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硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究 被引量：39
1
作者 王阳元 武国英 +5 位作者 郝一龙 张大成 肖志雄 李婷 张国炳 张锦文 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1577-1584,共8页
本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了... 本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件 ;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应 ;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究 .表面牺牲层工艺主要进行了下列研究 :多晶硅薄膜应力控制工艺 ; 展开更多
关键词 硅基 MEMS标准工艺 高深宽比刻蚀 键合 多晶硅 应力 防粘附 微机电系统 半导体
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多晶硅薄膜应力特性研究 被引量：25
2
作者 张国炳 郝一龙 +3 位作者 田大宇 刘诗美 王铁松 武国英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期463-467,共5页
本文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果，用ＸＲＤ、ＲＥＤ等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成．结果表明，ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征... 本文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果，用ＸＲＤ、ＲＥＤ等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成．结果表明，ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力，其内应力受淀积条件、微结构组成等因素的影响．采用快速退火（ＲＴＡ）可以使其压应力松弛，减小其内应力，并可使其转变成为本征张应力，以满足在微机电系统（ＭＥＭＳ）制备中的要求． 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 VLSI LPCVD 制备 应力特性
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微夹钳研究的进展与展望 被引量：18
3
作者 张培玉 武国英 +1 位作者 郝一龙 李志军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2000年第3期292-296,共5页
微夹钳技术是微机械技术的重要内容之一。本文首先论述了微夹钳的应用背景，回顾了微夹钳技术研究的历史及现状；对目前国内外所研究的微夹钳进行了分类，并对其结构工艺与工作原理进行了分析；最后，对微夹钳技术的发展进行了展望。
关键词 微夹钳 微机电系统 微执行机构
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Au-AlGaN/GaN HFET研制与器件特性 被引量：14
4
作者 张锦文 闫桂珍 +3 位作者 张太平 王玮 宁宝俊 武国英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期424-427,共4页
报道了栅长为 1.5 μm Au- Al Ga N/ Ga N HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果 .同时 ,研究了器件经30 0℃、30 min热处理对器件性能的影响 ,并对比了热处理前后器件的室温特性 .实验证明 :室温下 ,器件具有良好的输出特性和肖特... 报道了栅长为 1.5 μm Au- Al Ga N/ Ga N HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果 .同时 ,研究了器件经30 0℃、30 min热处理对器件性能的影响 ,并对比了热处理前后器件的室温特性 .实验证明 :室温下 ,器件具有良好的输出特性和肖特基结伏安特性 ,反向漏电流较小 ,最大跨导可达 47m S/ mm;经过 30 0℃、30 m in热处理后器件的室温输出特性有显著改善 ,而且器件饱和压降明显降低 ,说明 30 展开更多
关键词 ALGAN/GAN HFET 输出特性 器件特性
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微结构气体传感器的研究现状及展望 被引量：6
5
作者 徐涛 武国英 《电子科技导报》 1999年第6期23-28,共6页
对微结构气体传感器现有的各种结构形式和研究现状进行了综述，并对它的发展趋势进行了展望。
关键词 气体传感器 微型传感器 微机械结构 传感器
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微机械惯性传感器 被引量：1
6
作者 李志宏 杨振川 武国英 《电子科技导报》 1999年第8期19-24,共6页
综述微机械惯性传感器的基本工作原理和典型的器件结构，展望它的未来发展趋势。
关键词 微机械惯性传感器 加速度计 陀螺 微电子机械系统
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Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性 被引量：10
7
作者 张锦文 张太平 +2 位作者 王玮 宁宝俊 武国英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期737-740,共4页
研究了溅射 Ti/ Al/ Ti/ Au四层复合金属与 Al Ga N / Ga N的欧姆接触特性 ,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究 .试验证实 :溅射的 Ti/ Al/ Ti/ Au与载流子浓度为 2 .2 4× 10 1 8cm- 3的 Al Ga N之间在室温下无需退... 研究了溅射 Ti/ Al/ Ti/ Au四层复合金属与 Al Ga N / Ga N的欧姆接触特性 ,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究 .试验证实 :溅射的 Ti/ Al/ Ti/ Au与载流子浓度为 2 .2 4× 10 1 8cm- 3的 Al Ga N之间在室温下无需退火即可形成欧姆接触 .随快速退火温度的升高接触电阻降低 .快速退火时间 30 s已可实现该温度下最佳欧姆接触 .当工作温度不高于 30 展开更多
关键词 ALGAN 欧姆接触 硅 铜 铝 钛 半导体材料
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测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法 被引量：4
8
作者 杨恒 鲍敏杭 +3 位作者 沈绍群 李昕欣 张大成 武国英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期504-508,共5页
介绍了一种测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法 .硅各向异性腐蚀速率三维分布可由一系列晶面上的二维腐蚀速率分布表示 .利用深反应离子刻蚀技术 ( DRIE)在 {0 mn}硅片上制作出侧壁垂直于硅片表面的矩形槽 ,测量槽宽度在腐蚀前后的变... 介绍了一种测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法 .硅各向异性腐蚀速率三维分布可由一系列晶面上的二维腐蚀速率分布表示 .利用深反应离子刻蚀技术 ( DRIE)在 {0 mn}硅片上制作出侧壁垂直于硅片表面的矩形槽 ,测量槽宽度在腐蚀前后的变化 ,就可测定各 {0 mn}面上的二维腐蚀速率分布 .将二维腐蚀速率分布组合在一起就得到了三维腐蚀速率分布 .由于 DRIE制作的垂直侧壁深度大 ,可耐受较长时间的各向异性腐蚀 ,所以只需使用一般的显微镜就能得到准确的结果 .实验得到了 40 % KOH和 2 5% TMAH中 {n1 0 }和 {n1 1 展开更多
关键词 硅 各向异性腐蚀 深反应离子刻蚀 速率分布
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风景园林规划设计及植物配置微探 被引量：11
9
作者 武国英 《山西建筑》 2019年第9期202-203,共2页
围绕风景园林规划设计与植物配置展开探讨,介绍了风景园林设计的规划要点,简述了其设计原则,并提出完善设计水平的有效途径,以期推动城市园林的建设发展。
关键词 风景园林 规划设计 植物配置
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试分析园林工程中园林施工新工艺的应用 被引量：11
10
作者 武国英 《建材与装饰》 2018年第45期46-47,共2页
在最近的十几年间,我国社会经济高速发展,城市化进程也日趋完善,我国人民在物质生活大幅度提高的同时对于生活环境也有了更高的要求。园林工程对于市容市貌具有很大的提升作用,所以在现阶段我国各大城市中被广泛的建设。虽然建设范围广... 在最近的十几年间,我国社会经济高速发展,城市化进程也日趋完善,我国人民在物质生活大幅度提高的同时对于生活环境也有了更高的要求。园林工程对于市容市貌具有很大的提升作用,所以在现阶段我国各大城市中被广泛的建设。虽然建设范围广,数量多但是在园林景观施工的实际现场中还是存在着许多问题的。为了解决原有传统施工手段所存在的问题,我国园林工程的专业人员已经研究出了适合园林施工的新型工艺。本文从我国现阶段园林工程新工艺的使用情况入手进行分析,找出了园林工程新工艺在各方面需要注意的一些问题,并经过讨论得出了问题的具体解决办法与改进方案,希望可以对从事园林工程工作的专业人员在后期工作中起到一定的帮助作用。 展开更多
关键词 园林工程 施工新工艺 应用
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硅表面牺牲层技术 被引量：2
11
作者 郝一龙 李志宏 +1 位作者 张大成 武国英 《电子科技导报》 1999年第12期16-20,共5页
着重介绍了硅ＭＥＭＳ加工技术中的表面牺牲层技术及其应用，并给出了我国ＭＥＭＳ 发展的概况。
关键词 硅 MEMS 表面牺牲层技术
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Au-GaN肖特基结的伏安特性 被引量：4
12
作者 林兆军 张太平 +5 位作者 武国英 王玮 阎桂珍 孙殿照 张建平 张国义 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期369-372,共4页
在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 .分析表明 :Ga
关键词 MBE MOCVD 肖特基结 伏安特性 氮化镓
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具有隔离结构的横向接触式体硅微机械继电器 被引量：4
13
作者 杨振川 李婷 +1 位作者 郝一龙 武国英 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期397-401,共5页
介绍了一种横向接触式体硅微机械继电器。这种继电器采用硅 玻璃键合及深刻蚀(DRIE)工艺加工 ,并利用多晶硅填槽形成隔离结构。继电器采用静电激励 ,横向驱动。分析了继电器静电激励的阈值电压 ,介绍了一种在有限元仿真工具ANSYSTM 下... 介绍了一种横向接触式体硅微机械继电器。这种继电器采用硅 玻璃键合及深刻蚀(DRIE)工艺加工 ,并利用多晶硅填槽形成隔离结构。继电器采用静电激励 ,横向驱动。分析了继电器静电激励的阈值电压 ,介绍了一种在有限元仿真工具ANSYSTM 下用降解模型 (ROM)分析阈值电压的方法 。 展开更多
关键词 微机电系统 微型继电器 有限元仿真 耦合分析 降解模型
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1微米自对准CoSi_2 SALICIDE MOS技术研究 被引量：3
14
作者 徐立 武国英 +1 位作者 张国炳 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期360-366,T001,共8页
针对微米与亚微米器件对自对准硅化物技术的要求,本文报道了沟道长度为1微米的自对准CoSi_2硅化物化MOSFET(SALICIDE)技术的实验结果.首先研究了CoSi_2薄膜形成动力学和膜性质,随后着重研究并讨论了与自对准CoSi_2技术有关的一些重要问... 针对微米与亚微米器件对自对准硅化物技术的要求,本文报道了沟道长度为1微米的自对准CoSi_2硅化物化MOSFET(SALICIDE)技术的实验结果.首先研究了CoSi_2薄膜形成动力学和膜性质,随后着重研究并讨论了与自对准CoSi_2技术有关的一些重要问题,包括各向异性刻蚀、选择腐蚀和栅侧壁氧化物上的桥接试验等,最后给出了 1μm沟道长度的自对准 CoSi_2 SALICIDE MOS晶体管的电学性能实验结果. 展开更多
关键词 场效应晶体管 自对准 硅化物
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RF MEMS器件的研究及其应用前景 被引量：2
15
作者 缪旻 武国英 《电子产品世界》 2003年第05A期37-40,共4页
本文对微机械电容、微机械电感、微机械谐振器/滤波器、微机械传输线、微机械天线阵列和微机械开关等RF MEMS器件的特点、研究现状及其在射频收发模块中的应用进行了综述,并展望了它们未来的发展趋势。
关键词 RF MEMS器件 射频装置 发展趋势 微机械电容 微机械电感 微机械传输线 微机械天线阵列
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关于完善《医院会计制度》的几点建议 被引量：3
16
作者 华明臣 武国英 《内蒙古科技与经济》 2005年第16期37-38,共2页
关键词 会计制度 医院 国际惯例接轨 会计改革 财务管理 会计核算 市场经济 市场竞争 体制改革
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二甲双胍片联合达英-35治疗66例多囊卵巢综合症的临床效果分析 被引量：4
17
作者 武国英 寇旭耀 《实用妇科内分泌电子杂志》 2020年第2期54-55,共2页
目的对多囊卵巢综合症患者采取二甲双胍片+达英-35治疗,分析临床效果。方法选取2017年10月-2019年9月,在我院治疗的多囊卵巢综合症66例患者,将其分为两组。对照组33例,采取达英-35治疗;观察组33例,在此基础上,联合二甲双胍片治疗。结果... 目的对多囊卵巢综合症患者采取二甲双胍片+达英-35治疗,分析临床效果。方法选取2017年10月-2019年9月,在我院治疗的多囊卵巢综合症66例患者,将其分为两组。对照组33例,采取达英-35治疗;观察组33例,在此基础上,联合二甲双胍片治疗。结果观察组患者的总有效率明显高于对照组,且FSH、LH水平低于对照组(P<0.05)。结论对多囊卵巢综合症患者采取二甲双胍片+达英-35治疗可提高治疗效果,具有推广价值。 展开更多
关键词 多囊卵巢综合症 达英-35 二甲双胍片
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一种用于RF MEMS移相器及开关可变电容的复合微桥膜结构 被引量：2
18
作者 缪旻 肖志勇 +2 位作者 武国英 金玉丰 郝一龙 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期371-374,共4页
提出了一种基于微机械工艺的新型复合微桥膜结构 ,由低应力SiN/SiO2 (0 .5 μm/5 0nm )及Cr/Au(30nm/1μm)构成。相应的工艺流程较为简单。对影响其特性的因素进行了理论分析 ,并提出了 3种桥膜的平面结构 ;利用静电 /力耦合有限元法分... 提出了一种基于微机械工艺的新型复合微桥膜结构 ,由低应力SiN/SiO2 (0 .5 μm/5 0nm )及Cr/Au(30nm/1μm)构成。相应的工艺流程较为简单。对影响其特性的因素进行了理论分析 ,并提出了 3种桥膜的平面结构 ;利用静电 /力耦合有限元法分析了各种结构的静电驱动特性以及各阶模态 ,结果得到了令人满意的驱动和机械性能 ;通过有限元高频仿真软件对桥膜结构与共面波导形成的可调电容结构进行了分析 ,结果表明其具有良好的射频 /微波性能。该桥膜结构适用于RFMEMS开关。 展开更多
关键词 微电子机械系统 射频MEMS 移相器 开关 可变电容 复合微桥膜 微桥结构
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VLSI多层互连可靠性　第一部分:电迁移失效(一) 被引量：1
19
作者 武国英 李志宏 +1 位作者 陈文茹 郝一龙 《微电子技术》 1994年第1期1-10,共10页
关键词 VISI 电迁移 可靠性 多层互连
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自对准硅化物CMOS／SOI技术研究 被引量：2
20
作者 奚雪梅 徐立 +2 位作者 武国英 李映雪 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期291-295,共5页
在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技... 在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性． 展开更多
关键词 CMOS SOI 硅化物 MOSFET
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