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几种三阴性乳腺癌标志物的临床病理意义 被引量：8
1
作者 黄小彦 池瑞霞 +3 位作者 刘铭 李景曦 曾婉姗 谢文杰 《中华病理学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期2-8,共7页
乳腺癌是一种高度异质性肿瘤，这种异质性体现在不同肿瘤类型之间以及同一肿瘤内部之间等多层次的差异，亦表现在传统的组织病理分型／免疫组织化学（ immunohistochemical ， IHC ）特征的分型和近期依据基因表达谱（ gene expression ... 乳腺癌是一种高度异质性肿瘤，这种异质性体现在不同肿瘤类型之间以及同一肿瘤内部之间等多层次的差异，亦表现在传统的组织病理分型／免疫组织化学（ immunohistochemical ， IHC ）特征的分型和近期依据基因表达谱（ gene expression profiling ， GEP）的分子分型上［1］。根据最新版WHO分类，基于不同的生长方式、组织学结构和细胞学形态，乳腺癌可分为21种不同的组织学类型［2］。不同类型的肿瘤具有不同的组织学形态、基因表达及预后特征。使用分子分型可将乳腺癌分为不同的亚型，包括表达雌激素受体（ ER）相关因子的亚型（ luminal型）、表达人类表皮生长因子受体2（ HER2）相关通路因子的亚型（ HER2过表达亚型）和表达基底因子但不表达激素受体通路的亚型（ basal like breast cancer ， BLBC ）。在日常应用中，依据GEP分析的分子分型常常被IHC分型所替代。通过IHC分型方法［3］，乳腺癌被划分为激素受体（ ER、PR）阳性组和阴性组，后者根据HER2表达情况进一步分为HER2过表达乳腺癌和三阴性（ ER、PR、HER2阴性）乳腺癌（ triple negative breast carcinoma ， TNBC ）。2013年， St Gallen国际乳腺癌会议专家组再次确认IHC分类法，以乳腺癌IHC分型替代GEP分子分型：luminal A型（ ER ＋， PR≥20％， HER2－， Ki-67＜20％）；luminal B型（ ER＋， PR＜20％和／或HER2＋和／或Ki-67≥20％）；HER2过表达型（ ER －， PR －， HER2＋）；基底样型（ER－，PR－，HER2－）［4］。尽管这种IHC分类方法便于使用，但与GEP分型并不完全一致［4-5］。 展开更多
关键词 乳腺癌 HER2过表达 阴性 临床病理 癌标志物 人类表皮生长因子受体2 组织病理分型 CARCINOMA
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导电Si_3N_4基复相陶瓷研究进展 被引量：3
2
作者 郭伟明 古尚贤 +3 位作者 苏国康 李景曦 林华泰 伍尚华 《现代技术陶瓷》 CAS 2016年第2期94-106,共13页
Si_3N_4陶瓷具有优异的力学性能和导热性能,然而其固有的高硬度和脆性极大地限制了其加工性能。通过添加导电相改善Si3N4陶瓷的导电性能可实现对Si_3N_4陶瓷的电火花加工。添加的导电相主要包括钛基化合物(TiN、TiC、TiC N、TiB_2)、锆... Si_3N_4陶瓷具有优异的力学性能和导热性能,然而其固有的高硬度和脆性极大地限制了其加工性能。通过添加导电相改善Si3N4陶瓷的导电性能可实现对Si_3N_4陶瓷的电火花加工。添加的导电相主要包括钛基化合物(TiN、TiC、TiC N、TiB_2)、锆基化合物(Zr B_2、Zr N)和MoSi_2等导电陶瓷以及碳纳米管(CNT)、碳纳米纤维(CNF)、石墨烯纳米片(GNP)等导电碳基纳米材料。本论文详细回顾了Si_3N_4基导电陶瓷的研究进展,并对今后Si_3N_4基导电陶瓷的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 Si3N4基陶瓷 导电陶瓷 碳基纳米材料
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ZrB_2粒径对Si_3N_4-ZrB_2陶瓷相组成、显微结构及电阻率的影响 被引量：3
3
作者 李景曦 伍尚华 +1 位作者 郭伟明 吴利翔 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期352-355,共4页
以20vol%ZrB_2粗粉和细粉为导电相,以3vol%MgO-2vol%YB_2O_3烧结助剂,通过热压烧结在1500℃制备了Si_3N_4-ZrB_2复相陶瓷,研究了ZrB_2粒径对致密度、相组成、显微结构以及电阻率的影响。结果表明,不依赖于ZrB_2粒径,通过引入MgO-YB_2O_... 以20vol%ZrB_2粗粉和细粉为导电相,以3vol%MgO-2vol%YB_2O_3烧结助剂,通过热压烧结在1500℃制备了Si_3N_4-ZrB_2复相陶瓷,研究了ZrB_2粒径对致密度、相组成、显微结构以及电阻率的影响。结果表明,不依赖于ZrB_2粒径,通过引入MgO-YB_2O_3烧结助剂,均可以获得高致密Si_3N_4-ZrB_2陶瓷。以ZrB_2粗粉为原料时,Si_3N_4-ZrB_2陶瓷包含主要的α-Si_3N_4、β-Si_3N_4和ZrB_2相以及微弱的Yb_4Si_2N_2O_7相,由于ZrB_2晶粒保持孤立状态,样品电阻率较高,为9.5×10~3Ω·m;而以ZrB_2细粉为原料时,其与Si_3N_4发生轻微的高温反应,除了包含主要的α-Si_3N_4、β-Si_3N_4和ZrB_2相及微弱的Yb_4Si_2N_2O_7相之外,Si_3N_4-ZrB_2陶瓷还含有新生成的微弱ZrSi_2和ZrN导电相,由于ZrB_2晶粒保持连通状态,样品电阻率显著降低,仅有6.8Ω·m。 展开更多
关键词 SI3N4陶瓷 ZrB2粒径 热压 显微结构 电阻率
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