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基于自偏置技术的高速SERDES芯片PLL设计
1
作者
林美
东
文治平
张健
《微处理机》
2016年第3期1-4,9,共5页
设计了适用于宽输入范围的Ser Des芯片的锁相环电路,采用自偏置技术,有较宽的输入参考频率范围,不需要外加偏置电路,而且环路带宽能够跟随输入参考频率变化,对噪声有良好的抑制作用。环形VCO占用面积小、频率调节范围宽,并且能够很容易...
设计了适用于宽输入范围的Ser Des芯片的锁相环电路,采用自偏置技术,有较宽的输入参考频率范围,不需要外加偏置电路,而且环路带宽能够跟随输入参考频率变化,对噪声有良好的抑制作用。环形VCO占用面积小、频率调节范围宽,并且能够很容易的产生Ser Des中CDR所需要的多相位时钟。采用TSMC-0.25μm CMOS工艺实现了该PLL的设计,工作频率范围是1.6-2.7GHz,并成功应用于一款SERDES芯片中。
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关键词
自偏置
锁相环
宽输入范围
CMOS工艺
高速
SERDES芯片
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职称材料
西北地区330kV变电站35kV开关设备的选型研究
2
作者
林美
东
《通讯世界》
2017年第4期141-142,共2页
本文根据330kV变电站低压侧负荷性质,结合西北地区气候条件及高海拔特性,研究西北地区35kV开关设备选型。结合35kV电压等级真空断路器、SF6断路器的产品性能,分析户外AIS布置、充气式开关柜及手车式开关柜三个方案适用性。通过技术经济...
本文根据330kV变电站低压侧负荷性质,结合西北地区气候条件及高海拔特性,研究西北地区35kV开关设备选型。结合35kV电压等级真空断路器、SF6断路器的产品性能,分析户外AIS布置、充气式开关柜及手车式开关柜三个方案适用性。通过技术经济比选,得出330kV变电站35kV开关设备选型方案。
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关键词
西北地区
高海拔
开关设备
容性电流
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职称材料
题名
基于自偏置技术的高速SERDES芯片PLL设计
1
作者
林美
东
文治平
张健
机构
中国航天科技集团公司第七七二研究所
出处
《微处理机》
2016年第3期1-4,9,共5页
文摘
设计了适用于宽输入范围的Ser Des芯片的锁相环电路,采用自偏置技术,有较宽的输入参考频率范围,不需要外加偏置电路,而且环路带宽能够跟随输入参考频率变化,对噪声有良好的抑制作用。环形VCO占用面积小、频率调节范围宽,并且能够很容易的产生Ser Des中CDR所需要的多相位时钟。采用TSMC-0.25μm CMOS工艺实现了该PLL的设计,工作频率范围是1.6-2.7GHz,并成功应用于一款SERDES芯片中。
关键词
自偏置
锁相环
宽输入范围
CMOS工艺
高速
SERDES芯片
Keywords
Self-biased
Phase-locked loop
Wide input range
CMOS technology
High-speed
SERDES Chips
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
西北地区330kV变电站35kV开关设备的选型研究
2
作者
林美
东
机构
福建永福电力设计股份有限公司
出处
《通讯世界》
2017年第4期141-142,共2页
文摘
本文根据330kV变电站低压侧负荷性质,结合西北地区气候条件及高海拔特性,研究西北地区35kV开关设备选型。结合35kV电压等级真空断路器、SF6断路器的产品性能,分析户外AIS布置、充气式开关柜及手车式开关柜三个方案适用性。通过技术经济比选,得出330kV变电站35kV开关设备选型方案。
关键词
西北地区
高海拔
开关设备
容性电流
分类号
TM564 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于自偏置技术的高速SERDES芯片PLL设计
林美
东
文治平
张健
《微处理机》
2016
0
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职称材料
2
西北地区330kV变电站35kV开关设备的选型研究
林美
东
《通讯世界》
2017
0
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职称材料
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