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瞬时辐射对80C31单片机性能的影响 被引量：7
1
作者 周开明 谢泽元 杨有莉 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期981-984,共4页
研究了80C31单片机瞬时剂量率辐射特性和闭锁电流随“闪光-1”γ射线剂量率的变化规律,分析了80C31单γ片机在浅和深闭锁时具有不同的电流特性。
关键词 80C31单片机 剂量率 闭锁电流
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新的亚纳秒前沿有界波电磁脉冲模拟器
2
作者 周启明 李小伟 +8 位作者 孙凤杰 周开明 邓建红 罗学金 黄聪顺 杨有莉 邹保山 谢泽元 许献国 《中国工程物理研究院科技年报》 2008年第1期61-62,共2页
新近建立的亚纳秒前沿有界波模拟器由高压脉冲源、传输线、分布式负载和大地板等组成。高压脉冲源为外触发的冲击电流发生器。传输线由12根非均匀分布的缆线制成。亚纳秒前沿模拟器的传输线为锥形，分布式负载也为锥形，工作区域设置在... 新近建立的亚纳秒前沿有界波模拟器由高压脉冲源、传输线、分布式负载和大地板等组成。高压脉冲源为外触发的冲击电流发生器。传输线由12根非均匀分布的缆线制成。亚纳秒前沿模拟器的传输线为锥形，分布式负载也为锥形，工作区域设置在锥形传输线中。因为没有平直段，像一个开放式的GTEM小室，电磁脉冲的高频分量可以达到GHz。亚纳秒削沿模拟器是研究电子仪器孔缝耦合、特种装置电磁效应的较为理想的模拟设备。锥角的设计满足试验区域对场的均匀性要求，本设计为tgθ=0．5。 展开更多
关键词 电磁脉冲模拟器 有界波模拟器 亚纳秒 冲击电流发生器 高压脉冲源 GTEM小室 非均匀分布 传输线
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商用三端稳压器中子辐射特性实验
3
作者 贾温海 杨有莉 徐曦 《中国工程物理研究院科技年报》 2003年第1期310-311,共2页
三端稳压器已经成为武器电子系统不可缺少的一种器件，它为系统各种部、组件提供各种电压源，如+5，+9，-5，-9V等，但抗中子辐射的能力比较低，一般来说中子注量约1×10^13m／cm^2。研究各种商用三端稳压器的中子辐射特性能够了解... 三端稳压器已经成为武器电子系统不可缺少的一种器件，它为系统各种部、组件提供各种电压源，如+5，+9，-5，-9V等，但抗中子辐射的能力比较低，一般来说中子注量约1×10^13m／cm^2。研究各种商用三端稳压器的中子辐射特性能够了解双极型模拟器件抗中子的辐射能力的阈值范围，也为系统设计者挑选器件提供具体参考。 展开更多
关键词 三端稳压器 中子辐射特性 实验设计 静态辐照
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工控机的电磁脉冲效应
4
作者 许献国 李小伟 +1 位作者 杨有莉 邹保山 《中国工程物理研究院科技年报》 2008年第1期99-100,共2页
针对某工控机系统进行了电磁脉冲辐照效应试验。该工控机包括主机、键盘、鼠标、液晶显示器及相关电源和通信、控制线缆。电磁脉冲模拟设备采用PTEM-180模拟器，产生的电磁脉冲前沿约6ns，半宽度约300ns。
关键词 电磁脉冲效应 工控机系统 液晶显示器 效应试验 脉冲辐照 模拟设备 脉冲前沿 模拟器
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瞬时辐射对80C31单片机性能的影响
5
作者 周开明 谢泽元 杨有莉 《中国工程物理研究院科技年报》 2004年第1期233-233,共1页
以“闪光”-I加速器为剂量率瞬时辐射源，以工作电流作为判据，研究80C31单片机瞬时辐射效应。图1是γ剂量率为3．01×10^7Gy（Si）／s时的单片机输出波形。监测80C31微处理器的能端（A）、低位地址线（B）和低位数据线（C）来确定... 以“闪光”-I加速器为剂量率瞬时辐射源，以工作电流作为判据，研究80C31单片机瞬时辐射效应。图1是γ剂量率为3．01×10^7Gy（Si）／s时的单片机输出波形。监测80C31微处理器的能端（A）、低位地址线（B）和低位数据线（C）来确定单片机工作状态。在辐照剂量率提高到3．01×10^7Gy（Si）／s时，程序存储使能端、低位地址线和低位数据线输出信号都消失，程序存储使能端输出了2．5V的直流电平，低位地址线输出了约1V的直流电平，而低位地址输出为零，此时单片机系统处于深闭锁。一分钟后，重新观察80C31单片机，仍无波形输出，测出单片机闭锁电流为163mA。断电后重新启动单片机，其功能恢复正常，此时工作电流也正常，仍然是67-3mA。说明在高γ剂量率辐照下，80C31单片机出现了深闭锁，电流也比正常工作时大了两倍以上，但闭锁电流还不足以烧毁单片机系统。 展开更多
关键词 单片机系统 80C31 辐射源 瞬时 工作电流 辐照剂量率 输出波形 性能
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