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宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展
被引量：
14
1
作者
彭同华
刘春俊
+10 位作者
王波
王锡铭
郭钰
赵宁
李
龙
远
刘宇
黄青松
贾玉萍
王刚
郭丽伟
陈小
龙
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第S1期234-241,共8页
本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半...
本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半高宽小于20″;生长的导电型SiC晶体电阻率小于0.02Ω.cm,半绝缘型SiC晶体电阻率大于108Ω.cm,电阻率分布均匀性良好。研究出即开即用SiC晶片批量加工技术,晶片表面粗糙度低于0.2 nm,翘曲度和总厚度变化满足工业化批量生产要求。与此同时,在基础物性研究方面也取得了系列研究成果。首次在实验上给出了直接证据证明SiC晶体中的双空位能够诱导出磁性,并从理论上予以证明。利用多种方法在SiC衬底上成功制备出大面积、高质量、性能优异的石墨烯。
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关键词
SIC晶体
单晶生长
晶片加工
磁性
石墨烯
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职称材料
高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究
被引量：
3
2
作者
刘兵
蒲红斌
+5 位作者
赵然
赵子强
鲍慧强
李
龙
远
李
晋
刘素娟
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第4期570-575,共6页
PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响,优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布,在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体...
PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响,优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布,在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体。用高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和缺陷检测系统对所加工的SiC衬底片的质量进行了表征。测试结果表明,晶型为单一的4H-SiC,微管密度小于1 cm^-2,电阻率范围为0.02~0.022Ω·cm,X射线摇摆曲线半高宽为21.6″。
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关键词
PVT法
6英寸N型4H-SiC
数值模拟
温场分布
晶体品质
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职称材料
题名
宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展
被引量：
14
1
作者
彭同华
刘春俊
王波
王锡铭
郭钰
赵宁
李
龙
远
刘宇
黄青松
贾玉萍
王刚
郭丽伟
陈小
龙
机构
北京天科合达蓝光半导体有限公司
中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第S1期234-241,共8页
文摘
本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半高宽小于20″;生长的导电型SiC晶体电阻率小于0.02Ω.cm,半绝缘型SiC晶体电阻率大于108Ω.cm,电阻率分布均匀性良好。研究出即开即用SiC晶片批量加工技术,晶片表面粗糙度低于0.2 nm,翘曲度和总厚度变化满足工业化批量生产要求。与此同时,在基础物性研究方面也取得了系列研究成果。首次在实验上给出了直接证据证明SiC晶体中的双空位能够诱导出磁性,并从理论上予以证明。利用多种方法在SiC衬底上成功制备出大面积、高质量、性能优异的石墨烯。
关键词
SIC晶体
单晶生长
晶片加工
磁性
石墨烯
Keywords
SiC crystals
single crystal growth
wafer processing
magnetism
graphene
分类号
O7 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究
被引量：
3
2
作者
刘兵
蒲红斌
赵然
赵子强
鲍慧强
李
龙
远
李
晋
刘素娟
机构
西安理工大学自动化与信息工程学院
中科钢研节能科技有限公司
西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第4期570-575,共6页
基金
陕西省重点研发计划项目(2018ZDXM-GY-003)。
文摘
PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响,优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布,在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体。用高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和缺陷检测系统对所加工的SiC衬底片的质量进行了表征。测试结果表明,晶型为单一的4H-SiC,微管密度小于1 cm^-2,电阻率范围为0.02~0.022Ω·cm,X射线摇摆曲线半高宽为21.6″。
关键词
PVT法
6英寸N型4H-SiC
数值模拟
温场分布
晶体品质
Keywords
PVT method
6-inch N-type 4H-SiC
numerical simulation
temperature distribution
crystal quality
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展
彭同华
刘春俊
王波
王锡铭
郭钰
赵宁
李
龙
远
刘宇
黄青松
贾玉萍
王刚
郭丽伟
陈小
龙
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
14
下载PDF
职称材料
2
高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究
刘兵
蒲红斌
赵然
赵子强
鲍慧强
李
龙
远
李
晋
刘素娟
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020
3
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职称材料
已选择
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