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化工原理教学中数学建模能力的培养
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作者 宋梁成 杨春晖 《黑龙江教育(高教研究与评估)》 2024年第6期46-48,共3页
数学模型法是一种重要的科研方法与解决实际问题的途径,在化工原理课程的教学中多有涉及。鉴于此,应将数学建模能力的培养确定为该课程教学目标点之一,在教学中系统地融入数学建模过程,以课程的教学内容为载体讲解数学建模方法与要点,... 数学模型法是一种重要的科研方法与解决实际问题的途径,在化工原理课程的教学中多有涉及。鉴于此,应将数学建模能力的培养确定为该课程教学目标点之一,在教学中系统地融入数学建模过程,以课程的教学内容为载体讲解数学建模方法与要点,以具体的实际案例训练学生的数学建模能力,引导学生掌握科学的研究方法,培养并提高洞察力和想象力,从而激发出创造力,助力化工行业创新型人才的培养。 展开更多
关键词 化工原理 数学建模 能力培养 案例教学
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黄铜矿类半导体砷化锗镉晶体的研究进展 被引量:5
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作者 李春彦 王锐 +2 位作者 杨春晖 徐衍岭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1022-1025,共4页
砷化锗镉,CdGeAs2,是三元的黄铜矿类半导体,具有非常高的非线性光学系数(236pm/V),这使得其作为CO2激光器倍频转换方面有突出的优势。长期以来生长晶体时由于存在严重的各向异性而使晶体开裂。砷化锗镉晶体在5.5μm处存在强吸收使得频... 砷化锗镉,CdGeAs2,是三元的黄铜矿类半导体,具有非常高的非线性光学系数(236pm/V),这使得其作为CO2激光器倍频转换方面有突出的优势。长期以来生长晶体时由于存在严重的各向异性而使晶体开裂。砷化锗镉晶体在5.5μm处存在强吸收使得频率转化的效率非常低,此吸收是晶体内存在大量受体缺陷造成的。本文对晶体生长的几种方法和红外吸收进行论述,并提出掺杂予体的方法降低红外吸收。 展开更多
关键词 砷化锗镉 开裂 受体缺陷 生长
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中远红外及太赫兹波段非线性晶体硒化镓 被引量:6
3
作者 杨春晖 马天慧 +1 位作者 雷作涛 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1402-1409,共8页
中远红外及太赫兹波段激光在国防和民用领域都有非常突出和迫切的需求,硒化镓(GaSe)晶体是一综合性能优异的红外非线性光学材料,通过差频产生和光学参量振荡可实现这两个波段的可调谐激光输出。综述了GaSe晶体及掺杂晶体在合成、生长、... 中远红外及太赫兹波段激光在国防和民用领域都有非常突出和迫切的需求,硒化镓(GaSe)晶体是一综合性能优异的红外非线性光学材料,通过差频产生和光学参量振荡可实现这两个波段的可调谐激光输出。综述了GaSe晶体及掺杂晶体在合成、生长、掺杂性能及差频产生中远红外及太赫兹辐射方面的最新研究成果,重点介绍了GaSe晶体及掺杂晶体的光学、力学性能,非线性性能及它们在频率转换方面的应用性能。通过全面的分析找出综合性能最优的掺杂晶体种类。 展开更多
关键词 硒化镓晶体 中远红外激光 非线性光学材料 太赫兹
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ZnGeP_2晶体点缺陷影响光学性能的研究进展 被引量:4
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作者 雷作涛 杨春晖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期160-165,共6页
ZnGeP2晶体具有非线性系数大和透光波段宽的特点,是目前重要的中红外频率转换介质材料。然而,点缺陷的存在却引起了ZnGeP2晶体的额外光学吸收,影响了其应用发展。本文对ZnGeP2晶体点缺陷影响光学性能的研究进展情况做了详细的综述。利... ZnGeP2晶体具有非线性系数大和透光波段宽的特点,是目前重要的中红外频率转换介质材料。然而,点缺陷的存在却引起了ZnGeP2晶体的额外光学吸收,影响了其应用发展。本文对ZnGeP2晶体点缺陷影响光学性能的研究进展情况做了详细的综述。利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体中存在的点缺陷类型;结合光学吸收和电子顺磁共振方法分析了ZnGeP2晶体点缺陷影响光学性能的机理;介绍了降低ZnGeP2晶体额外光学吸收的方法;最后,展望了围绕ZnGeP2晶体点缺陷及光学性能将开展的研究方向。 展开更多
关键词 ZnGeP2晶体 点缺陷 光学吸收 电子顺磁共振
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磷锗锌晶体生长与缺陷结构 被引量:3
5
作者 雷作涛 +2 位作者 宋梁成 杨春晖 谷立山 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期1082-1086,共5页
采用水平双温区法批量合成了高纯ZnGeP2多晶,并用垂直Bridgman法生长出直径为40~50mm的高品质单晶。采用密度泛函理论分析了ZnGeP2晶体中可能存在的点缺陷对其近红外波段透光性的影响,认为V-Zn和Zn0Ge缺陷的影响最大。利用X射线衍射形... 采用水平双温区法批量合成了高纯ZnGeP2多晶,并用垂直Bridgman法生长出直径为40~50mm的高品质单晶。采用密度泛函理论分析了ZnGeP2晶体中可能存在的点缺陷对其近红外波段透光性的影响,认为V-Zn和Zn0Ge缺陷的影响最大。利用X射线衍射形貌术对晶体中存在的位错、层错、孪晶界、包裹体等微缺陷进行了分析,结果表明,温度场稳定性和固液生长界面形态是缺陷形成的主要因素。 展开更多
关键词 磷锗锌晶体 缺陷结构 垂直Bridgman法 吸收光谱
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ZnGeP_2晶体近红外吸收特性的研究 被引量:3
6
作者 夏士兴 杨春晖 +4 位作者 马天慧 王猛 雷作涛 徐斌 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1029-1033,共5页
采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体,晶体毛坯尺寸达φ20mm×90mm,选取晶体尾部、晶体中部、籽晶端三个部位厚度为4.0mm的抛光晶片作为测试样品.从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性.实验结果显示:晶体透过率由尾部至近... 采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体,晶体毛坯尺寸达φ20mm×90mm,选取晶体尾部、晶体中部、籽晶端三个部位厚度为4.0mm的抛光晶片作为测试样品.从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性.实验结果显示:晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大,表明晶体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小,这是由于晶体内缺陷密度发生了改变,且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡,进而导致晶体的近红外吸收产生差异.理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷GeZn+和受主缺陷V-Zn的吸收光谱.计算结果表明:受主缺陷V-Zn对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施主缺陷GeZn+. 展开更多
关键词 磷化锗锌 近红外吸收 缺陷密度 施主缺陷 受主缺陷
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非线性光学晶体CdGeAs_2点缺陷的研究 被引量:2
7
作者 杨春晖 孙亮 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第2期315-321,共7页
CdGeAs2晶体是在红外频率转换应用中前景很广泛的非线性光学材料。点缺陷的存在引起了CdGeAs2晶体在5.5μm处的吸收,从而阻碍了其应用发展。本文综述了CdGeAs2晶体点缺陷的研究进展。利用光学吸收、光致发光、霍尔效应和电子顺磁共振等... CdGeAs2晶体是在红外频率转换应用中前景很广泛的非线性光学材料。点缺陷的存在引起了CdGeAs2晶体在5.5μm处的吸收,从而阻碍了其应用发展。本文综述了CdGeAs2晶体点缺陷的研究进展。利用光学吸收、光致发光、霍尔效应和电子顺磁共振等技术研究了CdGeAs2晶体的点缺陷;并利用原子模拟技术和密度泛函理论方法计算了CdGeAs2晶体的点缺陷;最后,展望了CdGeAs2晶体点缺陷今后应重点开展的研究方向。 展开更多
关键词 CdGeAs2晶体 点缺陷 光致发光 密度泛函理论
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CdGeAs2晶体的结构、弹性和电子性能的模拟计算和分析(英文) 被引量:2
8
作者 杨春晖 +2 位作者 马天慧 夏士兴 雷作涛 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期349-354,共6页
利用基于密度泛函理论的平面波赝势法对CdGeAs2晶体的结构,弹性和电子性能进行了研究。CdGeAs2晶体具有6个独立的弹性常数,利用计算的弹性性能可以判断晶体具有机械稳定性、延性和弹性各向异性等力学特点。通过总的和部分态密度分析了... 利用基于密度泛函理论的平面波赝势法对CdGeAs2晶体的结构,弹性和电子性能进行了研究。CdGeAs2晶体具有6个独立的弹性常数,利用计算的弹性性能可以判断晶体具有机械稳定性、延性和弹性各向异性等力学特点。通过总的和部分态密度分析了不同能带的贡献成分。计算的结构参数及弹性常数与实验值基本吻合。CdGeAs2晶体具有直接能隙,禁带宽为0.05 eV,并且具有共价特性。此外,通过电子等密度线以及Mulliken键布局表明,Cd–As键的共价性要强于Ge–As键的。 展开更多
关键词 砷化锗镉晶体 密度泛函理论 弹性性能 电子性能
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ZnGeP_2晶体点缺陷的研究进展 被引量:2
9
作者 杨春晖 +3 位作者 王猛 夏士兴 马天慧 吕维 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1089-1095,共7页
ZnGeP_2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP_2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP_2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP_2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷... ZnGeP_2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP_2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP_2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP_2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷V_(Zn)^-及施主缺陷V_P^0和Ge_(Zn)^+,其相应的缺陷能级分别为E(V_(Zn)^-)=Ec-(1.02±0.03)eV,E(V_P^0)=Ev+(1.61±0.06)eV和E(Ge_(Zn)^+)=Ev+(1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退火等处理后,又分别发现了两种缺陷V_(Ge)^(3-)和V_P^0其次,利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP_2晶体的点缺陷.主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致,但由于理论模拟与实际情况还存在差距,有些计算结果与实验结果相矛盾.因此,将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点. 展开更多
关键词 ZnGeP2晶体 电子顺磁共振 受主缺陷 施主缺陷 密度泛函理论
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正交结构与黄铜矿结构LiGaSe_2的制备及结构表征(英文) 被引量:2
10
作者 马天慧 杨春晖 +2 位作者 孙亮 任玉兰 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1996-2000,共5页
利用水平单温区管式电阻炉,合成了LiGaSe2多晶材料,并用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)和Raman光谱对其结构进行了表征。XRD谱表明:LiGaSe2多晶材料具有正交结构或黄铜矿结构,2种结构的多晶材料都是高纯的且结晶性良好。在合成过程中... 利用水平单温区管式电阻炉,合成了LiGaSe2多晶材料,并用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)和Raman光谱对其结构进行了表征。XRD谱表明:LiGaSe2多晶材料具有正交结构或黄铜矿结构,2种结构的多晶材料都是高纯的且结晶性良好。在合成过程中,最后阶段的恒温温度及降温速率将决定LiGaSe2的物相。通过Raman谱分析,找到2种类闪锌矿振动峰,其中低频峰与Ga—Se键的晶格振动有关,而高频峰与Li—Se键的振动有关。2种结构LiGaSe2中Li—Se键和Ga—Se键力常数存在微小差异,导致2种Raman谱谱峰发生移动。 展开更多
关键词 硒化镓锂 正交结构 黄铜矿结构 RAMAN光谱
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高品质ZnGeP_2晶体光参量振荡元件及应用 被引量:1
11
作者 雷作涛 +2 位作者 宋梁成 姚宝权 杨春晖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期1015-1016,共2页
在高纯ZnGeP2多晶批量合成基础上,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸(40~50)mm×140 mm的高品质单晶。切割出多种6 mm×6 mm×(16~30)mm规格的晶体元件,元件o偏振光2.05μm吸收系数为0.01~0.03cm-1,通过光参量振荡技术实... 在高纯ZnGeP2多晶批量合成基础上,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸(40~50)mm×140 mm的高品质单晶。切割出多种6 mm×6 mm×(16~30)mm规格的晶体元件,元件o偏振光2.05μm吸收系数为0.01~0.03cm-1,通过光参量振荡技术实现中波(3~5μm)40 W和远波(8~10μm)3 W的激光输出。 展开更多
关键词 ZnGeP2晶体 垂直布里奇曼法 元件 光参量振荡
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ADP晶体晶格振动模式的拉曼光谱分析 被引量:1
12
作者 孙彧 杨春晖 +2 位作者 姜兆华 郝树伟 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第4期733-738,共6页
在1004 000 cm-1波数范围内,发现了由LabRAM HR800和Renishaw 2000 micro-Raman spectroscopy两种仪器获得的磷酸二氢铵(ADP)晶体拉曼峰不同。为探究其原因,对ADP晶体进行了空间群分析和晶格振动模式指认。分析结果表明,其原因在于非... 在1004 000 cm-1波数范围内,发现了由LabRAM HR800和Renishaw 2000 micro-Raman spectroscopy两种仪器获得的磷酸二氢铵(ADP)晶体拉曼峰不同。为探究其原因,对ADP晶体进行了空间群分析和晶格振动模式指认。分析结果表明,其原因在于非线性光学晶体中PO4、OH、P-OH和NH4基团的极化变形。 展开更多
关键词 磷酸二氢铵 拉曼光谱 非线性光学 群分析
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非线性光学晶体LiBX_2(B=Ga,In;X=S,Se,Te)的研究 被引量:1
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作者 孙亮 杨春晖 +1 位作者 马天慧 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第2期293-302,共10页
LiBX2(B=Ga,In;X=S,Se,Te)晶体具有宽的透光波段、足够大的双折射率、高的激光损伤阈值和小的双光子吸收系数等特性,是目前最具发展前景的中红外波段频率转换材料之一。本文从晶体结构入手,重点介绍了LiBX2晶体的光学性能、缺陷结构及... LiBX2(B=Ga,In;X=S,Se,Te)晶体具有宽的透光波段、足够大的双折射率、高的激光损伤阈值和小的双光子吸收系数等特性,是目前最具发展前景的中红外波段频率转换材料之一。本文从晶体结构入手,重点介绍了LiBX2晶体的光学性能、缺陷结构及晶体应用的最新研究成果。LiBX2晶体在二次谐波(SHG)相位匹配、差频产生(DFG)、光学参量放大(OPA)和光学参量振荡(OPO)等方面具有重要的应用前景。通过对晶体的透过光谱、吸收光谱、光致发光光谱和电子辐照的研究可以确定缺陷类型、缺陷浓度及最佳退火温度,分析晶体颜色与晶体组成和缺陷的关系。最后,提出LiBX2晶体今后应重点开展的研究方向,即获得更高光学质量的大尺寸晶体、降低晶体残余吸收和设计性能优良的抗反射膜(AR)。 展开更多
关键词 非线性光学材料 光学性质 点缺陷 锂化合物 光学参量放大
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超分子化合物[CuCl(4,4-′bipy)]_n的合成与晶体结构 被引量:1
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作者 马天慧 杨春晖 +2 位作者 罗玉杰 刘玉敬 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期1025-1028,共4页
本文采用水热合成法设计并合成了一个新颖的超分子化合物[CuCl(4,4?-bipy)]n,对其进行了元素分析,红外光谱和X射线单晶衍射测定。单晶结构分析表明该化合物属单斜晶系,P2(1)/c空间群,晶胞参数:a=0.37733(8)nm,b=1.2711(3)nm,c=1.1403(2)... 本文采用水热合成法设计并合成了一个新颖的超分子化合物[CuCl(4,4?-bipy)]n,对其进行了元素分析,红外光谱和X射线单晶衍射测定。单晶结构分析表明该化合物属单斜晶系,P2(1)/c空间群,晶胞参数:a=0.37733(8)nm,b=1.2711(3)nm,c=1.1403(2)nm,β=94.15(3)°,V=0.54547(19)nm3,Z=4。该化合物含有一维[CuCl]n阶梯链结构。在堆积结构中,弱的分子间C-H…Cl氢键和π-π堆积相互作用是控制这个化合物新颖超分子层的最主要因素。 展开更多
关键词 水热合成 氢键 Π-Π堆积作用
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Li-Ga-S体系热力学函数的第一性原理计算 被引量:1
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作者 马天慧 马天方 +1 位作者 孙亮 《计算物理》 CSCD 北大核心 2013年第6期931-935,共5页
采用第一性原理的平面波赝势法计算Li-Ga-S体系LiGa,Li2S,GaS,Ga2S3和LiGaS2的热力学数据,分析可能发生的化学反应,其中4个化学反应可以生成目标产物LiGaS2.单质直接化合生成LiGaS2的反应自由能变较高,Li2S与Ga2S3化合生成LiGaS2的反应... 采用第一性原理的平面波赝势法计算Li-Ga-S体系LiGa,Li2S,GaS,Ga2S3和LiGaS2的热力学数据,分析可能发生的化学反应,其中4个化学反应可以生成目标产物LiGaS2.单质直接化合生成LiGaS2的反应自由能变较高,Li2S与Ga2S3化合生成LiGaS2的反应自由能变随温度升高而降低,但体系很难获得Ga2S3,LiGa与S生成LiGaS2和Li2S与GaS化合生成LiGaS2的自由能变较小,且体系生成Li2S,GaS和LiGa的自由能变也较小,由此推断LiGaS2多晶原料可以通过后两个反应获得. 展开更多
关键词 键布居 德拜温度 自由能 结合能 生成焓
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密度泛函理论研究ZnGeP_(2)晶体中缺陷的稳定性及迁移机制 被引量:1
16
作者 马天慧 雷作涛 +4 位作者 张晓萌 付秋月 布和巴特尔 杨春晖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第22期249-258,共10页
ZnGeP_(2)晶体是3—5μm中红外激光输出的最好频率转换材料,可实现激光器的全固态化和大功率输出.但在8—12μm处由于本证缺陷导致的吸收带与光参量振荡器的抽运波长交叠,限制了光参量振荡器的应用性能,使其无法实现远红外激光输出.本... ZnGeP_(2)晶体是3—5μm中红外激光输出的最好频率转换材料,可实现激光器的全固态化和大功率输出.但在8—12μm处由于本证缺陷导致的吸收带与光参量振荡器的抽运波长交叠,限制了光参量振荡器的应用性能,使其无法实现远红外激光输出.本论文采用密度泛函理论讨论了ZnGeP_(2)晶体6种缺陷结构的形成能与缺陷迁移机制.结果表明V_(P)和V_(Ge)两种缺陷结构较难形成,V_(Zn)^(-),Zn_(Ge),Ge_(Zn)^(+)和Ge_(Zn)+V_(Zn)四种缺陷容易形成.当Ge原子微富余Zn原子,温度为10 K,500 K和600 K时,V_(Zn)^(-)形成能小于Ge_(Zn)^(+),当温度为273 K和400 K时,Ge_(Zn)^(+)形成能小于V_(Zn)^(-).晶体的体积膨胀率与缺陷形成能的关系为负相关,即晶体体积膨胀率越大,缺陷形成能越低.差分电荷密度分析显示Ge_(Zn)和V_(Zn)+Ge_(Zn)两种缺陷结构中原子间电子云密度增强,空位缺陷(V_(Zn)和V_(Ge))与反位缺陷(Ge_(Zn)和Zn_(Ge))结合形成联合缺陷后,空位缺陷格点处电子云密度增强.当温度为10 K时,ZnGeP_(2)晶体的吸收光谱显示V_(Ge),V_(Zn),Zn_(Ge)和Ge_(Zn)四种缺陷结构在0.6—2.5μm有较明显吸收.V_(Zn)的迁移能最低,V_(Ge)迁移能最高.V_(P)在迁移过程中迁移能与空间位阻有关,而V_(Ge)和V_(Zn)的迁移能与原子间距离有关. 展开更多
关键词 缺陷结构 光学性能 ZnGeP_(2) 中远红外晶体
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砷化锗镉晶体的合成与生长
17
作者 杨春晖 +4 位作者 王锐 吕维 孙彧 王蒙 李春彦 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期947-949,共3页
关键词 非线性光学晶体 非线性光学系数 生长 合成 红外波段
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The First Principle Calculation of Electronic Structure and Optical Properties of CdGeAs_2 被引量:1
18
作者 吕维 杨春晖 +3 位作者 孙亮 马天慧 孙彧 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2009年第5期553-558,共6页
The electronic structure and optical properties of CdGeAs2 were calculated by the first principle method using ultra-soft pseudo-potential approach of the plane wave based upon density functional theory (DFT). Mulli... The electronic structure and optical properties of CdGeAs2 were calculated by the first principle method using ultra-soft pseudo-potential approach of the plane wave based upon density functional theory (DFT). Mulliken population analysis showed that atomic orbital hybridization occurs when forming chemical bonds. The relationship between inter-band transition and optical properties was analyzed to provide a theoretical basis for investigating or controlling CdGeAs2 crystal defects. 展开更多
关键词 CdGeAs2 the first principle method electronic structure optical property
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基于上转换纳米晶的非接触式温度传感实验设计
19
作者 尚云飞 夏欣欣 +3 位作者 郝树伟 雷作涛 杨春晖 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2022年第12期143-147,共5页
文章结合稀土掺杂光学晶体制备、材料分析、性能表征,设计了基于上转换纳米晶的非接触式温度传感综合实验。实验选用具有热耦合能级的稀土离子作为发光中心,通过高温液相法制备尺寸、形貌均一的纳米晶体探针。研究了其在不同温度下的上... 文章结合稀土掺杂光学晶体制备、材料分析、性能表征,设计了基于上转换纳米晶的非接触式温度传感综合实验。实验选用具有热耦合能级的稀土离子作为发光中心,通过高温液相法制备尺寸、形貌均一的纳米晶体探针。研究了其在不同温度下的上转换发光情况,并结合玻尔兹曼分布,利用热耦合能级发射峰强度对温度的响应,进行了非接触式温度传感的应用研究。该实验注重学科交叉,使学生能够在掌握相关材料制备方法基础上,了解非接触式温度传感及光学测试的基本原理。实验内容充实而丰富,注重理论与实践的结合,有助于激发学生的科研热情和创新思维。 展开更多
关键词 稀土 上转换 纳米晶体 热耦合能级 温度传感
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大尺寸GaSe单晶生长和光学性能
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作者 马天慧 +3 位作者 雷作涛 杨春晖 张红晨 王慧文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期182-186,共5页
通过双温区法合成了GaSe多晶原料,单次合成量可达300 g以上。通过垂直Bridgman–Stockbarger法生长了直径40 mm、长度130 mm的GaSe单晶体,测定了热学和光学性能。结果显示:吸收系数小于1 cm^–1的透过波段为0.64μm^17.80μm,吸收系数小... 通过双温区法合成了GaSe多晶原料,单次合成量可达300 g以上。通过垂直Bridgman–Stockbarger法生长了直径40 mm、长度130 mm的GaSe单晶体,测定了热学和光学性能。结果显示:吸收系数小于1 cm^–1的透过波段为0.64μm^17.80μm,吸收系数小于0.1 cm^–1的透过波段为0.64μm^12.82μm;太赫兹光谱显示有2个吸收峰,分别在0.58 THz和1.10 THz处,吸收系数均小于5.5 cm^–1;GaSe单晶体的激光损伤阈值为3.2 J/cm^2。 展开更多
关键词 硒化镓晶体 中远红外激光 非线性光学材料 太赫兹
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