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InAs自组织量子点(线)的制备和表征 被引量:2
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作者 武光明 贾锐 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期490-494,共5页
在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析,认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件,停止衬底旋转... 在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析,认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件,停止衬底旋转时InAlAs缓冲层沿[110]方向分布的台阶促使InAs优先形成量子点.讨论了量子点和量子线的形成机理. 展开更多
关键词 INAS 自组织量子点 制备 表征 分子束外延生长 Stranski-krastanow模式 砷化铟 半导体 量子体
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InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究 被引量:1
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作者 武光明 朱江 +1 位作者 贾锐 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期566-570,共5页
在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并研究了量子点、线的光学性质。结果表明,两种方式都可生长出较强发光的量子点(线);由量子点排列构成的量... 在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并研究了量子点、线的光学性质。结果表明,两种方式都可生长出较强发光的量子点(线);由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构,分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的。 展开更多
关键词 材料科学基础学科 InAs自组织量子点(线) 光致发光光谱 浸润层
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北京昌平霏细岩在结晶釉陶瓷坯体中的应用
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作者 袁家铮 王冰 《矿物岩石地球化学通报》 CAS CSCD 1999年第4期213-216,共4页
Reported in this paper are the use of Changping eurite in crystalline glaze body.On the basis of SEM,XRD and chemical composition analysis,Changping eurite is an ultra hypabyssal acidite.Main chemical compositions of ... Reported in this paper are the use of Changping eurite in crystalline glaze body.On the basis of SEM,XRD and chemical composition analysis,Changping eurite is an ultra hypabyssal acidite.Main chemical compositions of Changping eruite are SiO 2 75%,K 2O+Na 2O>8%and Al 2O 3 13 5%.There are quartz, feldspar,albite,opaque minerals and pyroxene biotite in it.The composition is familiar to some china stone.The body which contains 40%~65% Changping eurite has the character of feldspathic porcelain.In firing temperature 1250~1300℃,the body is nicely combined with some crystalline glaze. 展开更多
关键词 昌平霏细岩 长石质瓷 结晶釉坯体
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Structure and Photoluminescence of InGaAs Quantum Dots Formed on an InA1As Wetting Layer
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作者 ZHANG Yuan-Chang YE Xiao-Ling +6 位作者 XU Bo Ding Ding Wang Ji-zheng LI Yue-Fa LIU Feng-Qi WANG Zhan-Guo HUANG Chang-jun 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2001年第10期1411-1414,共4页
We have developed a nev self-assembled quantum dot system where InGaAs dots are formed on an InAlAs wetting layer and embedded in the GaAs matrix. The structure is realized by special sample designation and demonstrat... We have developed a nev self-assembled quantum dot system where InGaAs dots are formed on an InAlAs wetting layer and embedded in the GaAs matrix. The structure is realized by special sample designation and demonstrated by low-temperature photoluminescence measurements. In contrast to the traditional InAs/GaAs quantum dots dominated by the ensemble effect, the temperature dependence of the photoluminescence of such a quantum dot structure behaves as decoupled quantum dots. This can be attributed to the enhanced potential confinement for the dots provided by a higher-energy barrier in the wetting layer。 展开更多
关键词 attributed QUANTUM behave
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