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(100)锗单晶片的位错腐蚀研究
被引量：
2
1
作者
曹佳辉
朱
益
凡
+1 位作者
曾良鹏
席珍强
《浙江理工大学学报（自然科学版）》
2017年第5期657-661,共5页
为研究锗单晶的位错,根据湿法腐蚀的腐蚀原理,通过改变氧化剂、腐蚀液成分比例、腐蚀时间、腐蚀温度,分析锗单晶腐蚀抛光过程中各个条件对于腐蚀的影响。结果显示:锗单晶在高锰酸钾氢氟酸硫酸组成的体积比为10∶9∶1的酸性腐蚀剂中,温度...
为研究锗单晶的位错,根据湿法腐蚀的腐蚀原理,通过改变氧化剂、腐蚀液成分比例、腐蚀时间、腐蚀温度,分析锗单晶腐蚀抛光过程中各个条件对于腐蚀的影响。结果显示:锗单晶在高锰酸钾氢氟酸硫酸组成的体积比为10∶9∶1的酸性腐蚀剂中,温度为60℃时腐蚀120min就能达到抛光并显示位错的目的。采用湿法腐蚀必须同时存在氧化剂、络合剂才能达到很好的抛光腐蚀效果,在一定温度范围内(30~80℃)升高温度,腐蚀效果先改善后抑制,而腐蚀效果随着氢氟酸的加入量的增加而改善。
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关键词
锗单晶
腐蚀
抛光
位错
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职称材料
题名
(100)锗单晶片的位错腐蚀研究
被引量：
2
1
作者
曹佳辉
朱
益
凡
曾良鹏
席珍强
机构
浙江理工大学材料工程中心
出处
《浙江理工大学学报（自然科学版）》
2017年第5期657-661,共5页
基金
南京中锗校企合作项目(15020329-J)
文摘
为研究锗单晶的位错,根据湿法腐蚀的腐蚀原理,通过改变氧化剂、腐蚀液成分比例、腐蚀时间、腐蚀温度,分析锗单晶腐蚀抛光过程中各个条件对于腐蚀的影响。结果显示:锗单晶在高锰酸钾氢氟酸硫酸组成的体积比为10∶9∶1的酸性腐蚀剂中,温度为60℃时腐蚀120min就能达到抛光并显示位错的目的。采用湿法腐蚀必须同时存在氧化剂、络合剂才能达到很好的抛光腐蚀效果,在一定温度范围内(30~80℃)升高温度,腐蚀效果先改善后抑制,而腐蚀效果随着氢氟酸的加入量的增加而改善。
关键词
锗单晶
腐蚀
抛光
位错
Keywords
single-crystalline germanium
corrosion
polish
dislocation
分类号
TN304.11 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
(100)锗单晶片的位错腐蚀研究
曹佳辉
朱
益
凡
曾良鹏
席珍强
《浙江理工大学学报（自然科学版）》
2017
2
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参考文献
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