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在高原地区治疗初到高原患急腹症患者的临床研究 被引量：13
1
作者 张华丽 王亮 +2 位作者 杜金玉 拥青拉姆 王英 《中国医学创新》 CAS 2012年第5期108-109,共2页
目的探索在高原地区治疗初到高原患急腹症患者的方法。方法选择在2008年6月～2011年6月初到高原不足6个月的急腹症患者为研究对象,针对高原地区高寒缺氧及初到高原患者病理生理改变的特点,有针对性地采取综合治疗方法。结果三年来,所有... 目的探索在高原地区治疗初到高原患急腹症患者的方法。方法选择在2008年6月～2011年6月初到高原不足6个月的急腹症患者为研究对象,针对高原地区高寒缺氧及初到高原患者病理生理改变的特点,有针对性地采取综合治疗方法。结果三年来,所有患者均治愈出院,无死亡患者,无脑水肿、肺水肿和右心衰竭的并发症发生,无术后再出血患者。切口感染2例,其中急性阑尾炎1例,急性肠梗阻1例。结论在高原地区治疗初到高原患急腹症患者,必须考虑到高原地区高寒缺氧及初到高原患者病理生理改变的特点,然后有针对性地采取综合治疗方法,这样才能减少患者的死亡率和并发症的发生率。 展开更多
关键词 高原 急腹症 缺氧
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大光腔小垂直发散角InGaAs/GaAs/AlGaAs半导体激光器 被引量：8
2
作者 崔碧峰 李建军 +7 位作者 邹德恕 廉鹏 韩金茹 王东凤 杜金玉 刘莹 赵慧敏 沈光地 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期2150-2153,共4页
提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器 ,近场光斑宽度达到 1μm ,较普通半导体激光器提高了一个数量级 ,有效地解决了普通半导体激光器由于发光面积狭窄而导致的端面灾变性毁坏和垂直发散角大的问题 .采用低压金属有机物化... 提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器 ,近场光斑宽度达到 1μm ,较普通半导体激光器提高了一个数量级 ,有效地解决了普通半导体激光器由于发光面积狭窄而导致的端面灾变性毁坏和垂直发散角大的问题 .采用低压金属有机物化学气相沉积方法生长了以C和Si分别作为掺杂剂的AlGaAs隧道结、GaAs InGaAs应变量子阱有源区和新型半导体激光器外延结构 ,并制备出器件 ,其垂直发散角为 2 0°,阈值电流密度为 2 77A cm2 ,斜率效率在未镀膜时达到 0 80W A . 展开更多
关键词 半导体激光器 大光腔 隧道再生 发散角 砷镓铟 砷化镓 砷镓铝
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量子阱半导体激光器P-I特性曲线扭折的研究 被引量：4
3
作者 邹德恕 廉鹏 +6 位作者 徐晨 崔碧峰 杜金玉 张丽 刘莹 李建军 沈光地 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期547-549,共3页
小功率窄条形半导体激光器注入电流超过阈值后 ,其 P- I特性曲线可能偏离理想的线性区 ,出现扭折现象 ,从而会严重影响激光器与光纤的耦合。本文分析讨论了出现扭折现象与器件结构的关系。通过优化激光器纵向结构设计 ,采用较窄的有源... 小功率窄条形半导体激光器注入电流超过阈值后 ,其 P- I特性曲线可能偏离理想的线性区 ,出现扭折现象 ,从而会严重影响激光器与光纤的耦合。本文分析讨论了出现扭折现象与器件结构的关系。通过优化激光器纵向结构设计 ,采用较窄的有源区 ,在 MOCVD结构生长中用碳作 P型掺杂 ,制造出来的未镀膜激光器在 10 0 m A注入电流下输出光功率 5 0 m W未出现 P- I特性的扭折。 展开更多
关键词 半导体激光器 P-I特性曲线 扭折 量子阱 阈值电流
原文传递
Al_(0.98)Ga_(0.02)As的湿法氧化规律 被引量：6
4
作者 董立闽 郭霞 +6 位作者 渠红伟 杜金玉 邹德恕 廉鹏 邓军 徐遵图 沈光地 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期197-201,共5页
为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出... 为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型 ,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合 .同时 ,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象 .运用这些规律 ,将氧化长度的精度控制在 0 5 μm内 。 展开更多
关键词 VCSEL ALGAAS 湿法氧化
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一种优化设计的高频高压电力半导体器件 被引量：7
5
作者 邹德恕 亢宝位 +3 位作者 杜金玉 王东风 高国 王敬元 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期29-32,共4页
介绍一种优化设计的静电屏蔽晶体管（ＧＡＴ）的结构、工作原理。通过采用网格版图设计，加场限环，使器件具有更好的高耐压、高频率、快速开关和宽的安全工作区等良好性能。
关键词 静电屏蔽晶体管 栅极 半导体器件
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幸福:教育的终极追求 被引量：6
6
作者 杜金玉 《江苏教育研究》 2009年第7期23-26,共4页
教育的对象所指的是人,追求幸福是人一生永恒不变的主题,教育则是人走向幸福的阶梯。让人拥有科学的观念,客观的选择,行动的智慧和向善的德性,达到人生幸福的境界,才是教育所追求的终极目的。
关键词 幸福 教育 终极追求
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新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性 被引量：3
7
作者 史衍丽 邓军 +6 位作者 杜金玉 廉鹏 高国 陈建新 沈光地 尹洁 吴兴惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期503-506,共4页
对基于 Ga As/ Al Ga As系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器 ,采用 Poisson方程和 Schrodinger方程 ,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性 ,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟 ,计算结... 对基于 Ga As/ Al Ga As系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器 ,采用 Poisson方程和 Schrodinger方程 ,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性 ,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟 ,计算结果与器件实测的暗电流特性吻合得很好 ,说明热离子发射、热辅助遂穿机制是形成器件暗电流的主要构成机制 ,增加垒高、降低阱中掺杂浓度及降低工作温度是抑制器件暗电流的主要途径 ,计算结果对进一步优化器件的设计将起到重要的理论指导作用 . 展开更多
关键词 GAAS/AIGAAS 量子阱红外探测器 暗电流特性分析 砷化镓
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如意金黄散干预闭合性骨折早期张力性水泡形成及发展的效果观察 被引量：4
8
作者 舒玉芹 杜金玉 《当代护士（上旬刊）》 2014年第8期30-31,共2页
目的探讨如意金黄散外敷干预四肢闭合性骨折患者急性期张力性水泡形成及发展的效果。方法 2012年9月-2013年9月采用便利抽样法选取在钟祥市人民医院骨科治疗的171例四肢闭合性骨折患者为研究对象,按床号单双数将其分为对照组（n=81）和... 目的探讨如意金黄散外敷干预四肢闭合性骨折患者急性期张力性水泡形成及发展的效果。方法 2012年9月-2013年9月采用便利抽样法选取在钟祥市人民医院骨科治疗的171例四肢闭合性骨折患者为研究对象,按床号单双数将其分为对照组（n=81）和观察组（n=90）。对照组患者采取抬高患肢置于功能位,并进行消肿、抗渗出药物治疗。观察组患者在此基础上辅助采用如意金黄散敷贴于患处,连续治疗5 d后,比较两组患者采用不同方法预防张力性水泡形成及发展疗效。结果与对照组相比,观察组患者采用如意金黄散外敷后,张力性水泡形成明显减少,对于已形成的水泡防止其继续发展的效果也更为显著,两组差异有统计学意义（χ2=17.2,P〈0.05）。结论如意金黄散能促进四肢骨折患者肢体肿胀的消退,有效预防张力性水泡的形成及发展。 展开更多
关键词 骨折 张力性水泡 中医药 如意金黄散
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Al_xGa_(1-x)As选择性湿法氧化技术的研究 被引量：4
9
作者 黄静 郭霞 +6 位作者 渠红伟 廉鹏 董立闽 朱文军 杜金玉 邹德恕 沈光地 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2003年第6期647-650,共4页
详细研究了温度和Al组分与AlxGa1-xAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的氧化为受AlxGa1-xAs材料与水汽反应速率限制的过程。运用优化的氧化条件,成功制备了氧化孔径为8μm... 详细研究了温度和Al组分与AlxGa1-xAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的氧化为受AlxGa1-xAs材料与水汽反应速率限制的过程。运用优化的氧化条件,成功制备了氧化孔径为8μm的垂直腔面发射激光器,最大直流光输出功率为3.2mW,激射波长为978nm,工作电流为15mA。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 ALXGA1-XAS 氧化
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在液氮温度下具有高增益的SiGe/SiHBT 被引量：4
10
作者 邹德恕 陈建新 +8 位作者 沈光地 高国 杜金玉 张时明 袁颖 王东凤 邓军 W.X.Ni G.V.Hansson 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期367-370,共4页
本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因．通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的SiGe／SiHBT，并分析了其工作机理．
关键词 液氮温度 硅双极晶体管 增益 设计
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射频溅射法镀LD腔面光学薄膜的工艺研究 被引量：1
11
作者 邹德恕 徐晨 +5 位作者 鲁鹏程 杜金玉 崔碧峰 舒雄文 刘莹 沈光地 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期451-453,共3页
　介绍了用普通多靶射频溅射台镀半导体激光器腔面光学膜的工艺方法,给出了实验的工艺条件、采用的光学膜的材料以及具体的工艺参数,讨论了此方法镀光学膜的结果以及优点。
关键词 射频溅射 增透膜 高反射膜 量子效率
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冶金企业用减速机漏油问题的综合治理方案与实践 被引量：4
12
作者 刘升 张世建 杜金玉 《液压气动与密封》 2006年第5期59-60,共2页
本文详细论述了减速机漏油的部位、原因,并针时不同的部位、原因提出了相应的解决方案。
关键词 冶金企业 减速机 漏油 治理方案
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不同备皮方式对肱骨骨折切开复位内固定手术患者的影响 被引量：3
13
作者 舒玉芹 杜金玉 《当代护士（上旬刊）》 2013年第8期34-35,共2页
目的探讨不同备皮方式对肱骨骨折切开复位内固定手术患者的影响。方法便利抽样法选择2010年5月至2011年7月在本院骨科治疗的110例肱骨骨折切开复位内固定手术患者为研究对象,按随机数字表法将其分为观察组和对照组,每组55例。所有患者术... 目的探讨不同备皮方式对肱骨骨折切开复位内固定手术患者的影响。方法便利抽样法选择2010年5月至2011年7月在本院骨科治疗的110例肱骨骨折切开复位内固定手术患者为研究对象,按随机数字表法将其分为观察组和对照组,每组55例。所有患者术前1d给予常规术前准备(包括皮试、配血、术前宣教),观察组患者术前采用不剃毛备皮,而对照组患者术前1d按常规方式给予剃毛备皮。比较2组患者对术前准备满意度,术后伤口的愈合情况、护士的工作量(为患者换药的次数)及护士的职业暴露情况。结果观察组患者的满意度高于对照组,差异有统计学意义(P<0.05)。2组患者在性别、年龄、疾病情况、术前及术后抗生素使用时间和种类无差别的情况下,其拆线时间、住院时间、切口愈合不良发生率的差异均无统计学意义(均P>0.05)。患者住院期间平均换药次数对照组与观察组分别为(2.80±1.003)、(2.34±0.595)次,观察组少于对照组,差异有统计学意义(t=4.171,P<0.001)。结论肱骨骨折切开复位内固定手术患者采用不剃毛备皮,能保护皮肤完整性,增加患者舒适感,减轻医疗护理的工作量,降低护士的职业暴露。 展开更多
关键词 肱骨骨折切开复位内固定手术 不剃毛备皮 切口感染
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碳掺杂GaAs激光器侧向扩展电流的研究 被引量：1
14
作者 邹德恕 廉鹏 +6 位作者 殷涛 李爽 刘莹 高国 罗辑 杜金玉 沈光地 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期10-11,19,共3页
实验研究了碳掺杂ＧａＡｓ激光器帽层的侧向扩展电流对阈值的影响。
关键词 砷化镓激光器 碳 掺杂 侧向扩展电流 激光器
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硅-玻璃静电键合中的电流-时间特性分析 被引量：2
15
作者 董欣 吴畯苗 +5 位作者 邹德恕 史衍丽 邓军 杜金玉 高国 沈光地 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第3期48-50,53,共4页
在微传感器和微机械结构的静电键合实验中 ,当加电压到键合片对上时 ,外电路的电流迅速上升到一定值后 ,不是逐渐减小 ,而是较缓慢的继续上升 ,或在某一值停留一段时间再逐渐减小到最小值。通过对实验现象的分析 ,认为键合的电流 -时间... 在微传感器和微机械结构的静电键合实验中 ,当加电压到键合片对上时 ,外电路的电流迅速上升到一定值后 ,不是逐渐减小 ,而是较缓慢的继续上升 ,或在某一值停留一段时间再逐渐减小到最小值。通过对实验现象的分析 ,认为键合的电流 -时间特性主要是下述两个过程的综合反映 ,键合过程中接触电阻的减小引起的电流增大和空间电荷区形成引起的电流减小 。 展开更多
关键词 硅-玻璃 静电键合 电流-时间特性 微机械 微传感器
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隧道带间耦合级联新型激光器扩展电流的优化 被引量：2
16
作者 邹德恕 崔碧峰 +8 位作者 李建军 廉鹏 徐晨 韩金茹 刘莹 杜金玉 张丽 高国 沈光地 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期989-991,共3页
隧道带间耦合级联激光器采用 C掺杂生长隧道结 ,由于高浓度 C掺杂层在激光器多个有源区之间分布形成了高电导层 ,增加了注入电流的横向扩展 ,使激光器的性能不能充分发挥出来。我们利用双面电极新型结构可以很好地克服横向电流扩展 ,使... 隧道带间耦合级联激光器采用 C掺杂生长隧道结 ,由于高浓度 C掺杂层在激光器多个有源区之间分布形成了高电导层 ,增加了注入电流的横向扩展 ,使激光器的性能不能充分发挥出来。我们利用双面电极新型结构可以很好地克服横向电流扩展 ,使级联的激光器保证充分的光输出功率。具体是在常规激光器背面衬底做完全与正面电极相同而对中的电极。当加入电场后 ,使电场完全集中在这两个相对中的电极之间 ,使激光器注入的电流从正面电极完全不扩展地流入到背面衬底电极 ,保证每个有源区都注入相同的电流而保证每个有源区充分的光输出。对 4个有源区级联的激光器光输出功率较常规电极提高 70 %以上 ,输出光功率从 1.6 W提高到 2 .4W,斜率效率提高 70 展开更多
关键词 碳掺杂 隧道结构 带间耦合级联激光器 扩展电流
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新型高效隧道再生多有源区超高亮AlGaInP发光二极管 被引量：2
17
作者 郭霞 沈光地 +3 位作者 王国宏 王学忠 杜金玉 高国 《中国科学（E辑）》 CSCD 北大核心 2002年第2期207-210,共4页
分析了传统的发光二极管所存在的问题,提出了一种新的发光机制——高效隧道再生多有源区发光机制,详细介绍了新型发光管的工作原理,结构和制备工艺.通过理论和测试分析,验证了新机理器件的轴向光强随有源区的数目增加而线性增加的物理思... 分析了传统的发光二极管所存在的问题,提出了一种新的发光机制——高效隧道再生多有源区发光机制,详细介绍了新型发光管的工作原理,结构和制备工艺.通过理论和测试分析,验证了新机理器件的轴向光强随有源区的数目增加而线性增加的物理思想,实现了在小电流下的高亮度发光.器件在未生长厚电流扩展层的情况下,峰值波长在625nm左右,20mA注入电流下,15°普通封装,轴向光强最大超过5 cd. 展开更多
关键词 ALGAINP发光二极管 隧道再生 多有源区 高亮度 发光机制 量子效率 物理思想
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SiGe/SiHBT及逆向制造方法 被引量：1
18
作者 邹德恕 陈建新 +4 位作者 沈光地 高国 杜金玉 张时明 袁颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期23-25,共3页
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的工作原理以及一种双台面结构的逆向制造方法
关键词 窄能带 逆向 锗化硅 硅 HBT 双极晶体管
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SiGe/SiHBT离子注入自对准的研究 被引量：1
19
作者 邹德恕 高国 +4 位作者 陈建新 沈光地 张京燕 杜金玉 邓军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期36-39,共4页
介绍了离子注入技术自对准制作ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的方法，分析了对器件特性的影响。
关键词 离子注入 自对准 半导体器件
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基区杂质外扩对SiGe/Si HBT低温特性的影响 被引量：2
20
作者 邹德恕 高国 +7 位作者 陈建新 杜金玉 张京燕 沈光地 邓军 赵贞勇 黄绮 周钧铭 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期10-13,共4页
ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区，使得低温增益下降。提出采用适当厚度的隔离层的方法，使ＨＢＴ电流增益在低温下增长。
关键词 HBT 低温特性 杂质外扩 锗化硅 硅
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