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基于物理核心素养导向的实验情境教学——以“楞次定律”的教学为例 被引量：14
1
作者 朱顺明 蒋建明 《物理教师》 北大核心 2018年第5期32-34,共3页
实验是培养学生核心素养的重要途径,通过创设真实的物理实验探究,关注科学思维方法的实际应用,追求教学环境的多维互动,从而来提升学生科学思维能力和探究能力.笔者以＂楞次定律＂这一节课为载体,用实验情境教学来培养学生的科学素养.
关键词 实验教学 核心素养 物理情境
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高质量ZnO薄膜的退火性质研究 被引量：4
2
作者 叶建东 顾书林 +7 位作者 朱顺明 陈童 胡立群 秦峰 张荣 施毅 沈波 郑有炓 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第12期45-48,共4页
在LP MOCVD中 ,我们利用Zn(C2 H5) 2 作Zn源 ,CO2 作氧源 ,在 (0 0 0 2 )蓝宝石衬底上成功制备出c轴取向高度一致的ZnO薄膜 ,并对其进行 5 0 0℃～ 80 0℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO... 在LP MOCVD中 ,我们利用Zn(C2 H5) 2 作Zn源 ,CO2 作氧源 ,在 (0 0 0 2 )蓝宝石衬底上成功制备出c轴取向高度一致的ZnO薄膜 ,并对其进行 5 0 0℃～ 80 0℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后 ,(0 0 0 2 )ZnO的XRD衍射峰强度显著增强 ,c轴晶格常数变小 ,同时 (0 0 0 2 )ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大 ,这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小 ,PL谱的带边发射则加强 ,并出现红移 ,蓝带发光被有效抑制 ,表明ZnO薄膜的质量得到提高。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 氧化锌薄膜 退火 光致发光 金属有机气相外延沉积
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InN材料及其应用 被引量：7
3
作者 谢自力 张荣 +9 位作者 毕朝霞 刘斌 修向前 顾书林 江若琏 韩平 朱顺明 沈波 施毅 郑有炓 《微纳电子技术》 CAS 2004年第12期26-32,共7页
由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。
关键词 INN 带隙 半导体材料 晶格常数 晶格匹配
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蓝宝石衬底上6H-SiC单晶薄膜的化学气相淀积生长 被引量：6
4
作者 孙澜 陈平 +6 位作者 韩平 郑有 史君 朱嘉 朱顺明 顾书林 张荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期192-194,共3页
　采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H SiC单晶薄膜。其晶体质量和结构由X射线衍射谱和喇曼散射谱的测量结果得到确定。俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的观察表明所制备的6H ... 　采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H SiC单晶薄膜。其晶体质量和结构由X射线衍射谱和喇曼散射谱的测量结果得到确定。俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的观察表明所制备的6H SiC薄膜中的Si—C键的结合能为181.4eV,Si与C的原子比符合SiC的化学配比。扫描电子显微镜的分析显示6H SiC外延层和蓝宝石衬底间的界面相当平整。由紫外及可见光波段吸收谱的结果得到所生长的6H SiC的禁带宽度为2.83eV、折射系数在2.5～2.7之间,均与6H SiC体材料的相应数据一致。 展开更多
关键词 化学气相淀积 蓝宝石 6H-SIC 单晶薄膜 低温生长 碳化硅
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Ga掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长及其特性 被引量：7
5
作者 朱顺明 叶建东 +4 位作者 顾书林 刘松民 郑有炓 张荣 施毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1567-1571,共5页
利用低压MOCVD技术在(0002)蓝宝石上外延获得高质量的ZnO∶Ga单晶薄膜,并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响.当Ga/Zn气相摩尔比为3.2at%时,ZnO(0002)峰半高宽仅为0.26°,载流子浓度高达2.47×1019cm-3,透射率高... 利用低压MOCVD技术在(0002)蓝宝石上外延获得高质量的ZnO∶Ga单晶薄膜,并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响.当Ga/Zn气相摩尔比为3.2at%时,ZnO(0002)峰半高宽仅为0.26°,载流子浓度高达2.47×1019cm-3,透射率高于90%;当载流子浓度升高时,吸收边出现明显的Burstein-Moss蓝移效应.同时室温光致发光谱显示,紫外峰位随载流子浓度的增加而发生红移,峰形展宽,这和Ga高掺杂所引起的能带重整化效应有关.当Ga/Zn比达到6.3at%时,由于高掺杂浓度下Ga的自补偿效应导致载流子浓度下降. 展开更多
关键词 氧化锌 掺杂 Burstein-Moss效应 能带重整化 金属有机化学气相外延
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MOCVD生长中载气H_2对N掺杂ZnO性质的影响 被引量：7
6
作者 刘雪冬 顾书林 +9 位作者 李峰 朱顺明 刘伟 叶建东 单正平 刘少波 汤琨 朱光耀 张荣 郑有炓 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期441-446,共6页
采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌(DEZn)为锌源,N2O作为氧和氮源,H2作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征,结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳的掺入,明显改善了薄膜的光学质量。采用N2O离化技术,可... 采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌(DEZn)为锌源,N2O作为氧和氮源,H2作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征,结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳的掺入,明显改善了薄膜的光学质量。采用N2O离化技术,可以进一步提高其带边峰的强度,抑制带内发光。XRD测量表明,生长的ZnO薄膜具有c轴择优取向。目前生长高质量N掺杂的p型ZnO薄膜是很困难的,而H2作为载气的加入明显改善了ZnO薄膜的光学性质,在生长过程中加入H2将为获得高质量N掺杂的p型ZnO薄膜提供一种途径。 展开更多
关键词 氧化锌 载气 金属有机源化学气相沉积 离化
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ZnMgO/ZnO异质结构中二维电子气的研究 被引量：7
7
作者 张阳 顾书林 +5 位作者 叶建东 黄时敏 顾然 陈斌 朱顺明 郑有炓 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第15期8-13,共6页
论文根据ZnMgO/ZnO异质结构二维电子气的能带结构及相关理论模型,采用一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,模拟计算了ZnMgO/ZnO异质结构中二维电子气的分布及其对ZnMgO势垒层厚度及Mg组分的依赖关系.研究发现该异质结构中ZnMgO势垒... 论文根据ZnMgO/ZnO异质结构二维电子气的能带结构及相关理论模型,采用一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,模拟计算了ZnMgO/ZnO异质结构中二维电子气的分布及其对ZnMgO势垒层厚度及Mg组分的依赖关系.研究发现该异质结构中ZnMgO势垒层厚度存在一最小临界值:当垒层厚度小于该临界值时,二维电子气消失,当垒层厚度大于该临界值时,其二维电子气密度随着该垒层厚度的增加而增大;同时研究发现ZnMgO势垒层中Mg组分的增加将显著增强其二维电子气的行为,导致二维电子气密度的明显增大;论文对模拟计算获得的结果与相关文献报道的实验结果进行了比较,并从极化效应和能带结构的角度进行了分析和讨论,给出了合理的解释. 展开更多
关键词 氧化锌 二维电子气 异质结构 理论计算
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低压MOCVD生长ZnO单晶薄膜的制备与性质 被引量：3
8
作者 叶建东 顾书林 +8 位作者 朱顺明 胡立群 陈童 秦峰 张荣 施毅 沈波 江若琏 郑有炓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期421-424,共4页
利用 LP-MOCVD生长技术 ,采用 Zn(C2 H5) 2 作 Zn源和 CO2 作氧源 ,在 (0 0 0 2 )蓝宝石衬底上获得了沿 c轴取向高度一致的 Zn O单晶薄膜。通过对其吸收谱的曲线拟合 ,得到室温下 Zn O薄膜的光学带隙为 3 .2 45e V。在样品的室温光荧光... 利用 LP-MOCVD生长技术 ,采用 Zn(C2 H5) 2 作 Zn源和 CO2 作氧源 ,在 (0 0 0 2 )蓝宝石衬底上获得了沿 c轴取向高度一致的 Zn O单晶薄膜。通过对其吸收谱的曲线拟合 ,得到室温下 Zn O薄膜的光学带隙为 3 .2 45e V。在样品的室温光荧光谱 (PL)中观察到对应于带边发射的较强的发光峰 。 展开更多
关键词 氧化锌 金属有机物化学汽相沉淀 X射线衍射 光致发光 吸收
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Si_(1-X)Ge_X/Si红外光电探测器 被引量：4
9
作者 江若琏 罗志云 +8 位作者 陈卫民 臧岚 朱顺明 刘夏冰 程雪梅 陈志忠 韩平 王荣华 郑有斗 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 2000年第1期17-19,共3页
本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的 Si1- XGe X/ Si异质结 pin型红外探测器。其波长范围为0 .70～ 1.5 5 μm,峰值波长为 0 .96～ 1.0 6 μm,暗电流密度低达 0 .0 3μA/ mm2 ( - 2 V) ,在 1.30 μm处的响应度高达 0 .15 A/ W( - 5 V... 本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的 Si1- XGe X/ Si异质结 pin型红外探测器。其波长范围为0 .70～ 1.5 5 μm,峰值波长为 0 .96～ 1.0 6 μm,暗电流密度低达 0 .0 3μA/ mm2 ( - 2 V) ,在 1.30 μm处的响应度高达 0 .15 A/ W( - 5 V) ;讨论了 Ge组分、外延层厚度。 展开更多
关键词 光电探测器 锗化硅合金 红外探测器
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In_2O_3纳米线制备及其特性 被引量：2
10
作者 谢自力 张荣 +9 位作者 高超 刘斌 李亮 修向前 朱顺明 顾书林 韩平 江若琏 施毅 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期536-540,共5页
使用管式加热炉成功地制备出In_2O_3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In_2O_3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In_2O_3;X射线光电子谱分析发现该In_2O_3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的In_2O_3纳米线有... 使用管式加热炉成功地制备出In_2O_3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In_2O_3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In_2O_3;X射线光电子谱分析发现该In_2O_3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的In_2O_3纳米线有比较强的发光现象,主要集中在紫外光谱区.同时对反应的气相-固相(V-S)生长机理和In_2O_3的光致发光机理进行了详细分析. 展开更多
关键词 IN2O3 纳米线 X射线衍射 扫描电子显微镜
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Mn与N共掺ZnO铁磁稳定性及其电子结构的第一性原理研究 被引量：4
11
作者 吴孔平 顾书林 朱顺明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期144-148,共5页
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理方法,结合广义梯度近似研究了过渡金属Mn掺杂ZnO与(Mn,N)共掺ZnO的电子结构和磁性。对Mn掺杂ZnO不同构型的相对能量进行计算,结果表明Mn掺杂ZnO的最稳定构型具有反铁磁相互作用。另外,对(Mn,N)共... 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理方法,结合广义梯度近似研究了过渡金属Mn掺杂ZnO与(Mn,N)共掺ZnO的电子结构和磁性。对Mn掺杂ZnO不同构型的相对能量进行计算,结果表明Mn掺杂ZnO的最稳定构型具有反铁磁相互作用。另外,对(Mn,N)共掺ZnO不同构型的相对能量进行计算,结果表明引入N后,Mn与N铁磁性相互作用时,(Mn,N)共掺ZnO体系处于最低能量状态。这主要是由于Mn 3d电子与N 2p局域束缚的电子形成的磁性束缚激子诱导了Mn、N共掺ZnO薄膜室温铁磁信号的产生,并且最稳定的铁磁构型为-Mn-N-Mn-复合体,具有明确的团簇趋势。 展开更多
关键词 稀磁半导体 磁化 第一性原理 Mn-N共掺ZnO
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高中物理课程思政资源开发路径探讨
12
作者 朱顺明 蒋建明 《中学物理教学参考》 2023年第17期42-44,共3页
从哲学思辨、科学精神、社会意识、家国情怀四个方面,探讨高中物理课程思政资源开发路径,确保在物理教学中实施课程思政具有操作性和实效性,实现物理学科的独特育人价值.
关键词 课程思政 高中物理 思政元素
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Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的低压MOCVD生长与性质 被引量：2
13
作者 刘伟 顾书林 +8 位作者 叶建东 朱顺明 秦锋 周昕 刘松民 胡立群 张荣 施毅 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期809-813,共5页
利用低压金属有机物气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,采用两步生长法 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上获得了纤锌矿结构的 Zn1 - x Mgx O合金单晶薄膜 .实验发现随着 Mg原子的增多 ,Zn Mg O的晶格常数逐渐减小 .X射线衍射谱中未出现除 (0 0 0 2 ... 利用低压金属有机物气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,采用两步生长法 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上获得了纤锌矿结构的 Zn1 - x Mgx O合金单晶薄膜 .实验发现随着 Mg原子的增多 ,Zn Mg O的晶格常数逐渐减小 .X射线衍射谱中未出现除 (0 0 0 2 )峰之外的其他峰位 ,表明该合金薄膜具有很强的择优取向和较好的晶体质量 .室温透射谱与光致发光谱显示 ,其吸收边或带边发光峰随 Mg原子浓度的增加首先出现红移然后出现蓝移 .该反常现象与 Zn Mg O薄膜中产生的杂质缺陷的行为有关 .研究表明在 MOCVD生长 Zn Mg O合金薄膜过程中 ,必须优化与控制反应条件 。 展开更多
关键词 锌镁氧合金 低压金属有机物气相沉积 X射线衍射 透射谱 光致发光谱 PACC 6855 8115H
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GaN纳米线材料的特性和制备技术 被引量：4
14
作者 谢自力 张荣 +9 位作者 修向前 毕朝霞 刘斌 江若琏 沈波 顾书林 韩平 朱顺明 施毅 郑有炓 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2004年第3期187-191,共5页
GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料 ,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中 ,并可用于大功率微波器件 .最近几年 ,由于GaN蓝光二极管的成功研制 ,使GaN成为了化合物半导体领域中最热门的研究课... GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料 ,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中 ,并可用于大功率微波器件 .最近几年 ,由于GaN蓝光二极管的成功研制 ,使GaN成为了化合物半导体领域中最热门的研究课题 .简要介绍了GaN纳米线材料的制备技术 ;综述了GaN纳米线材料的制备结果和特性 .用CVD法研制的GaN纳米线的直径已经达到 5～ 12nm ,长度达到几百个微米 .纳米线具有GaN的六方纤锌矿结构 ,其PL谱具有宽的发射峰 ,谱峰中心在 42 0nm .GaN纳米线已经在肖特基二极管的研制中得到应用 . 展开更多
关键词 GAN纳米线 宽禁带半导体 相关器 蓝光二极管 PL谱 化合物半导体 微波器件 CVD法 中心 化学性质
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纳米ZnO生长及性质分析 被引量：3
15
作者 刘少波 顾书林 +6 位作者 刘伟 张丹羽 刘雪冬 朱顺明 丁维平 张荣 郑有炓 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期527-531,共5页
利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在表面含有ZnO颗粒作为催化剂的Si(111)衬底上制备了ZnO纳米柱阵列。采用X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱分析了样品的晶体结构质量、表面性质和光... 利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在表面含有ZnO颗粒作为催化剂的Si(111)衬底上制备了ZnO纳米柱阵列。采用X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱分析了样品的晶体结构质量、表面性质和光学性质。结果表明,生长出来的纳米ZnO具有较好的c轴择优取向性。发现氧分压对ZnO纳米柱的生长有重要影响:当氧分压较低时,生长基于VLS机制;当氧分压较高时,生长基于VS机制;通过对N2O流量的控制可实现对ZnO纳米材料的可控生长。 展开更多
关键词 ZnO纳米柱 气-液-固/气-固生长机制 低压金属有机化学气相沉积法
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N掺杂ZnO的缺陷识别与物性调控 被引量：3
16
作者 汤琨 姚峥嵘 +4 位作者 许钟华 杜倩倩 朱顺明 叶建东 顾书林 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第25期2708-2720,共13页
ZnO由于其室温下激子稳定存在,因此是一种具备高效发光性能的宽禁带半导体材料.然而,由于ZnO材料本征缺陷种类繁多、性质复杂,且缺乏合适的p型掺杂剂,其出色的光电性能一直未得到应用.近年来,越来越多的研究工作指出,ZnO的材料性质极大... ZnO由于其室温下激子稳定存在,因此是一种具备高效发光性能的宽禁带半导体材料.然而,由于ZnO材料本征缺陷种类繁多、性质复杂,且缺乏合适的p型掺杂剂,其出色的光电性能一直未得到应用.近年来,越来越多的研究工作指出,ZnO的材料性质极大程度依赖于其中杂质缺陷的组成,因此对ZnO中缺陷的种类识别和调控手段的研究成为ZnO材料走向应用前待解决的重要问题.本文结合近年来的研究进展,介绍了ZnO中各类本征缺陷的性质和调控手段,指出了N掺杂ZnO体系中受主的主要来源,获得了抑制补偿施主和诱导浅受主的一系列有效方法.在此基础上,提出了等价元素-受主共掺技术,实现了ZnO纳米材料的p型掺杂及同质结LED,并进一步拓展了ZnO纳米材料应用于存储器和宽频光探测器. 展开更多
关键词 氧化锌 氮掺杂 本征缺陷 P型掺杂 光探测器
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基于三阶测试诊断高中生曲线运动中的迷思概念 被引量：3
17
作者 朱顺明 李文娟 《物理教师》 CAS 北大核心 2021年第5期29-31,34,共4页
采用三阶测试对高中生曲线运动有关概念进行诊断研究,提出7种迷思概念类型.结合测试试题和半结构化访谈内容对学生迷思概念的成因进行深入探讨,对各种类型及对应学生所占的比例进行统计和分析,其中发现错误类比型、情境错配型极易产生... 采用三阶测试对高中生曲线运动有关概念进行诊断研究,提出7种迷思概念类型.结合测试试题和半结构化访谈内容对学生迷思概念的成因进行深入探讨,对各种类型及对应学生所占的比例进行统计和分析,其中发现错误类比型、情境错配型极易产生迷思概念. 展开更多
关键词 迷思概念 三阶测试 曲线运动
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InN薄膜的退火特性 被引量：3
18
作者 谢自力 张荣 +11 位作者 修向前 毕朝霞 刘斌 濮林 陈敦军 韩平 顾书林 江若琏 朱顺明 赵红 施毅 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期340-344,共5页
对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425... 对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量. 展开更多
关键词 INN 热退火 X射线衍射 扫描电子显微镜 X射线光电子谱
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Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长 被引量：3
19
作者 王荣华 韩平 +11 位作者 夏冬梅 李志兵 韩甜甜 刘成祥 符凯 谢自力 修向前 朱顺明 顾书林 施毅 张荣 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期151-154,共4页
用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向... 用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0×1019 cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当. 展开更多
关键词 化学气相淀积 Si1-xGex:C缓冲层 Ge薄膜
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AlN/S i(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱 被引量：2
20
作者 秦臻 韩平 +13 位作者 韩甜甜 鄢波 李志兵 谢自力 朱顺明 符凯 刘成祥 王荣华 李云菲 S.Xu N.Jiang 顾书林 张荣 郑有炓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1126-1131,共6页
本工作用化学气相淀积方法在A lN/S i(100)复合衬底上生长S iC薄膜。外延生长过程中,采用C4H4和S iH4作为反应气源,H2作为载气。样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的S iC薄膜。俄歇电子能谱及X-射线光电子... 本工作用化学气相淀积方法在A lN/S i(100)复合衬底上生长S iC薄膜。外延生长过程中,采用C4H4和S iH4作为反应气源,H2作为载气。样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的S iC薄膜。俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的A l和N元素。样品的光致发光测量显示,所有的样品均可在室温下观察到位于3.03 eV和3.17 eV处的发光峰,这分别相应于4H-S iC能带中电子从导带到A l受主能级之间的辐射跃迁和电子从N施主能级到价带之间的辐射跃迁,从而表明所得的外延薄膜的多形体为4H-S iC。 展开更多
关键词 CVD 4H—SiC 光致发光
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