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磁控溅射Ti掺杂NbN薄膜的机械和摩擦学特性研究 被引量:1
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作者 韩玉蕊 杜安 顾广瑞 《延边大学学报(自然科学版)》 CAS 2019年第3期208-214,共7页
为研究Ti掺杂的NbN薄膜的机械和摩擦学特性,采用射频和直流磁控共溅射技术制备了Ti掺杂的NbN(Ti:NbN)薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、能量色散X射线光谱仪(EDX)、扫描电子显微镜(SEM)、纳米压痕仪、高温摩擦磨损实验机分别对Ti掺杂的NbN薄... 为研究Ti掺杂的NbN薄膜的机械和摩擦学特性,采用射频和直流磁控共溅射技术制备了Ti掺杂的NbN(Ti:NbN)薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、能量色散X射线光谱仪(EDX)、扫描电子显微镜(SEM)、纳米压痕仪、高温摩擦磨损实验机分别对Ti掺杂的NbN薄膜的微观结构、组成成分、表面形貌、机械和摩擦学性能进行了研究.XRD测试结果显示,薄膜的结晶性随着Ti靶掺杂功率的增加(从0 W逐渐升高到40 W)而呈明显增强趋势,晶粒尺寸也由18.010 nm增加到21.227 nm.当Ti靶的掺杂功率为30 W时,NbN薄膜的硬度由4.5 GPa(未掺杂)增加到20.4 GPa,弹性模量由145.8 GPa(未掺杂)增加到224.5 GPa;当Ti靶的掺杂功率为40 W时,NbN薄膜的摩擦系数由0.73(未掺杂)下降到0.51,磨损率由3.3×10^-6 mm^3/(N·mm)(未掺杂)下降到2.1×10^-6 mm^3/(N·mm).这表明,掺杂Ti可使NbN薄膜的机械性能和摩擦学性能得到很大的改善. 展开更多
关键词 磁控溅射 NbN薄膜 机械性能 摩擦学性能
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InAs/GaAs quantum dot laterally coupled distributed feedback lasers at 1.3μm
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作者 于文富 赵旭熠 +8 位作者 韩实现 杜安 刘若涛 曹春芳 严进一 杨锦 黄华 王海龙 龚谦 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第1期80-84,共5页
We report the InAs/GaAs quantum dot laterally coupled distributed feedback(LC-DFB)lasers operating at room temperature in the wavelength range of 1.31μm.First-order chromium Bragg gratings were fabricated alongside t... We report the InAs/GaAs quantum dot laterally coupled distributed feedback(LC-DFB)lasers operating at room temperature in the wavelength range of 1.31μm.First-order chromium Bragg gratings were fabricated alongside the ridge waveguide to obtain the maximum coupling coefficient with the optical field.Stable continuous-wave single-frequency operation has been achieved with output power above 5 mW/facet and side mode suppression ratio exceeding 52 dB.Moreover,a single chip integrating three LC-DFB lasers was tentatively explored.The three LC-DFB lasers on the chip can operate in single mode at room temperature,covering the wavelength span of 35.6 nm. 展开更多
关键词 INAS quantum dot laterally coupled distributed feedback laser
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Single-mode GaSb-based laterally coupled distributed-feedback laser for CO_(2)gas detection
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作者 韩实现 严进一 +6 位作者 曹春芳 杨锦 杜安 陈元宇 刘若涛 王海龙 龚谦 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第10期443-447,共5页
We report on a GaSb-based laterally coupled distributed feedback(LC-DFB)laser with Cr gratings operating at 2004 nm for CO_(2)detection application.Butterfly packaged with single-mode fiber pigtailed,the laser diode o... We report on a GaSb-based laterally coupled distributed feedback(LC-DFB)laser with Cr gratings operating at 2004 nm for CO_(2)detection application.Butterfly packaged with single-mode fiber pigtailed,the laser diode operates in the continuous-wave mode in a temperature range from-10℃to 60℃,with a maximum output power of 2 mW and a maximum side-mode suppression ratio over 30 dB.Wavelength-modulated absorption spectroscopy of CO_(2)demonstrates the applicability of the LC-DFB laser to tunable diode laser absorption spectroscopy.Furthermore,the diode junction temperature,which is measured by using the wavelength shift method,exhibits a maximum value of 17℃in the single-mode operation range. 展开更多
关键词 semiconductor lasers quantum wells laser spectroscopy
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有源区Be掺杂对1.3μm InAs量子点激光器性能的影响
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作者 杜安 曹春芳 +2 位作者 韩实现 王海龙 龚谦 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期450-456,共7页
利用分子束外延技术在GaAs(100)衬底上生长了1.3μm InAs DWELL量子点激光器结构,研究了有源区Be掺杂对量子点激光器性能的影响。研究表明,对有源区进行Be掺杂可以有效降低InAs量子点激光器的阈值电流密度,提升激光器的输出功率,增加激... 利用分子束外延技术在GaAs(100)衬底上生长了1.3μm InAs DWELL量子点激光器结构,研究了有源区Be掺杂对量子点激光器性能的影响。研究表明,对有源区进行Be掺杂可以有效降低InAs量子点激光器的阈值电流密度,提升激光器的输出功率,增加激光器的温度稳定性。研制的Be掺杂InAs量子点激光器的阈值电流降低到12mA,相应的阈值电流密度仅为100 A/cm2,激光器的最高输出功率达到183 mW,最高工作温度达到了130℃。这对InAs量子点激光器器件在光通信系统中的应用具有重要意义。 展开更多
关键词 量子点激光器 分子束外延 阈值电流密度 输出功率 特征温度
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利用InAs/GaAs数字合金超晶格改进InAs量子点有源区的结构设计
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作者 杜安 刘若涛 +3 位作者 曹春芳 韩实现 王海龙 龚谦 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期279-285,共7页
利用分子束外延技术,通过InAs/GaAs数字合金超晶格代替传统的直接生长InGaAs层的方式,在GaAs(100)衬底上生长了InAs量子点结构并成功制备了1.3μm InAs量子点激光器.通过原子力显微镜和光致荧光谱测试手段,对传统生长模式和数字合金超... 利用分子束外延技术,通过InAs/GaAs数字合金超晶格代替传统的直接生长InGaAs层的方式,在GaAs(100)衬底上生长了InAs量子点结构并成功制备了1.3μm InAs量子点激光器.通过原子力显微镜和光致荧光谱测试手段,对传统生长模式和数字合金超晶格生长模式的两种样品进行了表征,研究发现采用32周期InAs/GaAs数字合金超晶格样品的量子点密度非常高,发光性能良好.通过与常规生长方式所制备激光器的性能对比,发现采用InAs/GaAs数字合金超晶格生长InAs量子点的有源区也可以得到高质量的激光器.利用该方式生长的InAs量子点激光器的阈值电流为24 mA,相应的阈值电流密度仅为75 A/cm^(2),最高工作温度达到120℃.InAs/GaAs数字合金超晶格既可以保证生长过程中源炉的温度保持不变,还可以对InGaAs层的组分实现灵活调控.不需要改变生长速度,通过改变InAs/GaAs数字合金超晶格的周期数以及InAs层和GaAs层的厚度,便可以获得任意组分的InGaAs,从而得到不同发光波长的激光器.这种生长方式对量子点有源区的结构设计和外延生长提供了新思路. 展开更多
关键词 量子点 半导体激光器 分子束外延 数字合金超晶格
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