以2种不同截面尺寸的阵列波导光栅芯片(截面长×宽为6.0μm×6.0μm和4.5μm×4.5μm)与单模光纤的对准耦合为对象,基于光束传播法建立对准耦合仿真模型,分析输入端/输出端几何位置偏差对耦合损耗的影响规律,并进行实验验证...以2种不同截面尺寸的阵列波导光栅芯片(截面长×宽为6.0μm×6.0μm和4.5μm×4.5μm)与单模光纤的对准耦合为对象,基于光束传播法建立对准耦合仿真模型,分析输入端/输出端几何位置偏差对耦合损耗的影响规律,并进行实验验证,以指导AWG器件的耦合封装。研究结果表明:长×宽为6.0μm×6.0μm的截面光通道输入端横向位错、轴向间距和角度偏移的0.15 d B容差分别为0.77μm,19μm和0.57°,输出端横向位错、轴向间距和角度偏移的0.15 d B容差分别为0.77μm,18.00μm和0.49°;4.5μm×4.5μm截面光通道输入端横向位错、轴向间距和角度偏移的0.15 d B容差分别为0.69μm,18.00μm和0.57°,输出端横向位错、轴向间距和角度偏移的0.15 d B容差分别为0.68μm,19.00μm和0.71°;在耦合过程中,首先应考虑横向偏移误差和角度偏移,最后应考虑轴向间距误差。展开更多
文摘以2种不同截面尺寸的阵列波导光栅芯片(截面长×宽为6.0μm×6.0μm和4.5μm×4.5μm)与单模光纤的对准耦合为对象,基于光束传播法建立对准耦合仿真模型,分析输入端/输出端几何位置偏差对耦合损耗的影响规律,并进行实验验证,以指导AWG器件的耦合封装。研究结果表明:长×宽为6.0μm×6.0μm的截面光通道输入端横向位错、轴向间距和角度偏移的0.15 d B容差分别为0.77μm,19μm和0.57°,输出端横向位错、轴向间距和角度偏移的0.15 d B容差分别为0.77μm,18.00μm和0.49°;4.5μm×4.5μm截面光通道输入端横向位错、轴向间距和角度偏移的0.15 d B容差分别为0.69μm,18.00μm和0.57°,输出端横向位错、轴向间距和角度偏移的0.15 d B容差分别为0.68μm,19.00μm和0.71°;在耦合过程中,首先应考虑横向偏移误差和角度偏移,最后应考虑轴向间距误差。
