti薄膜,利用稳压电源对单质Ti薄膜进行阳极氧化,随后在不同温度下对其进行退火处理,研究了退火温度对TiO2薄膜结构和浸润性能的影响。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、接触角测量仪分别测试薄膜样... 采用多弧离子镀技术在玻璃上沉积单质Ti薄膜,利用稳压电源对单质Ti薄膜进行阳极氧化,随后在不同温度下对其进行退火处理,研究了退火温度对TiO2薄膜结构和浸润性能的影响。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、接触角测量仪分别测试薄膜样品的微观结构、表面形貌和浸润性。结果表明:退火处理使薄膜样品由处理前的非晶态转变成晶态,随着退火温度的升高,薄膜由锐钛矿相转变为金红石相;薄膜表面依次出现了螺旋线、纳米线、团絮状结构;接触角先增大后减小。退火温度为500℃时,薄膜样品的疏水性能最好,其接触角平均值最大,为121.78°。 展开更多
关键词 TIO2薄膜 阳极氧化 退火温度 疏水性
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脉冲负偏压对直流磁控溅射碳膜结构和性能的影响 被引量：1
2
作者 刘婵 王东伟 +2 位作者 李晓敏 武英桐 黄美东 《真空》 CAS 2019年第2期69-73,共5页
通过直流磁控溅射技术在基体(硅片、高速钢、钢片)上沉积碳膜。保持其它工艺参数基本恒定,探究薄膜在100V-400V脉冲负偏压下,结构和性能的变化规律。实验结果表明,这种碳膜为非晶态硬质薄膜,具有较好表面形貌,且随着脉冲偏压数值的逐渐... 通过直流磁控溅射技术在基体(硅片、高速钢、钢片)上沉积碳膜。保持其它工艺参数基本恒定,探究薄膜在100V-400V脉冲负偏压下,结构和性能的变化规律。实验结果表明,这种碳膜为非晶态硬质薄膜,具有较好表面形貌,且随着脉冲偏压数值的逐渐增加,其厚度、沉积速率和硬度均呈现先增大后减小的趋势,而摩擦系数则先减小后增大。当脉冲负偏压为200 V时,薄膜具有最佳的力学性能。 展开更多
关键词 磁控溅射 碳膜 脉冲负偏压 硬度
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一种新型透明导电（Cu,Al）∶ZnO薄膜的结构和性能研究 被引量：1
3
作者 郭云鹏 白睿 +2 位作者 李晓敏 武英桐 黄美东 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2019年第11期10-13,共4页
利用FJL560CI2型磁控溅射仪制备了铜铝共掺杂氧化锌的(Cu,Al)∶ZnO薄膜样品。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和分光光度计测试研究了氧分压对薄膜微观结构和光学性能的影响。结果表明,不同氧分压下获得的薄膜均具有六角纤锌矿多晶结构... 利用FJL560CI2型磁控溅射仪制备了铜铝共掺杂氧化锌的(Cu,Al)∶ZnO薄膜样品。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和分光光度计测试研究了氧分压对薄膜微观结构和光学性能的影响。结果表明,不同氧分压下获得的薄膜均具有六角纤锌矿多晶结构,沿c轴择优生长。薄膜的晶粒尺寸随着氧分压的增大逐渐变小。相对于纯氧化锌或仅进行Al掺杂,在同时掺杂Cu、Al之后,(Cu,Al)∶ZnO薄膜的电阻率下降到了10-5Ω·cm数量级,而平均光学透过率保持在90%以上,具有良好的透光性能,是一种具有潜在应用价值的新型透明导电薄膜。氧分压影响薄膜的晶粒尺寸进而影响其光电性能。 展开更多
关键词 铜铝掺杂氧化锌 透明导电薄膜 晶粒尺寸 光学性能
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真空退火温度对磁控溅射氧化钒薄膜结构和光学性能的影响 被引量：1
4
作者 白睿 武英桐 +2 位作者 李晓敏 宋鸿佳 黄美东 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2020年第11期25-28,共4页
通过磁控溅射法在玻璃基底上制备氧化钒薄膜样品。由于沉积温度较低,薄膜样品呈非晶态且不透明。为使薄膜样品晶化,并有效抑制其过度氧化,将样品在管式真空炉中进行退火处理。本文重点研究了退火温度对薄膜结构和在可见至近红外波段光... 通过磁控溅射法在玻璃基底上制备氧化钒薄膜样品。由于沉积温度较低,薄膜样品呈非晶态且不透明。为使薄膜样品晶化,并有效抑制其过度氧化,将样品在管式真空炉中进行退火处理。本文重点研究了退火温度对薄膜结构和在可见至近红外波段光学性能的影响,退火温度的调节范围为300~550℃,退火时间固定为120 min。研究发现,随退火温度升高,薄膜样品的结晶度越好,当温度达到500℃时,薄膜样品结晶最好,薄膜基本由纯VO2相构成,且透光性能最好。随着退火温度进一步提高,薄膜中出现杂相,光学性能反而下降。 展开更多
关键词 磁控溅射 氧化钒薄膜 光学性能 真空退火 晶化
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附加偏置电场对电弧离子镀TiN薄膜结构和性能的影响
5
作者 武英桐 李晓敏 +3 位作者 白睿 王东伟 王宇 黄美东 《真空》 CAS 2021年第1期63-66,共4页
为了改善电弧离子镀薄膜表面存在的大颗粒污染问题,在真空室内附加一个与靶-基连线垂直的偏置电场,探究不同偏置电压对薄膜表面形貌、微观结构和力学性能的影响规律。结果表明,不同电压下TiN薄膜均呈晶态,沿(111)晶面择优生长,薄膜的微... 为了改善电弧离子镀薄膜表面存在的大颗粒污染问题,在真空室内附加一个与靶-基连线垂直的偏置电场,探究不同偏置电压对薄膜表面形貌、微观结构和力学性能的影响规律。结果表明,不同电压下TiN薄膜均呈晶态,沿(111)晶面择优生长,薄膜的微观结构受偏置电场的影响很小。随偏置电压增大,薄膜的结合力、显微硬度呈现先增后减趋势,在24V时均达最大值,电压进一步增大到32V时,结合力和显微硬度反而有少许下降。偏置电场可以有效改善薄膜表面形貌,当电压为32V时,薄膜表面质量最好,摩擦因数仅为0.115。 展开更多
关键词 电弧离子镀 偏置电场 表面形貌 显微硬度 结合力
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