相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感。因此,为了评估寄生电感对碳化硅MOSFET开关性能的影响,基于回路电...相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感。因此,为了评估寄生电感对碳化硅MOSFET开关性能的影响,基于回路电感的概念,将栅极回路寄生电感、功率回路寄生电感以及共源极寄生电感等效成3个集总电感,并且从关断过电压、开通过电流及开关损耗等3个方面,对这3个电感对Si C MOSFET开关性能的影响进行了系统的对比研究。研究表明:共源极寄生电感对开关的影响最大,功率回路寄生电感次之,而栅极回路寄生电感影响最小。最后,基于实验分析结果,为高速开关电路的布局提出了一些值得借鉴的意见。展开更多
为评估器件结温对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)开关瞬态过程的影响,以Cree第2代1 200 V/36 A SiC MOSFET为研究对象,利用B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪和双脉冲测试平台在不同温度下对器件的静动态特性进行实验。并...为评估器件结温对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)开关瞬态过程的影响,以Cree第2代1 200 V/36 A SiC MOSFET为研究对象,利用B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪和双脉冲测试平台在不同温度下对器件的静动态特性进行实验。并且对比了不同温度下开关延时时间、开关电气应力(开通电流过冲和关断电压过冲)及开关能量损耗的差异。研究结果表明:SiC MOSFET开通延时具有负温度系数,而关断延时具有正温度系数。此外,SiC MOSFET的开通电流变化率和电压变化率的绝对值随温度升高而逐渐增大,而关断电流变化率的绝对值和电压变化率却具有相反的规律,因此随着温度升高,开通过程越快,开通电流过冲增大,但开通损耗会随之减小,而关断过程越慢,关断电压过冲减小,关断损耗却会随之增大,致使总开关损耗几乎不变。展开更多
文摘相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感。因此,为了评估寄生电感对碳化硅MOSFET开关性能的影响,基于回路电感的概念,将栅极回路寄生电感、功率回路寄生电感以及共源极寄生电感等效成3个集总电感,并且从关断过电压、开通过电流及开关损耗等3个方面,对这3个电感对Si C MOSFET开关性能的影响进行了系统的对比研究。研究表明:共源极寄生电感对开关的影响最大,功率回路寄生电感次之,而栅极回路寄生电感影响最小。最后,基于实验分析结果,为高速开关电路的布局提出了一些值得借鉴的意见。
文摘为评估器件结温对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)开关瞬态过程的影响,以Cree第2代1 200 V/36 A SiC MOSFET为研究对象,利用B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪和双脉冲测试平台在不同温度下对器件的静动态特性进行实验。并且对比了不同温度下开关延时时间、开关电气应力(开通电流过冲和关断电压过冲)及开关能量损耗的差异。研究结果表明:SiC MOSFET开通延时具有负温度系数,而关断延时具有正温度系数。此外,SiC MOSFET的开通电流变化率和电压变化率的绝对值随温度升高而逐渐增大,而关断电流变化率的绝对值和电压变化率却具有相反的规律,因此随着温度升高,开通过程越快,开通电流过冲增大,但开通损耗会随之减小,而关断过程越慢,关断电压过冲减小,关断损耗却会随之增大,致使总开关损耗几乎不变。
