新型绿色加筋格宾挡墙的特点及其应用 被引量：10

1

作者 杨乃彬 龙浪波 《四川建筑》 2010年第2期98-99,102,共3页

在修建或者改扩建新的高速公路中,有的高填方路基高达几十米,传统的路基支挡结构已难满足要求,采用新型的、易美化的结构型式是所有建设单位追求的目标。双绞合六边形金属网加筋格宾柔性挡墙是一种新型支挡结构。文中介绍了新型加筋格... 在修建或者改扩建新的高速公路中,有的高填方路基高达几十米,传统的路基支挡结构已难满足要求,采用新型的、易美化的结构型式是所有建设单位追求的目标。双绞合六边形金属网加筋格宾柔性挡墙是一种新型支挡结构。文中介绍了新型加筋格宾挡墙特点,然后介绍了在湖北大(庆)～广(州)高速公路BK0+296.55～BK0+366.18段左侧高填方路基中的应用及施工工艺,同时采用加筋土设计软件Macstars 2000进行了稳定性计算,结果表明新型加筋格宾挡墙在此工程中是稳定的。 展开更多

关键词 高填方路基 新型加筋格宾挡墙 Macstars 2000 稳定性分析

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姜黄素通过激活肝细胞自噬减轻脂多糖/D-氨基半乳糖诱导的大鼠急性肝损伤 被引量：11

2

作者 谢一潋 杨乃彬 +6 位作者 王丽萍 宣艳艳 邬怡怡 钱国清 石洁君 史光侠 李国祥 《中国病理生理杂志》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期860-864,共5页

目的:探讨姜黄素(CUR)对脂多糖(LPS)/D-氨基半乳糖(D-GalN)联合注射诱导大鼠急性肝损伤(AHI)后肝细胞自噬的影响。方法:雄性SD大鼠随机分为对照组、AHI组、CUR组、自噬抑制剂3-甲基腺嘌呤(3-MA)组和3-MA+CUR组,每组6只。采用腹腔注射LPS... 目的:探讨姜黄素(CUR)对脂多糖(LPS)/D-氨基半乳糖(D-GalN)联合注射诱导大鼠急性肝损伤(AHI)后肝细胞自噬的影响。方法:雄性SD大鼠随机分为对照组、AHI组、CUR组、自噬抑制剂3-甲基腺嘌呤(3-MA)组和3-MA+CUR组,每组6只。采用腹腔注射LPS及D-GalN制造急性肝损伤动物模型,在肝损模型建立后12 h检测各组大鼠肝功能,HE染色观察肝组织病理变化,透射电镜观察自噬体形成情况,Western blot法检测肝组织自噬相关蛋白LC3和beclin 1的表达,酶联免疫吸附实验检测血清TNF-α含量。结果:与对照组相比,AHI组大鼠的血清丙氨酸氨基转移酶(ALT)和天门冬氨酸氨基转移酶(AST)水平显著升高(P<0.05),肝组织病理损伤程度加重,血清TNF-α含量增加(P<0.01),自噬体数量增多,自噬相关蛋白LC3和beclin 1的表达均升高(P<0.01);与AHI组相比,姜黄素组大鼠的血清ALT和AST水平明显降低(P<0.05),肝组织病理损伤情况明显改善,血清TNF-α含量明显减少(P<0.01),自噬体明显增多,自噬相关蛋白LC3和beclin 1的表达明显增加(P<0.01);而与姜黄素组相比,3-MA组及3-MA+CUR组的血清ALT和AST水平升高(P<0.05),肝组织损伤加重,血清TNF-α含量增加(P<0.01),自噬体明显减少,自噬相关蛋白LC3和beclin 1表达显著减少(P<0.01)。结论:姜黄素可能通过激活肝细胞自噬从而减轻LPS/D-GalN诱导的大鼠急性肝损伤。 展开更多

关键词 姜黄素 自噬 急性肝损伤

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5～22 GHz平坦高增益单片低噪声放大器 被引量：5

3

作者 彭龙新 李建平 +1 位作者 李拂晓 杨乃彬 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期175-178,共4页

使用0.25μm G aA s PHEM T工艺技术,设计和制造了性能优良的5-22 GH z两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GH z内,测得增益G≥18 dB,带内增益波动ΔG≤±0.35 dB,噪声系数N F≤3.2 dB,输入输出驻波V SW R≤1.7,最小分... 使用0.25μm G aA s PHEM T工艺技术,设计和制造了性能优良的5-22 GH z两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GH z内,测得增益G≥18 dB,带内增益波动ΔG≤±0.35 dB,噪声系数N F≤3.2 dB,输入输出驻波V SW R≤1.7,最小分贝压缩点输出功率P1dB≥10.5 dBm,电流增益效率达2.77 mA/dB。测试结果验证了设计的正确性。 展开更多

关键词 宽带 平坦高增益 低噪声 反馈放大器 电流增益效率 微波单片集成电路

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砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展 被引量：2

4

作者 陈效建 毛昆纯 +1 位作者 林金庭 杨乃彬 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期129-136,共8页

着重讨论南京电子器件研究所（NEDI）在GaAsMMIC研制方面的近期进展。在详细介绍MMIC有源器件（MESFET，PHEMT及HBT）的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上，以NEDI近年开发的各种MMIC为实例，包括发射、接收与控制三类电路... 着重讨论南京电子器件研究所（NEDI）在GaAsMMIC研制方面的近期进展。在详细介绍MMIC有源器件（MESFET，PHEMT及HBT）的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上，以NEDI近年开发的各种MMIC为实例，包括发射、接收与控制三类电路，给出有关的实验结果。此外，简要介绍了NEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果。 展开更多

关键词 砷化镓 微波单片集成电路 CAD模型 设计优化

原文传递

姜黄素对脂多糖/D-氨基半乳糖诱导大鼠急性肝损伤中内质网应激的影响 被引量：6

5

作者 谢一潋 褚金国 +3 位作者 杨乃彬 王丽萍 吴春央 李国祥 《浙江医学》 CAS 2020年第13期1359-1363,I0004,共6页

目的探讨姜黄素预给药对脂多糖/D-氨基半乳糖(D-GalN)诱导大鼠急性肝损伤中内质网应激(ERS)的影响。方法30只雄性SD大鼠按随机数字表法分为正常对照组、肝损组、姜黄素组,每组10只。在造模前5 d,姜黄素组按5 ml/kg灌饲姜黄素溶液(姜黄... 目的探讨姜黄素预给药对脂多糖/D-氨基半乳糖(D-GalN)诱导大鼠急性肝损伤中内质网应激(ERS)的影响。方法30只雄性SD大鼠按随机数字表法分为正常对照组、肝损组、姜黄素组,每组10只。在造模前5 d,姜黄素组按5 ml/kg灌饲姜黄素溶液(姜黄素溶于0.5%羧甲基纤维素钠中),正常对照组、肝损组按5 ml/kg灌饲0.5%羧甲基纤维素钠溶液,1次/d,连续5 d。肝损组、姜黄素组采取腹腔注射含脂多糖(8μg/kg)+D-GalN(800 mg/kg)的0.9%氯化钠注射液800μl制作急性肝损伤动物模型,正常对照组大鼠腹腔注射800μl 0.9%氯化钠注射液;模型建立12 h后处死大鼠并收集血清及肝组织,检测并比较3组大鼠血清肝功能指标、丙二醛(MDA)、超氧化物歧化酶(SOD)水平,HE染色观察肝组织病理学变化,TUNEL染色观察肝细胞凋亡情况,Western blot法检测肝组织内ERS相关蛋白葡萄糖调节蛋白78(GRP78)、C/EBP同源蛋白(CHOP)表达量。结果正常对照组大鼠肝组织未见明显病变;肝损组大鼠部分肝细胞坏死,坏死的肝细胞核碎裂、胞质深染,坏死区可见较多炎细胞浸润;姜黄素组大鼠肝组织内坏死细胞较肝损组明显减少。与正常对照组比较,肝损组大鼠血清ALT、AST、MDA水平,肝细胞凋亡指数,GRP78、CHOP蛋白表达水平均明显升高(均P<0.05),SOD水平明显降低(P<0.05);姜黄素组大鼠血清ALT、AST、MDA水平,肝细胞凋亡指数,CHOP蛋白表达水平也明显升高(均P<0.05),SOD水平、GRP78蛋白表达水平比较差异均无统计学意义(均P>0.05)。与肝损组比较,姜黄素组大鼠血清ALT、AST、MDA水平,肝细胞凋亡指数,GRP78、CHOP蛋白表达水平均明显降低(均P<0.05),SOD水平明显升高(P<0.05)。结论姜黄素可能通过抑制ERS反应对脂多糖/D-GalN诱导大鼠的急性肝损伤起保护作用。 展开更多

关键词 姜黄素 肝损伤 内质网应激 脂多糖 D-氨基半乳糖

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一种超低插损砷化镓射频开关 被引量：3

6

作者 蒋幼泉 李拂晓 +4 位作者 黄念宁 钮利荣 陈新宇 邵凯 杨乃彬 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期199-201,共3页

报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在82 0～ 95 0 MHz下 ,插入损耗≤ 0 .4 d B,回波损耗≥ 1 9.5 d B,反向三阶交调截距点≥ 67d Bm,隔离度≥ 1 5 .5 d B,控制电压为 (0 ,+4 .75 V)

关键词 砷化镓 射频开关 手机 超低插损 单刀双掷 SPDT设计

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GaN HFET中的实时能带和电流崩塌 被引量：4

7

作者 薛舫时 杨乃彬 郁鑫鑫 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第5期313-323,389,共12页

从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和... 从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和局域电子气势垒。考虑从应力偏置转换到测试偏置时异质结充放电引起的非稳态能带变化,用电子状态转换及其在异质结充放电中的输运行为成功解释了各类DLTS和电流崩塌实验中的动态行为。建立起新的电流崩塌能带模型。详细比较了陷阱模型和能带模型对电流崩塌和器件射频工作的不同描述。从电流崩塌同异质结构关联研究中提出新的器件优化设计方案。 展开更多

关键词 实时能带 非稳态能带 电流崩塌 能带峰耗尽 局域电子气势垒 电流崩塌能带模型 陷阱

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用改进的遗传算法精确提取GaAs MESFET小信号等效电路参数 被引量：3

8

作者 张有涛 夏冠群 +3 位作者 高建峰 李拂晓 铁宏安 杨乃彬 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期869-873,共5页

提出了一种改进的遗传算法 ,应用于提取 Ga As MESFET小信号等效电路参数 .改进的算法采用浮点编码连续突变 ,多种遗传操作合作运行 ,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象 ,该算法可快速搜索到全局最优解而不... 提出了一种改进的遗传算法 ,应用于提取 Ga As MESFET小信号等效电路参数 .改进的算法采用浮点编码连续突变 ,多种遗传操作合作运行 ,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象 ,该算法可快速搜索到全局最优解而不受初始值限制 .在 0 .1～ 1 0 GHz范围内实现了精确、快速地提取 Ga As MESFET小信号等效电路参数 ,并可合理外推至 2 0 GHz,整个过程无需人工干预 .算法用 Matlab语言实现 ,可方便地应用于 HBT和HEMT以及无源元件电容。 展开更多

关键词 参数提取 遗传算法 模型 MESFET EEACC 2560B 0260 1350F

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GaN HFET加应力后的虚栅和亚稳态能带

9

作者 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第2期108-120,共13页

使用双曲函数拟合描绘出从应力偏置转换到测试偏置后,不同时刻的表面电势、电场强度和电场梯度的动态弛豫过程。计算出这一偏置转换引发的亚稳态能带。亚稳态能带的弛豫过程描绘出沟道夹断后的异质结充电过程。亚稳态能带计算证明外沟... 使用双曲函数拟合描绘出从应力偏置转换到测试偏置后,不同时刻的表面电势、电场强度和电场梯度的动态弛豫过程。计算出这一偏置转换引发的亚稳态能带。亚稳态能带的弛豫过程描绘出沟道夹断后的异质结充电过程。亚稳态能带计算证明外沟道中的强场峰、电场梯度峰、能带谷和能带峰都由局域电子气电荷引起,局域电子气的慢输运行为延缓了异质结充电过程,拉长了偏置转换中的亚稳态能带转换弛豫。当负应力栅压向空间电荷区注入电子给陷阱充电时,陷阱电荷叠加在局域电子气电荷上,强化了能带畸变和电流崩塌。由此提出涉及异质结能带转换的新虚栅模型。在新虚栅模型下异质结能带变化引发的电子气状态变化比旧虚栅模型中的电子耗尽作用强得多,据此能够解释从漏控DLTS测得的外沟道陷阱密度比栅控DLTS测得的内沟道陷阱密度大1~2个数量级的实验结果。使用涉及能带转换的新虚栅模型讨论了GaN HFET研究中的电流崩塌、3 mm场效应管及可靠性难题。提出二维异质结构用异质结鳍来研制场效应管的新课题。 展开更多

关键词 虚栅 电流崩塌 能带畸变 局域电子气 涉及异质结能带转换的虚栅模型 陷阱和局域电子气的相互作用 异质结鳍

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伏立康唑治疗隐球菌感染的研究进展 被引量：5

10

作者 石洁君 钱国清 +1 位作者 杨乃彬 李国祥 《国际呼吸杂志》 2020年第2期156-160,共5页

伏立康唑(C16H14N5OF3)是一种新型三唑类抗真菌药,其具有广谱、强效、耐受性较好、安全性高等优点。它是氟康唑的衍生物,但它比氟康唑抗菌谱更广,杀菌效力更强,能高度选择性抑制多种真菌细胞膜的麦角甾醇的生物合成。伏立康唑对于血脑... 伏立康唑(C16H14N5OF3)是一种新型三唑类抗真菌药,其具有广谱、强效、耐受性较好、安全性高等优点。它是氟康唑的衍生物,但它比氟康唑抗菌谱更广,杀菌效力更强,能高度选择性抑制多种真菌细胞膜的麦角甾醇的生物合成。伏立康唑对于血脑屏障及血眼屏障渗透性高,对于全身多部位的隐球菌感染灶都能达到较高的药物浓度,且对于耐药真菌也有一定的疗效。此外,伏立康唑还能调节免疫,加速病灶内真菌的清除。因此,伏立康唑在临床中应用广泛。本文将就其药理作用、基础研究及其在隐球菌感染中的治疗作如下综述。 展开更多

关键词 隐球菌病 伏立康唑

原文传递

高成品率砷化镓DPDT单片射频开关 被引量：2

11

作者 李拂晓 蒋幼泉 +4 位作者 陈继义 钮利荣 高建峰 邵凯 杨乃彬 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期202-204,245,共4页

采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,... 采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度 ISO大于 1 7d B,驻波 VSWR≤ 1 .3 ,2 GHz下 IL小于 0 .7d B,ISO大于 1 1 d B,驻波≤ 1 .3 ,反向三阶交调 PTOI优于 64 d Bm,1 W射频信号下的栅漏电小于 2 0 μA。连续五批共 60片的统计结果表明 ,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低 84 % ,最高 96% ;微波参数成品率在 75 %～ 86%之间 ,代表着国内 Ga 展开更多

关键词 砷化镓 DPDT 射频开关 单片开关 GAAS 手机

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结节病合并隐球菌病的研究进展 被引量：4

12

作者 钱国清 杨乃彬 +2 位作者 石洁君 尹凤英 李国祥 《国际呼吸杂志》 2019年第1期60-63,共4页

结节病是一种病因不明,但可累及多种脏器的非干酪性坏死性肉芽肿性疾病,隐球菌病是由新型隐球菌感染导致的深部真菌病;然而,结节病患者自身存在免疫缺陷、或未知的免疫缺陷和长期使用糖皮质激素或免疫抑制剂等药物,可导致2种疾病共存。... 结节病是一种病因不明,但可累及多种脏器的非干酪性坏死性肉芽肿性疾病,隐球菌病是由新型隐球菌感染导致的深部真菌病;然而,结节病患者自身存在免疫缺陷、或未知的免疫缺陷和长期使用糖皮质激素或免疫抑制剂等药物,可导致2种疾病共存。由于结节病合并隐球菌病少见、临床认识不足、发病机制不明,易引起误诊和漏诊。本文拟对结节病合并隐球菌病的流行病学、发病机制、临床表现、诊断和鉴别诊断、治疗和预后等进行综述。 展开更多

关键词 结节病 隐球菌病 进展

原文传递

GaAs MESFET开关模型

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作者 陈新宇 陈继义 +3 位作者 郝西萍 李拂晓 邵凯 杨乃彬 《微波学报》 CSCD 北大核心 2002年第2期85-87,共3页

本文提出了一种MESFET开关的模型———附加栅控开关模型 ,适用于MMIC电路的设计 ,其具有很好的宽带微波特性。开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好。

关键词 开关 模型 金属半导体场效应晶体管 微波单片集成电路

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用于手机砷化镓MMIC射频开关的研制 被引量：2

14

作者 蒋幼泉 陈继义 +5 位作者 李拂晓 高建峰 徐中仓 邵凯 陈效建 杨乃彬 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期326-328,共3页

报道一种用于手机的高功率、低插损砷化镓 MMIC射频开关。该产品在 870～ 970 MHz下 ,线性功率容量 >3 3 d Bm,插入损耗 (IL) <0 .6d B,隔离度 (Iso)≥ 1 7d B,反向三阶交调 (PT0 1 )≥ 70 d Bm,控制电压 :(0 ,-4) V。

关键词 手机 砷化镓单片集成电路 双刀双掷开关 多栅场效应晶体管

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GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带 被引量：2

15

作者 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第3期159-163,共5页

从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,... 从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,编制成计算不同应力偏置和测试偏置下亚稳态能带的计算软件。运用新编软件计算了不同能带峰和填充能级下的亚稳态能带。详细描述了偏置转换中产生的能带谷充电过程及外沟道堵塞,由此建立起应力偏置与测试偏置下动态电流间的关联。从场效应管射频工作中栅、漏电压的变化条件出发提出新的电流崩塌动态模型。运用应力偏置和测试偏置下的定态能带和亚稳态能带解释了瞬态电流谱随应力偏置和测试偏置的变化行为。最后讨论亚稳态能带在GaN HFET研究中的重要意义。 展开更多

关键词 亚稳态能带 电流崩塌 能带峰 填充能级 能带谷充电 应力偏置对动态电流的影响 电流崩塌模型 陷阱

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GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制 被引量：2

16

作者 薛舫时 杨乃彬 +1 位作者 陈堂胜 孔月婵 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第5期337-342,共6页

从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果... 从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果相吻合,证明求解薛定谔方程是研究异质结场效应管电荷控制的有效方法。考虑外沟道渗透到内沟道的电场梯度以后,算出了场效应管的电子气密度及量子电容。场效应管模拟算得的量子电容同实验测得的栅-源和栅-漏电容相吻合。研究了不同栅、漏电压和电场梯度渗透下的内沟道能带,发现漏电压引起的电场梯度渗透使内沟道能带下弯,导致阈值电压负移。证明阈值电压负移由外沟道渗透到内沟道的电场梯度产生,用自洽能带计算方法可算得漏电压引起的阈值电压负移。提出使用能带剪裁优化设计异质结构来抑制DIBL的新理念。同有限元变分软件的类MESFET模拟相比,新能带计算软件可以求得电荷控制中的量子行为。由此提出编制异质结场效应管模拟软件的设想。 展开更多

关键词 电荷控制模型 漏电压引起的势垒下降 类MESFET模拟 电荷控制中的量子行为 量子电容 三角阱近似 漏电压引起的阈值电压移动 漏电压引起的能带下弯

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GaN HFET中的实时能带和电流崩塌(续) 被引量：1

17

作者 薛舫时 杨乃彬 郁鑫鑫 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第6期391-399,共9页

从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和... 从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和局域电子气势垒。考虑从应力偏置转换到测试偏置时异质结充放电引起的非稳态能带变化,用电子状态转换及其在异质结充放电中的输运行为成功解释了各类DLTS和电流崩塌实验中的动态行为。建立起新的电流崩塌能带模型。详细比较了陷阱模型和能带模型对电流崩塌和器件射频工作的不同描述。从电流崩塌同异质结构关联研究中提出新的器件优化设计方案。 展开更多

关键词 实时能带 非稳态能带 电流崩塌 能带峰耗尽 局域电子气势垒 电流崩塌能带模型 陷阱

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GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌

18

作者 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第3期163-169,共7页

考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越... 考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越势垒的动态模型,解释了沟道打开过程中源电阻增大、沟道电子平均速度下降、大沟道电流下跨导下降等各类跨导崩塌行为,解释了场效应管沟道电子速度远低于异质结材料的缘由。运用沟道打开时的异质结充电和大沟道电流激励下空间电荷触发的能带峰势垒模型解释了跨导钟形曲线上升段中的电流崩塌和下降段中的跨导崩塌。深入研究了陷阱和局域电子气的相互作用,解释了可靠性加速寿命试验中的跨导曲线变化。沟道夹断的强负栅压应力产生内沟道逆压电缺陷,减弱栅电压对内沟道电子气的控制和沟道打开时跨导的上升斜率。沟道打开后的大电流应力使局域电子气与晶格碰撞产生热电子缺陷和空间电荷,抬高能带峰势垒引发外沟道堵塞,降低沟道电流,导致阈值电压正移。这一研究证明在场效应管直流和射频工作中的器件性能退化都是由陷阱同局域电子气相互作用产生的,开创了优化设计异质结能带来提高场效应管可靠性的新途径。最后讨论大沟道电流下能带峰势垒引发的外沟道堵塞和跨导崩塌在场效应管研发中的重要作用,提出了在空间电荷区上方设置专用的异质结鳍来平衡内、外沟道能带,解开场效应管中的电流崩塌、跨导崩塌、线性、器件性能退化及3 mm高频工作等难点。 展开更多

关键词 跨导崩塌 能带峰势垒 能带畸变 局域电子气 陷阱和局域电子气的相互作用 沟道电子的速-场特性 钟形跨导曲线 异质结鳍

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GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌(续)

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作者 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第4期251-257,262,共8页

考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越... 考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越势垒的动态模型,解释了沟道打开过程中源电阻增大、沟道电子平均速度下降、大沟道电流下跨导下降等各类跨导崩塌行为,解释了场效应管沟道电子速度远低于异质结材料的缘由。运用沟道打开时的异质结充电和大沟道电流激励下空间电荷触发的能带峰势垒模型解释了跨导钟形曲线上升段中的电流崩塌和下降段中的跨导崩塌。深入研究了陷阱和局域电子气的相互作用,解释了可靠性加速寿命试验中的跨导曲线变化。沟道夹断的强负栅压应力产生内沟道逆压电缺陷,减弱栅电压对内沟道电子气的控制和沟道打开时跨导的上升斜率。沟道打开后的大电流应力使局域电子气与晶格碰撞产生热电子缺陷和空间电荷,抬高能带峰势垒引发外沟道堵塞,降低沟道电流,导致阈值电压正移。这一研究证明在场效应管直流和射频工作中的器件性能退化都是由陷阱同局域电子气相互作用产生的,开创了优化设计异质结能带来提高场效应管可靠性的新途径。最后讨论大沟道电流下能带峰势垒引发的外沟道堵塞和跨导崩塌在场效应管研发中的重要作用,提出了在空间电荷区上方设置专用的异质结鳍来平衡内、外沟道能带,解开场效应管中的电流崩塌、跨导崩塌、线性、器件性能退化及3 mm高频工作等难点。 展开更多

关键词 跨导崩塌 能带峰势垒 能带畸变 局域电子气 陷阱和局域电子气的相互作用 沟道电子的速-场特性 钟形跨导曲线 异质结鳍

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数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位ADC的设计与实现

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作者 张有涛 夏冠群 +2 位作者 李拂晓 高建峰 杨乃彬 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1424-1427,共4页

详细讨论、分析了用于3bit相位体制数字射频存储器(DRFM)系统的3bit相位体制ADC的设计、实现及测试.利用南京电子器件研究所标准GaAsΦ76mm全离子注入工艺,采用全耗尽非自对准MESFET器件加工实现了3bit超高速相位体制ADC.测试结果表明,... 详细讨论、分析了用于3bit相位体制数字射频存储器(DRFM)系统的3bit相位体制ADC的设计、实现及测试.利用南京电子器件研究所标准GaAsΦ76mm全离子注入工艺,采用全耗尽非自对准MESFET器件加工实现了3bit超高速相位体制ADC.测试结果表明,该电路可在2GHz时钟速率下完成采样、量化,达到1.2Gbps的输出码流速率,其瞬时带宽可达150MHz,具备±0.22LSB的相位精度. 展开更多

关键词 相位数字化 模数转换器 MESFET 比较器 数字射频存储器

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