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纳米硅结构薄膜光致发光的温度依赖特性
被引量：
4
1
作者
丁文革
卢
云
霞
+4 位作者
孙雪
桑
云
刚
滕晓
云
于威
傅广生
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期300-305,共6页
综合考虑纳米硅结构薄膜的特殊性质,如量子限制效应、光学带隙和光跃迁振子强度对纳米硅粒径的依赖特性以及光学带隙和光辐射的温度依赖特性等,给出了一个解析表达式来分析具有一定粒径分布的纳米硅结构薄膜的光致发光(PL)强度分布,其...
综合考虑纳米硅结构薄膜的特殊性质,如量子限制效应、光学带隙和光跃迁振子强度对纳米硅粒径的依赖特性以及光学带隙和光辐射的温度依赖特性等,给出了一个解析表达式来分析具有一定粒径分布的纳米硅结构薄膜的光致发光(PL)强度分布,其中选取了两种纳米硅的粒径分布,即高斯分布和对数正态分布。结果表明,随着平均粒径和粒径分布偏差的减小,纳米硅薄膜的PL谱峰蓝移。随着环境温度的升高,纳米硅结构薄膜的PL谱峰红移且相对发光强度减弱。纳米硅结构薄膜光辐射拟合的结果与实验数据的比较分析表明,该模型能够很好地解释纳米硅结构薄膜在不同温度下的PL特性。
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关键词
薄膜
纳米硅
光致发光
温度依赖特性
模型
原文传递
富硅氮化硅/c-Si异质结中的电流输运机理研究
被引量：
3
2
作者
丁文革
桑
云
刚
+3 位作者
于威
杨彦斌
滕晓
云
傅广生
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第24期476-481,共6页
采用对靶磁控溅射方法在p型晶体硅(c-Si)衬底上沉积n型富硅氮化硅(SiNx)薄膜,形成了富硅SiNx/c-Si异质结.异质结器件呈现出较高的整流比,在室温下当V=±2V时为1.3×103.在正向偏压下温度依赖的J-V特性曲线可以分为三个明显不同...
采用对靶磁控溅射方法在p型晶体硅(c-Si)衬底上沉积n型富硅氮化硅(SiNx)薄膜,形成了富硅SiNx/c-Si异质结.异质结器件呈现出较高的整流比,在室温下当V=±2V时为1.3×103.在正向偏压下温度依赖的J-V特性曲线可以分为三个明显不同的区域.在低偏压区载流子的输运满足欧姆传输机理,在中间偏压区的电流是由载流子的隧穿过程和复合过程共同决定的,在较高偏压区的电输运以具有指数陷阱分布的空间电荷限制电流(SCLC)传输机理为主.
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关键词
对靶磁控溅射
富硅氮化硅
异质结
传输机理
原文传递
题名
纳米硅结构薄膜光致发光的温度依赖特性
被引量：
4
1
作者
丁文革
卢
云
霞
孙雪
桑
云
刚
滕晓
云
于威
傅广生
机构
河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期300-305,共6页
基金
国家自然科学基金(60940020)
河北省自然科学基金(E2012201059)资助课题
文摘
综合考虑纳米硅结构薄膜的特殊性质,如量子限制效应、光学带隙和光跃迁振子强度对纳米硅粒径的依赖特性以及光学带隙和光辐射的温度依赖特性等,给出了一个解析表达式来分析具有一定粒径分布的纳米硅结构薄膜的光致发光(PL)强度分布,其中选取了两种纳米硅的粒径分布,即高斯分布和对数正态分布。结果表明,随着平均粒径和粒径分布偏差的减小,纳米硅薄膜的PL谱峰蓝移。随着环境温度的升高,纳米硅结构薄膜的PL谱峰红移且相对发光强度减弱。纳米硅结构薄膜光辐射拟合的结果与实验数据的比较分析表明,该模型能够很好地解释纳米硅结构薄膜在不同温度下的PL特性。
关键词
薄膜
纳米硅
光致发光
温度依赖特性
模型
Keywords
thin films
silicon nanoparticle
photoluminescence
temperature dependence
model
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
原文传递
题名
富硅氮化硅/c-Si异质结中的电流输运机理研究
被引量：
3
2
作者
丁文革
桑
云
刚
于威
杨彦斌
滕晓
云
傅广生
机构
河北大学物理科学与技术学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第24期476-481,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:60940020)
河北省自然科学基金(批准号:E2012201059)
河北省重点基础研究项目(批准号:12963930D)资助的课题~~
文摘
采用对靶磁控溅射方法在p型晶体硅(c-Si)衬底上沉积n型富硅氮化硅(SiNx)薄膜,形成了富硅SiNx/c-Si异质结.异质结器件呈现出较高的整流比,在室温下当V=±2V时为1.3×103.在正向偏压下温度依赖的J-V特性曲线可以分为三个明显不同的区域.在低偏压区载流子的输运满足欧姆传输机理,在中间偏压区的电流是由载流子的隧穿过程和复合过程共同决定的,在较高偏压区的电输运以具有指数陷阱分布的空间电荷限制电流(SCLC)传输机理为主.
关键词
对靶磁控溅射
富硅氮化硅
异质结
传输机理
Keywords
facing targe sputtering, Si-rich silicon nitride, heterojunction, transport mechanism
分类号
O484 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米硅结构薄膜光致发光的温度依赖特性
丁文革
卢
云
霞
孙雪
桑
云
刚
滕晓
云
于威
傅广生
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
原文传递
2
富硅氮化硅/c-Si异质结中的电流输运机理研究
丁文革
桑
云
刚
于威
杨彦斌
滕晓
云
傅广生
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
原文传递
已选择
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参考文献
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