目的探讨甲状腺乳头状腺癌(pap illary thyroid carc inom a,PTC)侵犯气管的治疗方式及其预后。方法回顾性分析1980—1995年间45例PTC侵犯气管患者的临床资料。根据肿瘤侵犯气管的范围和程度不同分为气管局限性受侵组(A组)行肿瘤切除术2...目的探讨甲状腺乳头状腺癌(pap illary thyroid carc inom a,PTC)侵犯气管的治疗方式及其预后。方法回顾性分析1980—1995年间45例PTC侵犯气管患者的临床资料。根据肿瘤侵犯气管的范围和程度不同分为气管局限性受侵组(A组)行肿瘤切除术28例,肿瘤侵及气管腔内组(B组)行根治性切除术10例和肿瘤区域广泛受侵组(C组)行姑息性切除术7例。39例行颈淋巴清扫术。术后切缘病理检查有肿瘤细胞或术中肉眼观察肿瘤切除不干净的部分患者给予术后放疗,共17例。Kap lan-M e ier法计算累积生存率,组间差异采用Log-Rank法检验。结果①A组5年和10年生存率分别为85.0%和62.6%。7例术后放疗,21例术后未放疗。术后放疗与术后未放疗比较,5年和10年生存率比较差异均无统计学意义(P值均>0.05)。②B组5年和10年生存率分别为80.0%和58.3%。术后放疗6例,未放疗4例。术后放疗与否,5年和10年生存率比较差异均无统计学意义(P值均>0.05)。③C组5年和10年生存率分别为42.9%和28.6%。4例术后放疗患者,5年和10年生存率分别为50.0%和50.0%。3例术后未放疗患者,5年生存率为33.3%,无10年生存。术后放疗与否,其5年和10年生存率比较差异均无统计学意义(P值均>0.05)。结论PTC气管受侵尚未侵及腔内黏膜层者可采用肿瘤切除术得以根治,穿透气管腔内黏膜层者行肿瘤根治性切除可延长患者的生存。术后放疗有可能提高姑息性切除患者的生存率。展开更多
本文利用 L P- MOCVD系统在 In P(0 0 1)衬底上先生长约 2 nm的 Ga As张应变层 ,再依据 S- K生长模式生长 In As量子点层。用原子力显微镜 (AFM)对 In As量子点 (岛化 )进行了研究。研究发现当In As层的厚度为 2个单原子层 (ML)时 ,刚刚...本文利用 L P- MOCVD系统在 In P(0 0 1)衬底上先生长约 2 nm的 Ga As张应变层 ,再依据 S- K生长模式生长 In As量子点层。用原子力显微镜 (AFM)对 In As量子点 (岛化 )进行了研究。研究发现当In As层的厚度为 2个单原子层 (ML)时 ,刚刚有 In As自组装量子点在表面形成 ;当 In As层的厚度为 4ML时 ,有大量的 In As自组装量子点在表面形成 ,且量子点的有规律地沿两个正交方向排列 ,沿某一方向排列较多 ,而另一方向相对较少。展开更多
In this paper, the GaN based epitaxial wafer is fabricated on big 1 mmx1 mm chips, and packaged with a special technology. At working current 350 mA and working voltage 3.74 V, the full viewing angle, the axial bright...In this paper, the GaN based epitaxial wafer is fabricated on big 1 mmx1 mm chips, and packaged with a special technology. At working current 350 mA and working voltage 3.74 V, the full viewing angle, the axial brightness and the output integral power of the 465 nm LED can reach 125? 210, 000 cd/m2 and 1.5 1m, respectively. The LED with such good performances has promising application potential in the fields of display, traffic and the development of solid-state white light source.展开更多
文摘目的探讨甲状腺乳头状腺癌(pap illary thyroid carc inom a,PTC)侵犯气管的治疗方式及其预后。方法回顾性分析1980—1995年间45例PTC侵犯气管患者的临床资料。根据肿瘤侵犯气管的范围和程度不同分为气管局限性受侵组(A组)行肿瘤切除术28例,肿瘤侵及气管腔内组(B组)行根治性切除术10例和肿瘤区域广泛受侵组(C组)行姑息性切除术7例。39例行颈淋巴清扫术。术后切缘病理检查有肿瘤细胞或术中肉眼观察肿瘤切除不干净的部分患者给予术后放疗,共17例。Kap lan-M e ier法计算累积生存率,组间差异采用Log-Rank法检验。结果①A组5年和10年生存率分别为85.0%和62.6%。7例术后放疗,21例术后未放疗。术后放疗与术后未放疗比较,5年和10年生存率比较差异均无统计学意义(P值均>0.05)。②B组5年和10年生存率分别为80.0%和58.3%。术后放疗6例,未放疗4例。术后放疗与否,5年和10年生存率比较差异均无统计学意义(P值均>0.05)。③C组5年和10年生存率分别为42.9%和28.6%。4例术后放疗患者,5年和10年生存率分别为50.0%和50.0%。3例术后未放疗患者,5年生存率为33.3%,无10年生存。术后放疗与否,其5年和10年生存率比较差异均无统计学意义(P值均>0.05)。结论PTC气管受侵尚未侵及腔内黏膜层者可采用肿瘤切除术得以根治,穿透气管腔内黏膜层者行肿瘤根治性切除可延长患者的生存。术后放疗有可能提高姑息性切除患者的生存率。
文摘本文利用 L P- MOCVD系统在 In P(0 0 1)衬底上先生长约 2 nm的 Ga As张应变层 ,再依据 S- K生长模式生长 In As量子点层。用原子力显微镜 (AFM)对 In As量子点 (岛化 )进行了研究。研究发现当In As层的厚度为 2个单原子层 (ML)时 ,刚刚有 In As自组装量子点在表面形成 ;当 In As层的厚度为 4ML时 ,有大量的 In As自组装量子点在表面形成 ,且量子点的有规律地沿两个正交方向排列 ,沿某一方向排列较多 ,而另一方向相对较少。
文摘In this paper, the GaN based epitaxial wafer is fabricated on big 1 mmx1 mm chips, and packaged with a special technology. At working current 350 mA and working voltage 3.74 V, the full viewing angle, the axial brightness and the output integral power of the 465 nm LED can reach 125? 210, 000 cd/m2 and 1.5 1m, respectively. The LED with such good performances has promising application potential in the fields of display, traffic and the development of solid-state white light source.
