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基于FPGA和DSP的高速图像处理系统设计 被引量：1
1
作者 李秀圣 《潍坊学院学报》 2011年第4期5-8,共4页
介绍了一种基于现场可编程逻辑阵列和数字信号处理器协同作业的高速图像处理嵌入式系统。借助于单片双口RAM,设计了一种新颖的数据传输结构,并利用乒乓技术实现对实时高速图像数据的缓冲。整个系统的工作流程在FPGA和DSP的分工及协作下... 介绍了一种基于现场可编程逻辑阵列和数字信号处理器协同作业的高速图像处理嵌入式系统。借助于单片双口RAM,设计了一种新颖的数据传输结构,并利用乒乓技术实现对实时高速图像数据的缓冲。整个系统的工作流程在FPGA和DSP的分工及协作下完成,这比使用单片DSP建立的处理系统性能提高25%左右。该系统具有可重构性,方便其它算法在该系统上实现。 展开更多
关键词 FPGA DSP JPEG 双口RAM 图像压缩
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SiO_2/SiC界面过渡区结构研究 被引量：1
2
作者 朱巧智 王德君 +1 位作者 赵亮 李秀圣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期259-261,共3页
采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1～1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界... 采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1～1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的成分分布情况,适合用一个分层模型来描述,进而建立了过渡区成分分布的原子级结构模型。 展开更多
关键词 SiO2/SiC界面 4H-SIC 变角X射线光电子能谱 缺陷
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不同载流子输运模型对GaN IMPATT二极管直流特性的影响研究
3
作者 李秀圣 《潍坊学院学报》 2018年第6期14-17,共4页
本文利用氮化镓半导体,设计了传统的高-低结构的碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管,并利用漂移-扩散输运模型和流体动力学输运模型,在Sentaurus模拟器中对器件的直流特性进行了模拟研究。通过对比研究,发现漂移-扩散模型过高估计了器... 本文利用氮化镓半导体,设计了传统的高-低结构的碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管,并利用漂移-扩散输运模型和流体动力学输运模型,在Sentaurus模拟器中对器件的直流特性进行了模拟研究。通过对比研究,发现漂移-扩散模型过高估计了器件内部载流子的碰撞电离率,而流体动力学模型更能精确的揭示器件内部载流子的电离过程。 展开更多
关键词 氮化镓 IMPATT 漂移-扩散 流体动力学
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基于FPGA平台的实时人眼检测系统设计
4
作者 李秀圣 郭伟峻 《潍坊学院学报》 2012年第4期35-37,59,共4页
采用近红外光源与图像差分相结合的方法在现场可编程逻辑阵列(FPGA)平台上实现了人眼检测系统。利用图像差分可以获得具有亮瞳孔效应、以人脸为主体的目标图像,通过对其进行灰度拉伸、分割、积分投影可以得到人脸位置,在检测到的人脸区... 采用近红外光源与图像差分相结合的方法在现场可编程逻辑阵列(FPGA)平台上实现了人眼检测系统。利用图像差分可以获得具有亮瞳孔效应、以人脸为主体的目标图像,通过对其进行灰度拉伸、分割、积分投影可以得到人脸位置,在检测到的人脸区域利用改进的复杂度算法实现了人眼检测。经测试,系统的处理速度可达30帧/秒,满足实时性检测的要求。基于近红外光源的方法消除了外界光源的干扰,从而保证了系统的鲁棒性。 展开更多
关键词 FPGA 近红外光 图像差分 人眼检测
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GaN/SiC基异质结亚毫米波IMPATT二极管特性研究
5
作者 李秀圣 《潍坊学院学报》 2020年第2期1-5,共5页
碰撞电离雪崩渡越时间二极管是高频通信领域最具潜力的功率电子学器件,硅和砷化镓材料广泛用于该器件的制造中,但材料较小的禁带宽度限制了二极管的功率输出能力及直流-射频转换效率。为了克服这一问题,利用宽禁带半导体(如SiC、GaN)制... 碰撞电离雪崩渡越时间二极管是高频通信领域最具潜力的功率电子学器件,硅和砷化镓材料广泛用于该器件的制造中,但材料较小的禁带宽度限制了二极管的功率输出能力及直流-射频转换效率。为了克服这一问题,利用宽禁带半导体(如SiC、GaN)制造碰撞电离雪崩渡越时间二极管成为当前研究的热点。本文设计了一个新颖的n-GaN/n-4H-SiC异质结碰撞电离雪崩渡越时间二极管结构,利用漂移-扩散模型,在Sentaurus模拟软件中对该二极管的直流特性和大信号微波特性进行了详细的数值模拟研究。作为对比,本文也对具有同样结构的GaN基和4H-SiC基同质结IMPATT二极管的相关特性进行了研究。结果表明,该异质结碰撞电离雪崩渡越时间二极管的最佳工作频率为280 GHz,最大射频输出功率密度为1.69 MW/cm2,直流-射频转换效率为17.8%。研究发现,GaN/SiC异质结是制造IMPATT二极管的优选材料体系。 展开更多
关键词 异质结 GaN/SiC IMPATT 亚毫米波
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In0.17Al0.83N/GaN IMPATT二极管的温度特性
6
作者 李秀圣 曹连振 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第12期936-942,共7页
为研究碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的温度特性,采用Sentaurus软件设计了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结IMPATT二极管二维结构,利用漂移-扩散模型研究了温度对二极管直流及高频特性的影响,并与GaN同质结IMPATT二极管的温度... 为研究碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的温度特性,采用Sentaurus软件设计了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结IMPATT二极管二维结构,利用漂移-扩散模型研究了温度对二极管直流及高频特性的影响,并与GaN同质结IMPATT二极管的温度特性进行了比较。结果表明,温度升高时IMPATT二极管的击穿电压增大,使异质结和同质结IMPATT二极管的射频输出功率密度分别由300 K时的1.62 MW/cm2和1.24 MW/cm2增大至500 K时的1.79 MW/cm2和1.42 MW/cm2。温度升高时二极管雪崩区宽度增大,导致异质结和同质结IMPATT二极管的直流-射频转换效率分别由300 K时的15.4%和12.1%降低至500 K时的14.2%和10.7%。相比之下,In0.17Al0.83N/GaN异质结IMPATT二极管更适合高温工作,取得的研究数据可用于指导毫米波大功率InAlN/GaN异质结IMPATT二极管的设计。 展开更多
关键词 In0.17Al0.83N/GaN 二极管 异质结 碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT) 温度特性
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